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公开(公告)号:WO2013005415A1
公开(公告)日:2013-01-10
申请号:PCT/JP2012/004283
申请日:2012-07-02
IPC: H02J17/00
Abstract: 無線電力伝送装置(1)は、磁界共鳴により電力を送電する送電器(100)と、送電器(100)から送電された電力を受電する受電器(150)と、を備え、送電器(100)および受電器(150)のうち少なくともいずれか一方が、他方との間の磁界共鳴により電力の伝送に携わる、異なる共振周波数を有する複数の共鳴素子(第1送電用コイル(110)および第2送電用コイル(120))を有し、送電器(100)と受電器(150)の間の結合状態に応じて、電力の伝送に携わる複数の共鳴素子(第1送電用コイル(110)および第2送電用コイル(120))が切り替わる。
Abstract translation: 该无线电力传输装置(1)设置有用于通过磁共振发送电力的电力发送器(100)和用于接收从电力发送器(100)发送的电力的电力接收器(150)。 功率发射器(100)和/或功率接收器(150)具有多个谐振元件(第一功率传输线圈(110)和第二功率传输线圈(120)),它们具有不同的谐振频率并用于磁共振功率 与所述功率发射器(100)或功率接收器(150)中的另一个的传输,其中在功率传输中使用的多个谐振器元件(第一功率传输线圈(110)和第二功率传输线圈(120))根据 电力接收器(150)和电力发送器(100)之间的连接状态。
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公开(公告)号:WO2008075611A1
公开(公告)日:2008-06-26
申请号:PCT/JP2007/074033
申请日:2007-12-13
CPC classification number: G06F17/5036
Abstract: 素子の自己発熱による温度変化だけでなく、隣接する発熱素子からの熱伝達による温度変化をも考慮して回路素子の特性を正確に予測する。シミュレーション部4が、電気回路網入力部2から供給された電気回路網と熱回路網入力部3から供給された熱回路網とを参照し、半導体集積回路を構成する複数の素子のそれぞれについて、当該素子の自己発熱量により生じる第1の発熱温度と他の素子から当該素子に流入する熱量によって生じる第2の発熱温度を求め、該第1および第2の発熱温度に基づいて当該素子の素子温度を算出し、該素子温度での当該素子における電圧値および電流値を予め与えられている当該素子の温度依存性を示すデータに基づいて算出する。
Abstract translation: 通过考虑由于元件的自加热引起的温度变化以及由于邻接的加热器元件的热传递引起的温度变化,可以精确地预测电路元件的特性。 参照从电网输入部(2)提供的电网和从热网输入部(3)供给的热网,模拟部(4)确定由该元件的热量产生的第一发热温度 分别为构成半导体集成电路的多个元件的其他元件的热量流入该元件而产生的第二发热温度基于第一和第二发热温度计算该元件的元件温度,以及 然后基于先前提供的指示该元件的温度依赖性的数据来计算元件温度下该元件中的电压值和当前值。
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公开(公告)号:WO2013160978A1
公开(公告)日:2013-10-31
申请号:PCT/JP2012/008045
申请日:2012-12-17
IPC: H02J17/00
Abstract: 整流部(1060)のインピーダンスは可変である。また、電力測定部(1080)の測定点Pは、受電部(1020)と整流部(1060)の間にある。受電部(1020)は、電力送電装置(2000)から無線で送電される交流電力ACを受電し、整合部(1040)へ出力する。整合部(1040)は、受電部(1020)の出力インピーダンスと整流部(1060)の入力インピーダンスを整合する。整流部(1060)は、整合部(1040)から交流電力ACを受け取って直流電力に変換する。電力測定部(1080)は、測定点Pで交流電力ACの電力値Wを測定する。制御部(1100)は、電力値Wに基づいて整流部(1060)に印加する電圧の値を変更することで、整流部(1060)のインピーダンスを制御する。
