一種晶圓級晶片的封裝方法
    3.
    发明专利
    一種晶圓級晶片的封裝方法 审中-公开
    一种晶圆级芯片的封装方法

    公开(公告)号:TW201407694A

    公开(公告)日:2014-02-16

    申请号:TW101128473

    申请日:2012-08-07

    IPC分类号: H01L21/56 H01L21/304

    摘要: 本發明一般涉及一種半導體裝置的製備方法,更確切的說,本發明旨在提供一種在晶圓級晶片的封裝步驟中獲得較薄的晶片以及提高晶圓機械強度的封裝方法。先在晶片的金屬焊盤上焊接金屬凸塊,然後形成一圓形的第一塑封層覆蓋在晶圓的正面,並研磨減薄第一塑封層,之後在第一塑封層上實施切割以形成相應的切割槽。在晶圓的背面實施研磨以形成一圓柱形凹槽,在晶圓暴露在圓柱形凹槽內的底面上沉積一層金屬層,然後將晶圓的周邊部分切割掉並沿切割槽對第一塑封層、晶圓、金屬層實施切割。

    简体摘要: 本发明一般涉及一种半导体设备的制备方法,更确切的说,本发明旨在提供一种在晶圆级芯片的封装步骤中获得较薄的芯片以及提高晶圆机械强度的封装方法。先在芯片的金属焊盘上焊接金属凸块,然后形成一圆形的第一塑封层覆盖在晶圆的正面,并研磨减薄第一塑封层,之后在第一塑封层上实施切割以形成相应的切割槽。在晶圆的背面实施研磨以形成一圆柱形凹槽,在晶圆暴露在圆柱形凹槽内的底面上沉积一层金属层,然后将晶圆的周边部分切割掉并沿切割槽对第一塑封层、晶圆、金属层实施切割。