Top electrode barrier for on-chip die de-coupling capacitor and method of making same

发明授权

US07256089B2 Top electrode barrier for on-chip die de-coupling capacitor and method of making same 有权

标题翻译：用于片上芯片去耦电容器的顶部电极屏障及其制造方法

请登陆查看更多内容

专利标题： Top electrode barrier for on-chip die de-coupling capacitor and method of making same
专利标题（中）： 用于片上芯片去耦电容器的顶部电极屏障及其制造方法
申请号： US09962786

申请日： 2001-09-24
公开(公告)号： US07256089B2

公开(公告)日： 2007-08-14
发明人: Richard Scott List , Bruce A. Block , Ruitao Zhang
申请人： Richard Scott List , Bruce A. Block , Ruitao Zhang
申请人地址： US CA Santa Clara
专利权人： Intel Corporation
当前专利权人： Intel Corporation
当前专利权人地址： US CA Santa Clara
代理机构： Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman LLP
主分类号： H01L21/8242
IPC分类号： H01L21/8242 ; H01L21/20

Top electrode barrier for on-chip die de-coupling capacitor and method of making same

摘要：

An improvement in the method of fabricating on chip decoupling capacitors which help prevent L di/dt voltage droop on the power grid for high surge current conditions is disclosed. The inclusion of a hybrid metal/metal nitride top electrode/barrier provides for a low cost and higher performance option to strapping decoupling capacitors.

摘要（中）：

公开了一种制造片上去耦电容器的方法的改进，其有助于防止用于高浪涌电流条件的电网上的L di / dt电压下降。混合金属/金属氮化物顶部电极/屏障的包含为捆绑去耦电容器提供了低成本和更高性能的选择。

公开/授权文献

US20030057471A1 Top electrode barrier for on-chip die de-coupling capacitor and method of making same 公开/授权日：2003-03-27

信息查询

Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70	.由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/77	..在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）
H01L21/78	...把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L21/304）
H01L21/82	....制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822	.....衬底是采用硅工艺的半导体的（H01L21/8258优先）
H01L21/8232	......场效应工艺
H01L21/8234	.......MIS工艺
H01L21/8239	........存储器结构
H01L21/8242	.........动态随机存取存储结构（DRAM）