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    一種支援從晶圓背面實施切割的晶片封裝方法
    8.
    发明专利
    一種支援從晶圓背面實施切割的晶片封裝方法 审中-公开
    一种支持从晶圆背面实施切割的芯片封装方法

    公开(公告)号：TW201340191A

    公开(公告)日：2013-10-01

    申请号：TW101109846

    申请日：2012-03-22

    申请人： 萬國半導體股份有限公司 ,  ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED

    发明人： 薛彥迅 ,  XUE, YAN XUN ,  黃平 ,  HUANG, PING ,  何 約瑟 ,  HO, YUEH-SE

    IPC分类号： H01L21/304

    摘要： 本發明一般涉及一種超薄晶片的製備方法，更確切的說，本發明旨在提供一種支援從晶圓背面實施切割的晶片封裝方法以實現製備超薄晶片。本發明先行在晶圓的正面覆蓋一支撐結構，之後於晶圓的背面進行研磨，並在減薄後的晶圓的背面的中心區域沉積一層金屬層，並且減薄後的晶圓的背面位於金屬層的邊緣與晶圓的邊緣之間的區域構成一環形帶。利用穿透攝影設備在環形帶區域內對切割線進行探測，用於探測切割線在水準方向上從金屬層下方延伸至環形帶下方的延伸部分，同時利用切割刀沿著任意一條切割線兩端的所述延伸部分所構成的直線對減薄後的晶圓以及金屬層進行切割。

    简体摘要： 本发明一般涉及一种超薄芯片的制备方法，更确切的说，本发明旨在提供一种支持从晶圆背面实施切割的芯片封装方法以实现制备超薄芯片。本发明先行在晶圆的正面覆盖一支撑结构，之后于晶圆的背面进行研磨，并在减薄后的晶圆的背面的中心区域沉积一层金属层，并且减薄后的晶圆的背面位于金属层的边缘与晶圆的边缘之间的区域构成一环形带。利用穿透摄影设备在环形带区域内对切割线进行探测，用于探测切割线在水准方向上从金属层下方延伸至环形带下方的延伸部分，同时利用切割刀沿着任意一条切割线两端的所述延伸部分所构成的直线对减薄后的晶圆以及金属层进行切割。

    底部具有源極的功率金氧半場效電晶體元件及其製作方法
    9.
    发明专利
    底部具有源極的功率金氧半場效電晶體元件及其製作方法 审中-公开
    底部具有源极的功率金氧半场效应管组件及其制作方法

    公开(公告)号：TW201324680A

    公开(公告)日：2013-06-16

    申请号：TW100144269

    申请日：2011-12-01

    申请人： 萬國半導體股份有限公司 ,  ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED

    发明人： 何 約瑟 ,  HO, YUEH-SE ,  薛 彥迅 ,  XUE, YANXUN ,  黃平 ,  HUANG, PING

    IPC分类号： H01L21/76 ,  H01L29/772

    摘要： 本發明係揭露一種底部具有源極的金氧半場效電晶體元件及其製作方法，在晶片正面形成有互相絕緣的閘極和源極。源極上電鍍一源極凸塊，由塑封體包覆閘極，以及源極和源極凸塊與閘極之間的第一絕緣層，源極金屬層形成於源極凸塊曝露之表面上，構成源極與外部元件電性連接之區域，研磨晶片背面使其厚度減薄。晶片背面形成一汲極金屬層作為汲極。一孔槽貫穿晶片背面與閘極連通，使閘極之部分表面從孔槽中曝露，而形成閘極與外部元件電性連接之區域。晶片之正面朝下，則使源極位於元件底部，而汲極和從孔槽中曝露之閘極位於元件頂部。本發明中汲極及閘極之間，由孔槽內之第二絕緣層以及閘極背面之起始層進行絕緣保護，以有效防止擊穿。

    简体摘要： 本发明系揭露一种底部具有源极的金氧半场效应管组件及其制作方法，在芯片正面形成有互相绝缘的闸极和源极。源极上电镀一源极凸块，由塑封体包覆闸极，以及源极和源极凸块与闸极之间的第一绝缘层，源极金属层形成于源极凸块曝露之表面上，构成源极与外部组件电性连接之区域，研磨芯片背面使其厚度减薄。芯片背面形成一汲极金属层作为汲极。一孔槽贯穿芯片背面与闸极连通，使闸极之部分表面从孔槽中曝露，而形成闸极与外部组件电性连接之区域。芯片之正面朝下，则使源极位于组件底部，而汲极和从孔槽中曝露之闸极位于组件顶部。本发明中汲极及闸极之间，由孔槽内之第二绝缘层以及闸极背面之起始层进行绝缘保护，以有效防止击穿。

    功率器件及製備方法
    10.
    发明专利
    功率器件及製備方法 审中-公开
    功率器件及制备方法

    公开(公告)号：TW201729376A

    公开(公告)日：2017-08-16

    申请号：TW105103974

    申请日：2016-02-05

    申请人： 萬國半導體股份有限公司 ,  ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED

    发明人： 張 曉天 ,  ZHANG, XIAOTIAN ,  瑪力卡勒強斯瓦密 雪克 ,  MALLIKARJUNASWAMY, SHEKAR ,  牛志強 ,  NIU, ZHIQIANG ,  胡 照群 ,  OH, CHEOW KHOON ,  何 約瑟 ,  HO, YUEH-SE

    IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/52 ,  H01L21/60

    CPC分类号： H01L2224/16225 ,  H01L2224/40 ,  H01L2224/73257

    摘要： 本發明涉及到一種可實現電壓切換的電源管理裝置，尤其是涉及到低階金氧半場效電晶體(MOSFET)晶片和高階MOSFET晶片並整合成控制積體電路(IC)的電壓轉換裝置及其製備方法。一個第一晶片以覆晶方式倒裝在第一安裝區域，第一晶片正面的金屬襯墊與位於第一安裝區域的焊墊對接；一個第二晶片以覆晶方式倒裝在第二安裝區域，第二晶片正面的金屬襯墊與位於第二安裝區域的焊墊墊對接；以及一個導電結構連接在結合墊和第一晶片背面的金屬層之間，一個封裝體覆蓋在基板正面，將第一晶片、第二晶片和導電結構包覆在內。

    简体摘要： 本发明涉及到一种可实现电压切换的电源管理设备，尤其是涉及到低级金氧半场效应管(MOSFET)芯片和高级MOSFET芯片并集成成控制集成电路(IC)的电压转换设备及其制备方法。一个第一芯片以覆晶方式倒装在第一安装区域，第一芯片正面的金属衬垫与位于第一安装区域的焊垫对接；一个第二芯片以覆晶方式倒装在第二安装区域，第二芯片正面的金属衬垫与位于第二安装区域的焊垫垫对接；以及一个导电结构连接在结合垫和第一芯片背面的金属层之间，一个封装体覆盖在基板正面，将第一芯片、第二芯片和导电结构包覆在内。