公开(公告)号：WO2018220058A1

公开(公告)日：2018-12-06

申请号：PCT/EP2018/064266

申请日：2018-05-30

Applicant: TDK ELECTRONICS AG

Inventor： KÖSTNER, Stefan ,  OISHI, Masahiro ,  RINNER, Franz

IPC: H05K1/16 ,  H01M2/10 ,  H01M10/42 ,  H05K1/18 ,  H01M6/18 ,  H01M6/40

Abstract: Es wird eine Leiterplatte (LP) mit verbesserter Stromversorgung angegeben. Die Leiterplatte umfasst ein Trägersubstrat (TS) und einen Energiespeicher (ES, B1) mit einem Festkörper-Elektrolyt (E).

公开(公告)号：WO2018197430A1

公开(公告)日：2018-11-01

申请号：PCT/EP2018/060374

申请日：2018-04-23

Applicant: TDK ELECTRONICS AG

Inventor： BOBERT, Peter

IPC: H01H1/50 ,  H01H1/20 ,  H01H47/04 ,  H01H50/54

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein Relais (1), das einen ersten Kontakt (2), einen zweiten Kontakt (3) und ein bewegliches Element (4), das in einer geschlossenen Position und in einer geöffneten Position angeordnet sein kann, aufweist, wobei das bewegliche Element (4) in der geschlossenen Position den ersten Kontakt (2) elektrisch mit dem zweiten Kontakt (3) verbindet, wobei der erste Kontakt (2) und der zweite Kontakt (3) elektrisch voneinander isoliert sind, wenn das bewegliche Element (4) in der geöffneten Position angeordnet ist, und wobei das Relais (1) zumindest einen Bimetallstreifen (13) aufweist, der dazu ausgestaltet ist, sich bei einer Temperaturerhöhung zu verformen und der derart angeordnet ist, dass der zumindest eine Bimetallstreifen (13) nach seiner Verformung das bewegliche Element (4) gegen den ersten und den zweiten Kontakt (2, 3) drückt.

公开(公告)号：WO2018188976A1

公开(公告)日：2018-10-18

申请号：PCT/EP2018/058247

申请日：2018-03-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KUA, Jackson Jia Ping ,  ECKERT, Tilman ,  LINKOV, Alexander

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/56 ,  H01L33/48

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement (100) umfassend einen Halbleiterchip (2) angegeben, der dazu eingerichtet ist,eine elektromagnetische Strahlung zu emittieren. Der Halbleiterchip (2) weist eine Strahlungsaustrittsfläche (A) auf und über der Strahlungsaustrittsfläche (A) ist eine Schutzschicht (5) angeordnet. Die Schutzschicht (5) umfasst - zumindest eine erste Schicht (5a) umfassend ein Aluminiumoxid und zumindest eine zweite Schicht (5b) umfassend ein Siliziumoxid, - zumindest eine erste Schicht (5a) umfassend ein Aluminiumoxid und zumindest eine dritte Schicht (5c) umfassend ein Titanoxid oder - zumindest eine zweite Schicht (5b) umfassend ein Siliziumoxid und zumindest eine dritte Schicht (5c) umfassend ein Titanoxid.

公开(公告)号：WO2018177764A1

公开(公告)日：2018-10-04

申请号：PCT/EP2018/056558

申请日：2018-03-15

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： DRAGO, Massimo ,  FREY, Alexander ,  HERTKORN, Joachim

