发明专利
- 专利标题： 集成堆疊式多晶片的半導體器件及其制備方法
- 专利标题（英）： SEMICONDUCTOR DEVICE WITH STACKED MOSFETS AND METHOD OF MANUFACTURE
- 专利标题（中）： 集成堆栈式多芯片的半导体器件及其制备方法
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申请号： TW102146696申请日： 2013-12-17
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公开(公告)号： TWI509770B公开(公告)日： 2015-11-21
- 发明人: 耶爾馬茲 哈姆紮 , YILMAZ, HAMZA , 何 約瑟 , HO, YUEH-SE , 薛彥迅 , XUE, YAN XUN , 魯軍 , LU, JUN , 張曉天 , ZHANG, XIAOTIAN , 牛志強 , NIU, ZHIQIANG , 魯明朕 , LU, MING CHEN , 趙良 , ZHAO, LIANG , 龔玉平 , GONG, YUPING , 連國峰 , LIAN, GUO FENG
- 申请人： 萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED
- 专利权人： 萬國半導體股份有限公司,ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED
- 当前专利权人： 萬國半導體股份有限公司,ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED
- 代理商 葉大慧
- 主分类号： H01L25/04
- IPC分类号： H01L25/04 ; H01L23/48
公开/授权文献
- TW201526197A 集成堆疊式多晶片的半導體器件及其制備方法 公开/授权日：2015-07-01
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