发明授权
- 专利标题： Method of operating a nonvolatile semiconductor memory device
- 专利标题（中）： 操作非易失性半导体存储器件的方法
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申请号： US903949申请日： 1992-06-26
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公开(公告)号： US5452248A公开(公告)日： 1995-09-19
- 发明人: Kiyomi Naruke , Tomoko Suzuki , Seiji Yamada , Etsushi Obi , Masamitsu Oshikiri
- 申请人： Kiyomi Naruke , Tomoko Suzuki , Seiji Yamada , Etsushi Obi , Masamitsu Oshikiri
- 申请人地址： JPX Kawasaki
- 专利权人： Kabushiki Kaisha Toshiba
- 当前专利权人： Kabushiki Kaisha Toshiba
- 当前专利权人地址： JPX Kawasaki
- 优先权： JPX3-157063 19910627
- 主分类号： G11C16/16
- IPC分类号： G11C16/16 ; G11C16/34 ; H01L27/115 ; H01L29/788 ; G11C16/02
摘要：
In this invention, charges are extracted from the charge storage portion by means of F-N tunnel current, and then avalanche hot carriers are injected into the storage portion.
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