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WO2022049063A2 CVD-REAKTOR MIT TEMPERIERBAREM GASEINLASSBEREICH 审中-公开

CVD-REAKTOR MIT TEMPERIERBAREM GASEINLASSBEREICH
Abstract:
Die Erfindung betrifft einen CVD-Reaktor mit einem in einem Reaktorgehäuse angeordneten Suszeptor (2), der einen Boden einer Prozesskammer (1) bildet, einem Gaseinlassorgan (3), welches mindestens einen Gaseinlassbereich (4, 4') aufweist, mit einer unterhalb des Suszeptors (2) angeordneten Heizeinrichtung (6) zur Erzeugung eines Temperaturunterschiedes zwischen dem Grundkörper (7) und einer Prozesskammerdecke (15), mit mehreren vom Gaseinlassorgan (3) in einer Strömungsrichtung beabstandeten Substratträgern (12), jeweils zur Aufnahme von zu beschichtenden Substraten (14) und mit mehreren zwischen dem Gaseinlassorgan (3) und den Substratträgern (12) angeordneten Vorlaufzonenplatten (10), wobei eine Vorlaufzonentemperatur jeweils der zur Prozesskammer (1) weisenden Oberfläche der Vorlaufzonenplatte (10) durch die Auswahl oder Einstellung jeweils eines Wärmeübertragungsmittels (11) einstellbar sind. Zur Individualisierung der Vorlaufzonentemperatur können die Vorlaufzonenplatten (10) gegen andere Vorlaufzonenplatten (10) mit anderen Wärmeübertragungseigenschaften ausgetauscht werden.
Abstract(English):

The invention relates to a CVD reactor with a susceptor (2), which is arranged in a reactor housing and forms a floor of a process chamber (1), with a gas inlet member (3), which has at least one gas inlet region (4, 4'), with a heating device (6), which is arranged under the susceptor (2) and is intended for producing a difference in temperature between the main body (7) and a process chamber ceiling (15), with a number of substrate carriers (12), which are at a distance from the gas inlet member (3) in a direction of flow and are intended for each receiving substrates (14) to be coated, and with a number of flow zone plates (10), which are arranged between the gas inlet member (3) and the substrate carriers (12), wherein a flow zone temperature of that surface of the flow zone plate (10) which faces the process chamber (1) in each case can be set by respectively selecting or setting a heat transfer medium (11). For individualizing the flow zone temperature, the flow zone plates (10) can be exchanged for other flow zone plates (10) with different flow transfer properties.

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