- 专利标题： Semiconductor on insulator structure comprising a sacrificial layer and method of manufacture thereof
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申请号： US15917123申请日： 2018-03-09
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公开(公告)号： US10192778B2公开(公告)日： 2019-01-29
- 发明人: Sasha Joseph Kweskin
- 申请人： SunEdison Semiconductor Limited (UEN201334164H)
- 申请人地址： TW Hsinchu
- 专利权人： GlobalWafers Co., Ltd.
- 当前专利权人： GlobalWafers Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： TW Hsinchu
- 代理机构： Armstrong Teasdale LLP
- 主分类号： H01L21/30
- IPC分类号： H01L21/30 ; H01L21/762 ; H01L21/683 ; H01L21/311 ; H01L21/67
摘要：
A method is provided for preparing a semiconductor-on-insulator structure comprising a sacrificial layer.
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