发明授权
- 专利标题： Unique mark and method to determine critical dimension uniformity and registration of reticles combined with wafer overlay capability
- 专利标题（中）： 确定临界尺寸均匀性和掩模版配合晶圆覆盖能力的独特标记和方法
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申请号： US12819281申请日： 2010-06-21
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公开(公告)号： US08804137B2公开(公告)日： 2014-08-12
- 发明人: DongSub Choi , Amir Widmann , Zain Saidin , Frank Laske , John Robinson
- 申请人： DongSub Choi , Amir Widmann , Zain Saidin , Frank Laske , John Robinson
- 申请人地址： US CA Milpitas
- 专利权人： KLA-Tencor Corporation
- 当前专利权人： KLA-Tencor Corporation
- 当前专利权人地址： US CA Milpitas
- 代理机构： Suiter Swantz pc llo
- 主分类号： G01B11/14
- IPC分类号： G01B11/14
摘要：
A combined metrology mark, a system, and a method for calculating alignment on a semiconductor circuit are disclosed. The combined metrology mark may include a mask misregistration structure and a wafer overlay mark structure.
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