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32

Abstract: Das Verfahren ist zur Herstellung von Leuchtdiodenchips eingerichtet und weist die folgenden Schritte auf: A) Bereitstellen eines Aufwachssubstrats (1), C) Erzeugen einer Strukturschicht (3), insbesondere mit einer Vielzahl von pyramidenförmigen Strukturelementen (33), wobei die Strukturschicht (3) aus A1 x1 Ga 1 - x1-y1 In y1 N ist mit yl ≥ 0,5, D) Erzeugen einer Deckschicht (4) auf der Strukturschicht (3), wobei die Deckschicht (4) die Strukturschicht (3) formtreu nachformt und aus A1 x2 Ga 1-x2-y2 In y2 N ist mit x2 ≥ 0, 6, E) Erzeugen einer Planarisierungsschicht (5) auf der Deckschicht (4), wobei eine dem Aufwachssubstrat (1) abgewandte Seite der fertigen Planarisierungsschicht (5) eben ist und die Planarisierungsschicht (5) aus A1 x3 Ga 1-x3-y3 ln y3 N ist mit x3 + y3 ≥ 0,2, und F) Wachsen einer Funktionsschichtenfolge (7) zur Strahlungserzeugung auf der Planarisierungsschicht (5).

公开(公告)号：WO2018172255A1

公开(公告)日：2018-09-27

申请号：PCT/EP2018/056837

申请日：2018-03-19

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BRICK, Peter ,  HALBRITTER, Hubert ,  PERÄLÄ, Mikko

IPC: H01L25/075 ,  G09F9/33 ,  H01L27/15 ,  H01L33/50 ,  H01L33/58

Abstract: Es wird eine Anzeigevorrichtung mit einer Mehrzahl von Bildpunkten (1) und mit zumindest einem optoelektronischen Halbleiterbauelement (7) angegeben, wobei - jeder Bildpunkt zumindest einen ersten Subbildpunkt (21) für die Erzeugung von Strahlung in einem ersten Spektralbereich (921) und einen zweiten Subbildpunkt (22) für die Erzeugung von Strahlung in einem vom ersten Spektralbereich verschiedenen zweiten Spektralbereich (922) aufweist; - den ersten und zweiten Subbildpunkten jeweils ein zur Erzeugung einer Primärstrahlung vorgesehener aktiver Bereich (70) des Halbleiterbauelements zugeordnet ist, - zumindest einigen der aktiven Bereiche ein Strahlungskonversionselement (5) nachgeordnet ist, wobei das Strahlungskonversionselement im Betrieb der Anzeigevorrichtung die Primärstrahlung zumindest teilweise in eine Sekundärstrahlung umwandelt und das Strahlungskonversionselement die Sekundärstrahlung engwinklig abstrahlt.

公开(公告)号：WO2018065251A1

公开(公告)日：2018-04-12

申请号：PCT/EP2017/074231

申请日：2017-09-25

Applicant: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E. V.

Inventor： NAUJOK, Philipp ,  YULIN, Sergiy ,  KAISER, Norbert

IPC: G02B5/08 ,  G21K1/06

Abstract: Es wird ein Multilayer-Spiegel (10) für EUV-Strahlung beschrieben, der eine Schichtenfolge (5) mit einer Vielzahl von abwechselnden ersten Schichten (1) und zweiten Schichten (2) aufweist, wobei die ersten Schichten (1) Lanthan oder eine Lanthanverbindung aufweisen, und die zweiten Schichten (2) Bor aufweisen. Die zweiten Schichten (2) sind mit Kohlenstoff dotiert, wobei der Stoffmengenanteil von Kohlenstoff in den zweiten Schichten (2) 10 % oder weniger beträgt. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung des Multilayer-Spiegels (10) beschrieben.

Abstract translation:

这是导航用途描述řEUV辐射的多层反射镜（10），其具有（5），具有多个交替的第一层（1）和第二层的层序列（2），其特征在于 第一层（1）包含镧或镧化合物，并且第二层（2）包含硼。 第二层（2）掺杂有碳，第二层（2）中碳的摩尔分数为10％或更少。 此外，描述了用于制造多层反射镜（10）的方法。

公开(公告)号：WO2018024549A1

公开(公告)日：2018-02-08

申请号：PCT/EP2017/068786

申请日：2017-07-25

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SPECHT, Holger ,  ZEISEL, Roland ,  VOGL, Anton ,  EBBECKE, Jens

