发明申请
- 专利标题： Method of Manufacturing a Semiconductor Device
- 专利标题（中）： 制造半导体器件的方法
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申请号： US13152021申请日： 2011-06-02
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公开(公告)号： US20120309130A1公开(公告)日： 2012-12-06
- 发明人: Tze Yang Hin , Stefan Martens , Werner Simbuerger , Helmut Wietschorke , Horst Theuss , Beng Keh See , Ulrich Krumbein
- 申请人： Tze Yang Hin , Stefan Martens , Werner Simbuerger , Helmut Wietschorke , Horst Theuss , Beng Keh See , Ulrich Krumbein
- 申请人地址： DE Neubiberg
- 专利权人： Infineon Technologies AG
- 当前专利权人： Infineon Technologies AG
- 当前专利权人地址： DE Neubiberg
- 主分类号： H01L21/56
- IPC分类号： H01L21/56 ; H01L21/77
摘要：
In one embodiment a method for manufacturing a semiconductor device comprises arranging a wafer on a carrier, the wafer comprising singulated chips; bonding the singulated chips to a support wafer, and removing the carrier.
公开/授权文献
- US08535983B2 Method of manufacturing a semiconductor device 公开/授权日：2013-09-17
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