Abstract translation: 整流部(1060)的阻抗是可变的。 功率测量部分(1080)的测量点(P)在电力接收部分(1020)和整流部分(1060)之间。 电力接收部(1020)接收从电力传输装置(2000)无线发送的AC电力(AC),并将其输出到匹配部(1040)。 匹配部分(1040)匹配电力接收部分(1020)的输出阻抗和整流部分(1060)的输入阻抗。 整流部(1060)从匹配部(1040)接受交流电(AC)并将其转换成直流电。 功率测量部(1080)测量测量点(P)处的交流电(AC)的功率值(W)。 控制部(1100)通过基于功率值(W)改变施加到整流部(1060)的电压的值来控制整流部(1060)的阻抗。
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公开(公告)号:WO2009101870A1
公开(公告)日:2009-08-20
申请号:PCT/JP2009/051700
申请日:2009-02-02
Inventor: 田能村 昌宏
IPC: H01L21/338 , H01L21/28 , H01L21/74 , H01L21/76 , H01L27/095 , H01L29/06 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC classification number: H01L21/8258 , H01L21/7605 , H01L21/8252 , H01L27/0605 , H01L29/2003 , H01L29/7787 , H01L29/802
Abstract: 配線の断線やショートを生じずに、低コスト化と素子間の電気的絶縁を図ることができる半導体装置を提供する。 半導体素子、並びに、半導体素子の直下に存在する低抵抗層を、接地された貫通ビアで囲むため、半導体素子は電気的に遮蔽される。そのため、隣接素子間との電気的絶縁が可能になる。従って、再成長技術や溝を形成する必要が無いため、配線の断線やショートを生じずに、低コストで電気的絶縁が可能になる。
Abstract translation: 提供了一种低成本的半导体器件,其中元件彼此电绝缘,而不会发生布线的断开和短路。 由于半导体元件正下方存在的半导体元件和低电阻层被接地的通孔包围,所以半导体元件被电屏蔽。 因此,半导体元件可以与相邻元件电绝缘。 由于不需要再生技术和形成沟槽,所以以低成本提供电绝缘,而不会产生断线和布线短路。
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公开(公告)号:WO2009096098A1
公开(公告)日:2009-08-06
申请号:PCT/JP2008/072713
申请日:2008-12-14
CPC classification number: H03F1/32 , H03F1/30 , H03F2200/447
Abstract: 増幅器の自己発熱に起因した振幅歪、並びに、位相歪を解決する半導体装置を提供する。 ベースバンド信号を発生するベースバンド信号発生手段と、発生したベースバンド信号をRF信号に変換するRF信号変換手段と、電力エネルギーを増幅する電力増幅手段と、熱エネルギーを発生する発熱手段と、ベースバンド信号に基づいて電力増幅手段から発生した発熱量と、発熱手段から発生した発熱量とを一定にする制御手段と、発熱手段から発生した発熱量を電力増幅手段に伝熱する伝熱手段とを有する。
Abstract translation: 提供了一种半导体器件,其中消除了由放大器本身产生的热量引起的幅度失真和相位失真。 半导体器件设置有产生基带信号的基带信号发生装置, RF信号转换装置,用于将所生成的基带信号转换成RF信号; 用于放大电力能量的功率放大装置; 用于产生热能的发热装置; 用于根据所述基带信号固定从所述功率放大装置产生的发热量和从所述发热装置产生的发热量的控制装置; 以及用于将从发热装置产生的发热量传递到功率放大装置的热传递装置。
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公开(公告)号:WO2009093360A1
公开(公告)日:2009-07-30
申请号:PCT/JP2008/069020
申请日:2008-10-21
IPC: G06F17/50 , H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L29/00
CPC classification number: G06F17/5036
