发明授权
- 专利标题： Semiconductor nanocrystal and preparation method thereof
- 专利标题（中）： 半导体纳米晶体及其制备方法
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申请号： US12831816申请日： 2010-07-07
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公开(公告)号： US09570549B2公开(公告)日： 2017-02-14
- 发明人: Eun-Joo Jang , Seok-Hwan Hong , Shin-Ae Jun , Hyo-Sook Jang
- 申请人： Eun-Joo Jang , Seok-Hwan Hong , Shin-Ae Jun , Hyo-Sook Jang
- 申请人地址： KR Gyeonggi Do
- 专利权人： SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
- 当前专利权人： SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
- 当前专利权人地址： KR Gyeonggi Do
- 代理机构： Cantor Colburn LLP
- 优先权： KR10-2009-0062149 20090708; KR10-2010-0055436 20100611
- 主分类号： C09K11/62
- IPC分类号： C09K11/62 ; C09K11/70 ; H01L29/06 ; B82Y30/00 ; B82Y40/00 ; B82Y10/00 ; H01L33/50 ; H01L51/50
摘要：
A semiconductor nanocrystal and a preparation method thereof, where the semiconductor nanocrystal include a bare semiconductor nanocrystal and a water molecule directly bound to the bare semiconductor nanocrystal.
公开/授权文献
- US20110006281A1 SEMICONDUCTOR NANOCRYSTAL AND PREPARATION METHOD THEREOF 公开/授权日：2011-01-13
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