Single mask MIM capacitor and resistor with in trench copper drift barrier

发明授权

US07189615B2 Single mask MIM capacitor and resistor with in trench copper drift barrier 有权

标题翻译：单掩模MIM电容器和电阻器具有沟槽铜漂移屏障

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专利标题： Single mask MIM capacitor and resistor with in trench copper drift barrier
专利标题（中）： 单掩模MIM电容器和电阻器具有沟槽铜漂移屏障
申请号： US11037530

申请日： 2005-01-18
公开(公告)号： US07189615B2

公开(公告)日： 2007-03-13
发明人: Satyavolu Srinivas Papa Rao , Darius Lammont Crenshaw , Stephan Grunow , Kenneth D. Brennan , Somit Joshi , Montray Leavy , Phillip D. Matz , Sameer Kumar Ajmera , Yuri E. Solomentsev
申请人： Satyavolu Srinivas Papa Rao , Darius Lammont Crenshaw , Stephan Grunow , Kenneth D. Brennan , Somit Joshi , Montray Leavy , Phillip D. Matz , Sameer Kumar Ajmera , Yuri E. Solomentsev
申请人地址： US TX Dallas
专利权人： Texas Instruments Incorporated
当前专利权人： Texas Instruments Incorporated
当前专利权人地址： US TX Dallas
代理商 Peter K. McLarty; W. James Brady, III; Frederick J. Telecky, Jr.
主分类号： H01L21/8242
IPC分类号： H01L21/8242

Single mask MIM capacitor and resistor with in trench copper drift barrier

摘要：

The formation of a MIM (metal insulator metal) capacitor (164) and concurrent formation of a resistor (166) is disclosed. A copper diffusion barrier (124) is formed over a copper deposition (110) that serves as a bottom electrode (170) of the capacitor (164). The copper diffusion barrier (124) mitigates unwanted diffusion of copper from the copper deposition (110), and is formed via electro-less deposition such that little to none of the barrier material is deposited at locations other than over a top surface (125) of the deposition of copper/bottom electrode. Subsequently, layers of dielectric (150) and conductive (152) materials are applied to form a dielectric (172) and top electrode (174) of the MIM capacitor (164), respectively, where the layer of conductive top electrode material (152) also functions to concurrently develop the resistor (166) on the same chip as the capacitor (164).

摘要（中）：

公开了MIM（金属绝缘金属）电容器（164）的形成和电阻器（166）的同时形成。在用作电容器（164）的底部电极（170）的铜沉积（110）上形成铜扩散阻挡层（124）。铜扩散阻挡层（124）减轻了铜从铜沉积物（110）的不期望的扩散，并且通过无电沉积形成，使得在除了顶部表面（125）之外的位置处几乎不会沉积阻挡材料，的铜/底电极的沉积。随后，分别施加介电层（150）和导电（152）材料层以形成MIM电容器（164）的电介质（172）和顶电极（174），其中导电顶电极材料层（152）还用于同时开发与电容器（164）相同的芯片上的电阻器（166）。

公开/授权文献

US20060160299A1 Single mask MIM capacitor and resistor with in trench copper drift barrier 公开/授权日：2006-07-20

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70	.由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/77	..在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）
H01L21/78	...把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L21/304）
H01L21/82	....制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822	.....衬底是采用硅工艺的半导体的（H01L21/8258优先）
H01L21/8232	......场效应工艺
H01L21/8234	.......MIS工艺
H01L21/8239	........存储器结构
H01L21/8242	.........动态随机存取存储结构（DRAM）