- 专利标题： Method for preparing single-crystal cubic sesquioxides and uses
-
申请号： US14903761申请日： 2014-07-23
-
公开(公告)号： US09945049B2公开(公告)日： 2018-04-17
- 发明人: Philippe Veber , Matias Velazquez , Oudomsack Viraphong , Gabriel Buse
- 申请人： CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE
- 申请人地址： FR Paris
- 专利权人： CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCINTIFIQI
- 当前专利权人： CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCINTIFIQI
- 当前专利权人地址： FR Paris
- 代理机构： IPSILON USA, LLP
- 优先权： FR1357308 20130724
- 国际申请： PCT/FR2014/051912 WO 20140723
- 国际公布： WO2015/011416 WO 20150129
- 主分类号： C03B19/04
- IPC分类号： C03B19/04 ; C30B9/12 ; C30B19/04 ; C30B19/02 ; C30B29/16 ; C30B19/06 ; C30B29/22 ; C09K5/14 ; G02F1/09
摘要：
The present invention relates to a process for the preparation of hulk or thin-film single-crystals of cubic sesquioxides (space group No. 206, Ia-3) of scandium, yttrium or rare earth metals doped or not doped with lanthanide ions having a valency of +III by a high-temperature flux growth technique and to the applications of the nondoped single-crystals obtained according to this process, in particular in the optical field.
公开/授权文献
信息查询
