发明授权
- 专利标题： High capacity low cost multi-state magnetic memory
- 专利标题（中）： 高容量低成本多态磁存储器
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申请号： US13235224申请日： 2011-09-16
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公开(公告)号： US08724413B2公开(公告)日： 2014-05-13
- 发明人: Rajiv Yadav Ranjan , Mahmud Assar , Parviz Keshtbod
- 申请人： Rajiv Yadav Ranjan , Mahmud Assar , Parviz Keshtbod
- 申请人地址： US CA Fremont
- 专利权人： Avalanche Technology, Inc.
- 当前专利权人： Avalanche Technology, Inc.
- 当前专利权人地址： US CA Fremont
- 代理机构： IPxLaw Group LLP
- 代理商 Maryam Imam
- 主分类号： G11C11/16
- IPC分类号： G11C11/16 ; G11C7/06 ; G11C11/02 ; G11C11/14 ; G11C11/15 ; G11C7/14 ; G11C7/08
摘要：
A multi-state current-switching magnetic memory element includes a stack of magnetic tunneling junction (MTJ) separated by a non-magnetic layer for storing more than one bit of information, wherein different levels of current applied to the memory element cause switching to different states.
公开/授权文献
- US20120002463A1 HIGH CAPACITY LOW COST MULTI-STATE MAGNETIC MEMORY 公开/授权日：2012-01-05
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