IPC: G01R31/311

CPC classification number: H01L22/12 ,  G01R31/2601 ,  G01R31/2656 ,  G01R31/311

Abstract: Es werden ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Vermessung einer Vielzahl an Halbleiterchips (10) in einem Waferverbund (100) angegeben. Bei dem Verfahren wird der Waferverbund auf einem elektrisch leitfähigen Träger (400) angeordnet, so dass jeweils ein Rückkontakt (101) der Halbleiterchips durch den Träger kontaktiert wird. Eine Kontaktstruktur (200),die ein Kontaktelement und/oder eine Vielzahl an strahlungsemittierenden Messhalbleiterchips (20) umfasst, wird auf einer dem Träger abgewandten Seite der Halbleiterchips angeordnet. Schließlich wirdeine Spannung zwischen der Kontaktstruktur und dem Träger angelegt und eine Vermessung der Halbleiterchips abhängig von einem Leuchtbild durchgeführt, welches durch emittierte Strahlung generiert wird, die durch Fluoreszenz bei Beleuchtung der Halbleiterchips oder durch einen strahlungsemittierenden Betrieb der Messhalbleiterchips beim Anlegen der Spannung gleichzeitig hervorgerufen wird. Das Leuchtbild weist eine Vielzahl an Leuchtpunkten auf, wobei jeder Leuchtpunkt genau einem der Halbleiterchips eindeutig zugeordnet ist.

Abstract translation: 指定了用于测量晶片复合物（100）中的多个半导体芯片（10）的方法和设备。 在该方法中，晶片复合体被放置在导电载体（400）上，使得半导体芯片的每个背接触部（101）与载体接触。 包括接触元件和/或多个发射辐射的测量半导体芯片（20）的接触结构（200）布置在半导体芯片的背离佩戴者的一侧上。 CLOSE巫妖是接触结构和Tr的AUML亨特施加和半导体芯片的发光图像的依赖性BEAR ngig进行导航使用HRT，这是由在所述半导体芯片的照明用荧光发射的辐射或由测量的半导体芯片的发射辐射的操作而产生的测量之间的电压 当电压同时施加时。 发光图像具有多个发光点，每个发光点唯一地分配给其中一个半导体芯片。

公开(公告)号：WO2018007151A1

公开(公告)日：2018-01-11

申请号：PCT/EP2017/065286

申请日：2017-06-21

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： OTTO, Isabel ,  RODE, Patrick

IPC: H01L33/20 ,  H01L25/075 ,  H01L21/78 ,  H01L33/00

Abstract: Es wird ein Halbleiterchip (100) mit einem Substrat (10) und einer auf dem Substrat (10) aufgebrachten Halbleiterschicht (2) angegeben, wobei das Substrat (10) an einer der Halbleiterschicht (2) zugewandten Seite eine Oberseite (11) mit einer Breite B1 in einer ersten lateralen Richtung (91) und an einer der Oberseite (11) gegenüberliegenden Seite eine Unterseite (13) mit einer Breite B3 in der ersten lateralen Richtung (91) aufweist, das Substrat (10) auf halber Höhe (12) zwischen der Oberseite (11) und der Unterseite (13) eine Breite B2 in der ersten lateralen Richtung (91) aufweist, für die Breiten B1, B2 und B3 gilt: B1 - B2 B3. Weiterhin werden ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterchips sowie eine Vorrichtung mit einer Mehrzahl von Halbleiterchips angegeben.

