发明授权
- 专利标题： Magnetic memory cell having a soft reference layer
- 专利标题（中）： 具有软参考层的磁存储单元
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申请号： US10692546申请日： 2003-10-24
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公开(公告)号： US06936903B2公开(公告)日： 2005-08-30
- 发明人: Thomas C. Anthony , Manish Sharma , Manoj K. Bhottacharyya
- 申请人： Thomas C. Anthony , Manish Sharma , Manoj K. Bhottacharyya
- 申请人地址： US TX Houston
- 专利权人： Hewlett-Packard Development Company, L.P.
- 当前专利权人： Hewlett-Packard Development Company, L.P.
- 当前专利权人地址： US TX Houston
- 主分类号： H01L27/105
- IPC分类号： H01L27/105 ; G11C11/16 ; H01L21/82 ; H01L21/8246 ; H01L27/22 ; H01L43/08 ; H01L43/12 ; H01L43/00 ; G11C11/00 ; G11C11/14
摘要：
An exemplary magnetic memory cell comprises a data layer, a soft reference layer having a lower magnetic energy than the data layer, and spacer layer between the data layer and the soft reference layer.
公开/授权文献
- US20040092039A1 Magnetic memory cell having a soft reference layer 公开/授权日：2004-05-13
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