发明申请
- 专利标题： Monatomic dopant ion source and method
- 专利标题（中）： 单原子掺杂剂离子源和方法
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申请号： US11132437申请日： 2005-05-19
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公开(公告)号： US20050274903A1公开(公告)日： 2005-12-15
- 发明人: Richard Goldberg
- 申请人： Richard Goldberg
- 专利权人： APPLIED MATERIALS, INC.
- 当前专利权人： APPLIED MATERIALS, INC.
- 优先权： GB0207398.9 20020328
- 主分类号： C23C14/00
- IPC分类号： C23C14/00 ; G21K5/10 ; H01J37/08 ; H01L21/04 ; H01L21/42 ; H01L21/425
摘要：
Monotomic dopant ions for ion implantation are supplied from vapour of a species containing plural atoms of the desired dopant. The vapour is fed to a plasma chamber and a plasma produced in the chamber with sufficient energy density to disassociate the vapour species to produce monatomic dopant ions in the plasma for implantation.
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