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Invention Grant
US09165762B2 Method of depositing silicone dioxide films 有权
沉积二氧化硅薄膜的方法

Method of depositing silicone dioxide films
Abstract:
A method of forming silicon dioxide films using plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) uses tetraethyl orthosilicate (TEOS), oxygen or a source of oxygen, and hydrogen as precursors. The method can be carried out at low temperatures in a range of 125 to 175° C. which is useful for manufacturing wafers with through silicon vias.
Abstract(Chinese):

使用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）形成二氧化硅膜的方法使用原硅酸四乙酯（TEOS），氧或氧源，以及氢作为前体。 该方法可以在125-175℃的低温下进行，这对于通过硅通孔制造晶片是有用的。

Public/Granted literature
Information query
Espacenet
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04 ..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18 ...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30 ....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/31 .....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/314 ......无机层（H01L21/3105，H01L21/32优先）
H01L21/316 .......由氧化物或玻璃状氧化物或以氧化物为基础的玻璃组成的无机层
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