Abstract translation: 提供具有衬底（10）和施加到衬底（10）的半导体层（2）的半导体芯片（100），其中衬底（10）面向半导体层（2）中的一个上， 在第一横向方向（91）上和在上侧（11）相对侧中的一个上的具有宽度B1的上侧（11）具有在第一侧向方向（91）上具有宽度B3的底部（13） 在顶部（11）和底部（13）之间的半高度（12）处的衬底（10）在第一横向方向（91）上具有宽度B2，适用于宽度B1，B2和B3：B1 - B2＆lt; B2-B3和B1≥B2> B3。 此外，指定了用于制造半导体芯片的方法和具有多个半导体芯片的器件

公开(公告)号：WO2017191051A1

公开(公告)日：2017-11-09

申请号：PCT/EP2017/060210

申请日：2017-04-28

Applicant: SCHREINER GROUP GMBH & CO. KG

Inventor： WALTER, Mark

IPC: G09F3/00 ,  G09F3/03 ,  G09F3/02

CPC classification number: G09F3/0291 ,  G09F3/0341 ,  G09F2003/0255 ,  G09F2003/0257 ,  G09F2003/0276

Abstract: Ein Folienaufbau (100) mit Schutz vor Manipulation umfasst eine Oberfolie (10), eine la- serbeschriftbare Schicht (20), die auf der Unterseite (U10) der Oberfolie (10) angeordnet ist, sowie eine Unterfolie (40) und eine Verbindungsschicht (30) zum Verbinden der Unterfolie (40) mit der Oberfolie (10) und der laserbeschriftbaren Schicht (20). Die Verbindungsschicht (30) ist zwischen der laserbeschriftbaren Schicht (20) und der Unterfolie (40) angeordnet. Der Folienaufbau (100) weist einen beschrifteten Bereich (101) und einen un- beschrifteten Bereich (102) auf. Die Oberfolie (10) ist in dem beschrifteten Bereich (101) des Folienaufbaus mit der Unterfolie (40) verschmolzen. Dadurch ist es bei einem Manipulationsversuch nahezu unmöglich, die Oberfolie (10) zerstörungsfrei mit der beschrifteten Schicht (20) von der Unterfolie (40) zu trennen.

Abstract translation:

一种薄膜结构（100）与针对操纵保护包括上膜（10），在顶部薄膜的下侧（U10）一个LA-serbeschriftbare层（20）（10）布置，和一个 子膜（40）和用于连接下膜（40）与上膜（10）和激光可写层（20）的连接层（30）。 结合层（30）布置在激光可记录层（20）和下部膜（40）之间。 膜结构（100）具有标记区域（101）和未标记区域（102）。 上膜（10）与下膜（40）熔合在膜结构的标记区域（101）中。 由此，它是在一个篡改企图几乎UNM＆ouml;类似于破坏＆OUML上层膜（10）;大致自由地与下部膜（40）的标签层（20）以分离。

公开(公告)号：WO2017186758A1

公开(公告)日：2017-11-02

申请号：PCT/EP2017/059863

申请日：2017-04-26

Applicant: EPCOS AG ,  ROBERT BOSCH GMBH

Inventor： GALLER, Martin ,  PUCHLEITNER, Roman ,  RAJAPURKAR, Aditya

IPC: H01G4/232 ,  H01L41/293

Abstract: Ein Vielschichtbauelement (1), insbesondere ein Drucksensor, weist einen Grundkörper (2) mit einer Vielzahl von keramischen Schichten (3) und Innenelektroden (4, 5) auf. Das Vielschichtbauelement (1) weist Außenelektroden (6, 7) zur Kontaktierung der Innenelektroden (4, 5) auf, wobei sich die Außenelektroden (6, 7) zur Kenntlichmachung ihrer Polarität in ihren Abmessungen und/oder in ihren Anordnungen auf dem Grundkörper (2) unterscheiden.

Abstract translation:

甲多层器件（1），特别是压力传感器，具有求＆OUML;（2）具有多个陶瓷层（3）和内部电极的主体（4，5）。 多层器件（1）包含Au ROAD enelektroden（6,7），用于接触所述内部电极（4，5），其特征在于，在Au ROAD enelektroden（6,7），用于在它们的尺寸其极性熊T的鉴定和/或在它们的 区分基体（2）上的安排。