发明授权
- 专利标题： Charge pump substrate bias with antiparasitic guard ring
- 专利标题（中）： 电荷泵衬底偏置与反寄生保护环
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申请号： US494266申请日： 1985-05-13
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公开(公告)号： US4539490A公开(公告)日： 1985-09-03
- 发明人: Shoji Ariizumi , Makoto Segawa
- 申请人： Shoji Ariizumi , Makoto Segawa
- 申请人地址： JPX
- 专利权人： Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha
- 当前专利权人： Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha
- 当前专利权人地址： JPX
- 优先权： JPX54-159487 19791208; JPX54-159488 19791208
- 主分类号： G05F3/20
- IPC分类号： G05F3/20 ; G11C5/14 ; G11C11/4074 ; H01L27/02 ; H01L27/04 ; G11C11/40
摘要：
The region constituting the rectify-charge pump circuit of a self substrate bias circuit is surrounded by a capacitive region, and the fluctuated minority carriers induced in this region are absorbed.
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