Abstract: 本発明の回路シミュレータは、トランジスタのモデルパラメータを入力するためのトランジスタ入力部と、前記トランジスタ入力部から供給されたトランジスタモデルパラメータを参照して、出力電力を計算する出力電力シミュレーション部と、前記トランジスタモデルパラメータを参照して、寿命を計算する寿命シミュレーション部と、前記出力電力シミュレーション部から供給された出力電力と前記寿命シミュレーション部から供給された寿命との等高線図を、負荷インピーダンス上に表示する表示部と、前記表示部で負荷インピーダンス上に表示された出力電力と寿命を参照して、所望の負荷インピーダンスを抽出する負荷インピーダンス抽出部と、を有することを特徴とする。
Abstract translation: 电路模拟器的特征在于包括用于输入晶体管的模型参数的晶体管输入部分,参考从晶体管输入部分提供的晶体管模型参数来计算输出功率的输出功率模拟部分,用于计算寿命的寿命模拟部分 参考晶体管模型参数,显示部分,显示从输出功率模拟部分提供的输出功率的轮廓图和从生命模拟部分提供的寿命对负载阻抗的影响;以及负载阻抗提取部分,用于提取 参考由显示部分显示的负载阻抗上显示的输出功率和寿命所需的负载阻抗。
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公开(公告)号:WO2009057385A1
公开(公告)日:2009-05-07
申请号:PCT/JP2008/066095
申请日:2008-09-05
IPC: H03F3/24 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H03F3/60
CPC classification number: H03F1/56 , H03F1/0277 , H03F3/211 , H03F3/245 , H03F3/604 , H03F3/72 , H03F2200/15 , H03F2200/18 , H03F2200/222 , H03F2200/255 , H03F2200/387 , H03F2200/423 , H03F2203/21106 , H03F2203/21142 , H03F2203/21178 , H03F2203/7215 , H03F2203/7221 , H03F2203/7236
Abstract: 本発明の電力増幅器は、ゲート長が180nm以下であるMOSトランジスタ(1)と、MOSトランジスタ(1)のドレイン端子に接続された出力側整合回路(5)と、を有する。また、MOSトランジスタ(1)は、DC状態で許容できる電圧値で規格化された電圧Vd_nが0.5~0.9であり、このVd_nがドレイン-ソース間電圧として印加される。また、ドレイン端子から出力整合回路(5)をみた負荷インピーダンスをMOSトランジスタ(1)のゲート幅W(mm)で規格化した値がZL(=RL+j・XL)であり、ZLの実部(RL)は、RL>0.64×Vd_n+0.19(Ω・mm)で、かつ、RL<0.64×Vd_n+1.73(Ω・mm)である。
Abstract translation: 功率放大器包括栅极长度为180nm以下的MOS晶体管(1)和与MOS晶体管(1)的漏极端子连接的输出侧匹配电路(5)。 此外,MOS晶体管(1)的电压Vd_n为0.5〜0.9,由直流状态允许的电压值归一化,施加Vd_n作为漏极 - 源极电压。 此外,从漏极端子观察输出匹配电路(5)时的负载阻抗由MOS晶体管(1)的栅极宽度W(mm)归一化为ZL(= RL + j·XL),其中实际 ZL的部分(RL)为RL> 0.64×Vd_n + 0.19(O·mm),RL <0.64×Vd_n + 1.73(O·mm)。
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公开(公告)号:WO2005096365A1
公开(公告)日:2005-10-13
申请号:PCT/JP2005/006165
申请日:2005-03-30
Applicant: 日本電気株式会社 , NEC化合物デバイス株式会社 , 黒田 尚孝 , 田能村 昌宏 , 黒澤 直人
IPC: H01L21/331
