发明授权
- 专利标题： MOS Transistor circuit with a power-down function
- 专利标题（中）： 具有掉电功能的MOS晶体管电路
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申请号： US229746申请日： 1981-01-29
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公开(公告)号： US4384220A公开(公告)日： 1983-05-17
- 发明人: Makoto Segawa , Shoji Ariizumi
- 申请人： Makoto Segawa , Shoji Ariizumi
- 申请人地址： JPX Kanagawa
- 专利权人： Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha
- 当前专利权人： Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha
- 当前专利权人地址： JPX Kanagawa
- 优先权： JPX55-13302 19800206
- 主分类号： G11C11/41
- IPC分类号： G11C11/41 ; G11C11/407 ; H01L21/822 ; H01L27/04 ; H01L29/78 ; H03K19/00 ; H03K19/0185 ; H03K19/0944 ; H03K19/096 ; H03K17/687 ; H03K19/094 ; H03K19/20
摘要：
An MOS transistor circuit contains at least one "zero" threshold mode transistor to provide a power-down function for the circuit. The "zero" threshold mode transistor is connected between an enhancement-mode MOS driver transistor and a depletion-mode MOS load transistor.
公开/授权文献
- US5609988A Radiation sensitive resin composition 公开/授权日：1997-03-11
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