公开(公告)号：US06936903B2

公开(公告)日：2005-08-30

申请号：US10692546

申请日：2003-10-24

申请人： Thomas C. Anthony ,  Manish Sharma ,  Manoj K. Bhottacharyya

发明人： Thomas C. Anthony ,  Manish Sharma ,  Manoj K. Bhottacharyya

IPC分类号： H01L27/105 ,  G11C11/16 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/22 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H01L43/00 ,  G11C11/00 ,  G11C11/14

CPC分类号： H01L27/222 ,  G11C11/16 ,  H01L43/08

摘要： An exemplary magnetic memory cell comprises a data layer, a soft reference layer having a lower magnetic energy than the data layer, and spacer layer between the data layer and the soft reference layer.

摘要翻译： 示例性磁存储单元包括数据层，具有比数据层低的磁能的软参考层以及数据层和软参考层之间的间隔层。