Invention Application
- Patent Title: 半導体装置
- Patent Title (English): Semiconductor device
- Patent Title (中): 半导体器件
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Application No.: PCT/JP2009/051700Application Date: 2009-02-02
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Publication No.: WO2009101870A1Publication Date: 2009-08-20
- Inventor: 田能村 昌宏
- Applicant: 日本電気株式会社 , 田能村 昌宏
- Applicant Address: 〒1088001 東京都港区芝五丁目7番1号 Tokyo JP
- Assignee: 日本電気株式会社,田能村 昌宏
- Current Assignee: 日本電気株式会社,田能村 昌宏
- Current Assignee Address: 〒1088001 東京都港区芝五丁目７番１号 Tokyo JP
- Agency: 丸山 隆夫
- Priority: JP2008-030588 20080212
- Main IPC: H01L21/338
- IPC: H01L21/338 ; H01L21/28 ; H01L21/74 ; H01L21/76 ; H01L27/095 ; H01L29/06 ; H01L29/778 ; H01L29/812
Abstract:
配線の断線やショートを生じずに、低コスト化と素子間の電気的絶縁を図ることができる半導体装置を提供する。 半導体素子、並びに、半導体素子の直下に存在する低抵抗層を、接地された貫通ビアで囲むため、半導体素子は電気的に遮蔽される。そのため、隣接素子間との電気的絶縁が可能になる。従って、再成長技術や溝を形成する必要が無いため、配線の断線やショートを生じずに、低コストで電気的絶縁が可能になる。
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IPC分类:
