- 专利标题： Support for a semiconductor structure
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申请号： US16476415申请日： 2018-01-11
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公开(公告)号： US11373856B2公开(公告)日： 2022-06-28
- 发明人: Patrick Reynaud , Marcel Broekaart , Frederic Allibert , Christelle Veytizou , Luciana Capello , Isabelle Bertrand
- 申请人： Soitec
- 申请人地址： FR Bernin
- 专利权人： Soitec
- 当前专利权人： Soitec
- 当前专利权人地址： FR Bernin
- 代理机构： TraskBritt
- 优先权： FR1750646 20170126
- 国际申请： PCT/EP2018/050677 WO 20180111
- 国际公布： WO2018/137937 WO 20180802
- 主分类号： H01L29/66
- IPC分类号： H01L29/66 ; H01L21/8238 ; H01L21/02 ; H01L21/762
摘要：
A support for a semiconductor structure includes a base substrate, a first silicon dioxide insulating layer positioned on the base substrate and having a thickness greater than 20 nm, and a charge trapping layer having a resistivity higher than 1000 ohm·cm and a thickness greater than 5 microns positioned on the first insulating layer.
公开/授权文献
- US20200020520A1 SUPPORT FOR A SEMICONDUCTOR STRUCTURE 公开/授权日：2020-01-16
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