CPC classification number: H01L29/7371 , H01L23/367 , H01L27/0605 , H01L27/0664 , H01L29/66318 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: チップ面積の大型化を抑制しつつ、充分に高い放熱性能を有した半導体装置を提供する。 半導体装置1において、半導体基板10上には、複数のHBT20と複数のダイオード30とが1次元的に交互に配置されている。ダイオード30のアノード電極36は、共通エミッタ配線42を介して、HBT20のエミッタ電極27と接続されている。ダイオード30は、エミッタ電極27から共通エミッタ配線42を通じて伝わってきた熱を半導体基板10へと放散する放熱手段として機能するとともに、HBT20のエミッタ-コレクタ間に並列接続された保護ダイオードとしても機能するものである。
Abstract translation: 公开了具有足够高的散热性能的半导体器件,其中抑制了芯片面积的增加。 在半导体器件(1)中,多个HBT(20)和多个二极管(30)在半导体衬底(10)上一维地交替布置。 二极管(30)的阳极电极(36)经由公共发射极配线(42)与HBT(20)的发射极(27)连接。 二极管(30)用作散热装置,用于将从发射电极(27)经由公共发射极配线(42)传输的热辐射到半导体衬底(10),同时还用作并联连接在发射器 和HBT(20)的收藏家。
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公开(公告)号:WO2013042291A1
公开(公告)日:2013-03-28
申请号:PCT/JP2012/003437
申请日:2012-05-25
CPC classification number: H02J50/12 , B60L11/182 , B60M7/00 , H01F38/14 , H02J5/005 , H02J7/025 , H02J17/00 , H02J50/05 , H02J50/50
Abstract: 本発明の一態様である無線給電システムは、長距離かつ高効率な電力の空間伝送が可能な無線給電システムを提供する。本発明の一態様である無線給電システム(100)は、送電器(101)、受電器(102)及び受電体(108)を有する。送電器(101)は、電磁波を発生させる。受電器(102)は、磁界の共鳴現象を利用して送電器(101)から受ける電磁波により電力が供給される。受電体(108)は、送電器(101)と受電器(102)とにより形成される電磁場に挿入され、電磁場により受電する。
Abstract translation: 根据本发明的一个实施例,提供了能够执行长距离且高效率的电力空间传输的无线供电系统。 本发明的一个实施例中的无线供电系统(100)具有电力发送器(101),电力接收器(102)和电力接收体(108)。 电力发送器(101)产生电磁波。 使用磁场的共振现象,通过从电力发送器(101)接收的电磁波向电力接收器(102)供电。 电力接收体(108)被插入到由电力发送器(101)和电力接收器(102)形成的电磁场中,并且通过电磁场接收电力。
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公开(公告)号:WO2007023629A1
公开(公告)日:2007-03-01
申请号:PCT/JP2006/314554
申请日:2006-07-24
CPC classification number: H03F1/42 , H03F1/08 , H03F1/34 , H03F2200/36
Abstract: 本発明は、ピーキングと接地インダクタンスによる特性劣化を解決するものであり、高ゲイン化・広帯域化を図ることができるトランスインピーダンス増幅器を提供する。このためトランスインピーダンス増幅器は、2つ以上の極周波数を有する帰還回路であって、極周波数の中で最小極周波数以下の周波数領域においてフィルター特性が周波数に対して平坦であり、かつ、極周波数の中で最大極周波数以上の周波数領域においてフィルター特性が周波数に対して平坦であり、かつ、最小極周波数と最大極周波数の間の周波数領域では、周波数に対して負の傾き部分を少なくとも一つ含むフィルター特性を有する帰還回路を具備するように構成する。
Abstract translation: 提供了跨阻放大器,用于解决峰值和接地电感引起的特性劣化问题,并获得高增益和宽带宽。 跨阻放大器是具有两个或更多个极性频率并且具有相对于频率区域中的频率平坦的滤波器特性的反馈电路,其频率区域小于或等于极坐标频率之间的最小极坐标频率,并且相对于频率是平坦的 在频率区域中,极坐标频率之中的极坐标频率的极大值以上,并且包括相对于最小极坐标频率与最大极坐标频率之间的频率区域的频率的至少一个负斜率部分。
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