发明申请
- 专利标题： Method of fabricating iridium layer with volatile precursor
- 专利标题（中）： 用挥发性前体制备铱层的方法
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申请号： US11647984申请日： 2006-12-28
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公开(公告)号： US20080160176A1公开(公告)日： 2008-07-03
- 发明人: James M. Blackwell , Adrien R. Lavoie , Darryl J. Morrison , Bill Barrow
- 申请人： James M. Blackwell , Adrien R. Lavoie , Darryl J. Morrison , Bill Barrow
- 主分类号： B05D5/12
- IPC分类号： B05D5/12
摘要：
An iridium precursor, and an iridium layer from the precursor is described. The Ir(I) in the precursor becomes Ir(III) in a reduction pathway before forming an Ir(0) layer.
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