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发明申请
US20070134932A1 METHODS OF FORMING METAL LAYERS IN THE FABRICATION OF SEMICONDUCTOR DEVICES 有权
在半导体器件制造中形成金属层的方法

METHODS OF FORMING METAL LAYERS IN THE FABRICATION OF SEMICONDUCTOR DEVICES
摘要：
A metal deposition processing apparatus includes a first processing chamber configured for holding a semiconductor substrate therein. A second processing chamber is configured for holding the semiconductor substrate therein and for forming an upper metal layer thereon. A transfer chamber is connected to the first processing chamber and the second processing chamber. The transfer chamber is configured to transfer the semiconductor substrate between the first processing chamber and the second processing chamber.
摘要（中）：

金属沉积处理装置包括：第一处理室，被构造成用于将半导体基板保持在其中。 第二处理室构造成用于将半导体衬底保持在其中并用于在其上形成上金属层。 传送室连接到第一处理室和第二处理室。 传送室配置成在第一处理室和第二处理室之间传送半导体衬底。

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