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    半導體結構
    2.
    发明专利
    半導體結構 审中-公开
    半导体结构

    公开(公告)号：TW202027274A

    公开(公告)日：2020-07-16

    申请号：TW108100006

    申请日：2019-01-02

    申请人： 世界先進積體電路股份有限公司 ,  VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION

    发明人： 林庭佑 ,  LIN, TING-YOU ,  涂祈吏 ,  TU, CHI-LI ,  許書維 ,  HSU, SHU-WEI

    IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66

    摘要： 一種半導體結構，包含：半導體基底、埋置層、一對第一井區、第二井區、體摻雜區、以及第一重摻雜區。此半導體基底具有第一導電類型。此埋置層位於此半導體基底上且具第二導電類型。此對第一井區位於此埋置層上且具有第二導電類型。此第二井區位於此埋置層上並位於此對第一井區之間，其具有第一導電類型。此體摻雜區位於此第二井區中，其具有此第一導電類型。此第一重摻雜區位於此體摻雜區中，其具有第一導電類型。在上視圖中，此第一重摻雜區以及此對第一井區沿著第一方向延伸，並且此第一重摻雜區延伸超出此對第一井區之二個相反邊緣。

    简体摘要： 一种半导体结构，包含：半导体基底、埋置层、一对第一井区、第二井区、体掺杂区、以及第一重掺杂区。此半导体基底具有第一导电类型。此埋置层位于此半导体基底上且具第二导电类型。此对第一井区位于此埋置层上且具有第二导电类型。此第二井区位于此埋置层上并位于此对第一井区之间，其具有第一导电类型。此体掺杂区位于此第二井区中，其具有此第一导电类型。此第一重掺杂区位于此体掺杂区中，其具有第一导电类型。在上视图中，此第一重掺杂区以及此对第一井区沿着第一方向延伸，并且此第一重掺杂区延伸超出此对第一井区之二个相反边缘。