Invention Application
- Patent Title: HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTS
- Patent Title (English): Semiconductor component and method for producing a semiconductor component
- Patent Title (中): 半导体部件和方法的半导体元件
-
Application No.: PCT/EP2016/071694Application Date: 2016-09-14
-
Publication No.: WO2017050617A1Publication Date: 2017-03-30
- Inventor: PERZLMAIER, Korbinian , LEIRER, Christian
- Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
- Applicant Address: Leibnizstr. 4 93055 Regensburg DE
- Assignee: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
- Current Assignee: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
- Current Assignee Address: Leibnizstr. 4 93055 Regensburg DE
- Agency: ZUSAMMENSCHLUSS NR. 175 - EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH
- Priority: DE10 20150921
- Main IPC: H01L33/00
- IPC: H01L33/00 ; H01L33/44 ; H01L33/48 ; H01L33/54 ; H01L33/62
Abstract:
Es wird ein Halbleiterbauelement angegeben, mit -einem Halbleiterchip (10), der einen Halbleiterkörper (1) mit einem aktiven Bereich (12) und einen Träger (3) mit einem ersten Leiterkörper (31), einem zweiten Leiterkörper (32) und einem ersten Formkörper (33) umfasst, und –einem zweiten Formkörper (5), wobei –der zweite Formkörper (5) den Halbleiterchip (10) in lateralen Richtungen (L) vollständig umgibt, –der Halbleiterchip (10) den zweiten Formkörper (5) in einer vertikalen Richtung (V) vollständig durchdringt, -eine Oberseite und eine Unterseite des Halbleiterchips (10) zumindest stellenweise frei vom zweiten Formköper (5) sind, -der Träger (3) mechanisch mit dem Halbleiterkörper (2) verbunden ist, -der aktive Bereich (12) elektrisch leitend mit dem ersten Leiterkörper (31) und dem zweiten Leiterkörper (32) verbunden ist, -der zweite Formkörper (5) direkt an den Träger (3) und den Halbleiterkörper (1) grenzt.
Information query
IPC分类: