发明授权
- 专利标题： Semiconductor device having a substrate bias generator
- 专利标题（中）： 具有衬底偏置发生器的半导体器件
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申请号： US713014申请日： 1991-06-10
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公开(公告)号： US5343087A公开(公告)日： 1994-08-30
- 发明人: Tohru Furuyama
- 申请人： Tohru Furuyama
- 申请人地址： JPX Kanagawa
- 专利权人： Kabushiki Kaisha Toshiba
- 当前专利权人： Kabushiki Kaisha Toshiba
- 当前专利权人地址： JPX Kanagawa
- 优先权： JPX1-130710 19890524
- 主分类号： G11C11/408
- IPC分类号： G11C11/408 ; G05F3/20 ; G11C11/401 ; G11C11/407 ; H01L21/822 ; H01L21/8242 ; H01L27/04 ; H01L27/10 ; H01L27/108 ; H01L29/78 ; H03K3/01
摘要：
A semiconductor device includes an enhancement MOS transistor formed in a semiconductor substrate and a substrate bias generator supplies a predetermined bias voltage to the substrate. The impurity concentration of the substrate is within the range in which the enhancement MOS transistor keeps the enhancement mode when the substrate potential equals to the built-in potential .PHI.B.
公开/授权文献
- US5752280A Eye protection device for headgear 公开/授权日：1998-05-19
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