- 专利标题： METHOD AND APPARATUS TO MONITOR A PROCESS APPARATUS
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申请号： US16328319申请日： 2017-08-14
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公开(公告)号： US20190214318A1公开(公告)日： 2019-07-11
- 发明人: Mark John MASLOW , Johannes Catharinus Hubertus MULKENS , Peter TEN BERGE , Franciscus VAN DE MAST , Jan-Willem GEMMINK , Liesbeth REIJNEN
- 申请人： ASML NETHERLANDS B.V.
- 申请人地址： NL Veldhoven
- 专利权人： ASML NETHERLANDS B.V.
- 当前专利权人： ASML NETHERLANDS B.V.
- 当前专利权人地址： NL Veldhoven
- 优先权： EP16187478.9 20160906
- 国际申请： PCT/EP2017/070586 WO 20170814
- 主分类号： H01L21/66
- IPC分类号： H01L21/66 ; G03F7/36 ; G03F7/20 ; H01L21/311 ; H01L21/67
摘要：
A substrate, including a substrate layer; and an etchable layer on the substrate layer, the etchable layer including a patterned region thereon or therein and including a blank region of sufficient size to enable a bulk etch rate of an etch tool for etching the blank region to be determined.
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