- 专利标题： FinFET varactor quality factor improvement
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申请号： US16147205申请日： 2018-09-28
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公开(公告)号： US11961836B2公开(公告)日： 2024-04-16
- 发明人: Hyung-Jin Lee , Mark Armstrong , Saurabh Morarka , Carlos Nieva-Lozano , Ayan Kar
- 申请人： Intel Corporation
- 申请人地址： US CA Santa Clara
- 专利权人： Intel Corporation
- 当前专利权人： Intel Corporation
- 当前专利权人地址： US CA Santa Clara
- 代理机构： Schwabe, Williamson & Wyatt, P.C.
- 主分类号： H01L27/08
- IPC分类号： H01L27/08 ; H01L29/66 ; H01L29/93 ; H10B99/00
摘要：
An integrated circuit structure comprises one or more fins extending above a surface of a substrate over an N-type well. A gate is over and in contact with the one or more fins. A second shallow N-type doping is below the gate and above the N-type well.
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