发明授权
- 专利标题： Process for vapor phase epitaxy of compound semiconductor
- 专利标题（中）： 化合物半导体气相外延工艺
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申请号： US823237申请日： 1997-03-24
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公开(公告)号： US5970314A公开(公告)日： 1999-10-19
- 发明人: Takuji Okahisa , Mitsuru Shimazu , Masato Matsushima , Yoshiki Miura , Kensaku Motoki , Hisashi Seki , Akinori Koukitu
- 申请人： Takuji Okahisa , Mitsuru Shimazu , Masato Matsushima , Yoshiki Miura , Kensaku Motoki , Hisashi Seki , Akinori Koukitu
- 申请人地址： JPX Osaka
- 专利权人： Sumitomo Electric Industries, Ltd.
- 当前专利权人： Sumitomo Electric Industries, Ltd.
- 当前专利权人地址： JPX Osaka
- 优先权： JPX8-067762 19960325; JPX9-087570 19970321
- 主分类号： C30B25/02
- IPC分类号： C30B25/02 ; C30B29/38 ; H01L21/205 ; H01L33/12 ; H01L33/32 ; H01L33/34 ; H01S5/00 ; H01S5/323 ; H01L21/00 ; C30B25/14 ; H01L21/20 ; H01L21/36
摘要：
A process for forming a high quality epitaxial compound semiconductor layer of indium gallium nitride In.sub.x Ga.sub.1-x N, (where 0
公开/授权文献
- US4752434A Control bar and drive mechanism coupling device 公开/授权日：1988-06-21
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IPC分类:
