发明授权
- 专利标题： Method of manufacturing active matrix display device
- 专利标题（中）： 有源矩阵显示装置的制造方法
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申请号： US12174124申请日： 2008-07-16
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公开(公告)号： US07871936B2公开(公告)日： 2011-01-18
- 发明人: Masaya Kadono , Shunpei Yamazaki , Yukio Yamauchi , Hidehito Kitakado
- 申请人： Masaya Kadono , Shunpei Yamazaki , Yukio Yamauchi , Hidehito Kitakado
- 申请人地址： JP
- 专利权人： Semiconductor Energy laboratory Co., Ltd.
- 当前专利权人： Semiconductor Energy laboratory Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： JP
- 代理机构： Husch Blackwell Sanders LLP Welsh Katz
- 优先权： JP1999-084989 19990326
- 主分类号： H01L21/302
- IPC分类号： H01L21/302 ; H01L21/461
摘要：
A reduction in contaminating impurities in a TFT, and a TFT which is reliable, is obtained in a semiconductor device which uses the TFT. By removing contaminating impurities residing in a film interface of the TFT using a solution containing fluorine, a reliable TFT can be obtained.
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