公开(公告)号：WO2023274598A1

公开(公告)日：2023-01-05

申请号：PCT/EP2022/059333

申请日：2022-04-07

Applicant: SINGULUS TECHNOLOGIES AG

Inventor： DIPPELL, Torsten ,  HÜBNER, Simon ,  KEMPF, Stefan ,  NOVAK, Emmerich Manfred ,  REISING, Michael ,  ROHRMANN, Reiner

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/673 ,  C23C14/50 ,  H01L21/677 ,  H01L21/6734 ,  H01L21/67754 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68771

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft einen Substratträger zur Aufnahme und zum Transport mehrerer Substrate.

公开(公告)号：WO2023274596A1

公开(公告)日：2023-01-05

申请号：PCT/EP2022/059201

申请日：2022-04-07

Applicant: SINGULUS TECHNOLOGIES AG

Inventor： DIPL. ING. KEMPF, Stefan ,  EMMERICH, Manfred Novak ,  DIPL. ING. REISIG, Michael ,  DR. RICHTER, Johannes

IPC: H01L21/673 ,  C23C16/458 ,  C23C14/50 ,  H01L21/687 ,  C23C16/4583 ,  H01L21/67754 ,  H01L21/68771

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft einen Substratträger zur Aufnahme und zum Transport mehrerer Substrate.

公开(公告)号：WO2022010755A1

公开(公告)日：2022-01-13

申请号：PCT/US2021/040223

申请日：2021-07-02

Applicant: APPLIED MATERIALS, INC.

Inventor： LI, Jian ,  HAMMOND, Edward, P. ,  KALSEKAR, Viren ,  BANGALORE, Vidyadharan Srinivasa Murthy ,  ROCHA-ALVAREZ, Juan Carlos

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67313 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L21/68792

Abstract: Exemplary substrate support assemblies may include a platen characterized by a first surface configured to support a semiconductor substrate. The assemblies may include a first stem section coupled with a second surface of the platen opposite the first surface of the platen. The assemblies may include a second stem section coupled with the first stem section. The second stem section may include a housing and a rod holder disposed within the housing. The second stem section may include a connector seated within the rod holder at a first end of the connector. The second stem section may include a heater rod disposed within the first end of the connector and a heater extension rod coupled with the connector at a second end of the connector. The second stem section may include an RF rod and an RF strap coupling the RF rod with an RF extension rod.

公开(公告)号：WO2022010554A1

公开(公告)日：2022-01-13

申请号：PCT/US2021/026748

申请日：2021-04-10

Applicant: APPLIED MATERIALS, INC.

Inventor： PRASAD, Bhaskar ,  SAVANDAIAH, Kirankumar Neelasandra ,  YEDLA, Srinivasa Rao ,  SATYAVOLU, Nitin Bharadwaj ,  BREZOCZKY, Thomas

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  C23C14/56 ,  C23C16/54 ,  B65G47/907 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/68707 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L21/68785

Abstract: A transfer apparatus for use in a multiple processing region system is disclosed that includes a carousel that includes a hub having a plurality of transfer arms extending therefrom. Each of the transfer arms include a first end coupled to the hub and a second end, the second end comprising a component supporting region, and a plurality of electrical interface connections distributed about the component supporting region.

公开(公告)号：WO2022002848A2

公开(公告)日：2022-01-06

申请号：PCT/EP2021/067689

申请日：2021-06-28

Applicant: AIXTRON SE

Inventor： RUDA Y WITT, Francisco ,  KOLLBERG, Marcel ,  QUARTIER, Georg ,  RAUF, Hendrik ,  CREMER, Stefan

IPC: C23C16/458 ,  H01L21/677 ,  C23C14/50 ,  C23C16/46 ,  H01L21/687 ,  C23C16/4585 ,  H01L21/67754 ,  H01L21/68721 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68771

Abstract: Die Erfindung betrifft einen Transportring zum Transportieren eines Substrates (21), aufweisend einen sich um eine Achse (A) erstreckenden ringförmigen Körper (1) mit einem ringförmigen Unterteil (2), wobei das Unterteil (2) einen Außenabschnitt (6) und radial innerhalb des Außenabschnitts (6) eine Auflagefläche (5) zur Auflage eines Randes des Substrates (21) aufweist, wobei der Außenabschnitt (6) mit Distanzmitteln (7, 7') ein ringförmiges Oberteil (3) trägt, das gegenüber einem radial äußeren Bereich des Außenabschnittes (6) in einer Richtung parallel zur Achse (A) um einen Abstand (D) beabstandet ist. Erfindungsgemäß werden die Distanzmittel (7, 7') von in Umfangsrichtung um die Achse (A) voneinander beanstandeten Einzelstegen gebildet, zwischen denen sich ein beidseitig offener Spalt ausbildet. Die Fertigung der Einzelstege erfolgt beispielsweise durch Drahterosion.

公开(公告)号：WO2023057542A1

公开(公告)日：2023-04-13

申请号：PCT/EP2022/077767

申请日：2022-10-06

Applicant: AIXTRON SE

Inventor： HOLZWARTH, Jared Lee ,  KOLLBERG, Marcel ,  MUKINOVIC, Merim ,  STRAUCH, Stephan

IPC: C23C16/32 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46 ,  C30B25/10 ,  C30B25/12 ,  H01L21/687 ,  C23C16/325 ,  C23C16/45508 ,  C23C16/4558 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/4586 ,  C30B29/36 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

Abstract: Die Erfindung betrifft einen in einem CVD-Reaktor angeordneten Tragring (20), der Teil einer Lageranordnung zur Lagerung eines Substrates (10) ist, die oberhalb eines Suszeptors angeordnet ist, und vom Suszeptor mit Wärme versorgt wird, wobei wesentlich ist, dass die Wärme über einen Ringsteg (33) des Tragrings (20) vom Suszeptor zu einem radial äußeren Bereich (21) oder zu einem radial inneren Bereich (22) des Tragrings (20) übertragen wird.

公开(公告)号：WO2021144161A1

公开(公告)日：2021-07-22

申请号：PCT/EP2021/050038

申请日：2021-01-05

Applicant: AIXTRON SE

Inventor： BUTTITTA, Francesco ,  MICCOLI, Ilio ,  KRÜCKEN, Wilhelm Josef Thomas

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46 ,  H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/45508 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/4558 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/4586 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung, bei der in einem Reaktorgehäuse (1) ein Gaseinlassorgan (5), ein eine Prozesskammer (8) nach unten begrenzender Suszeptor, eine den Suszeptor (2) heizende Heizeinrichtung (6) und eine die Prozesskammer (8) nach oben begrenzende Prozesskammerdecke (7) angeordnet sind, wobei der Suszeptor (2) eine Substratlagerzone (5) zur Aufnahme eines zu beschichtenden Substrates (4) ausbildet und auf einem zwischen dem Gaseinlassorgan (5) und der Substratlagerzone (S) angeordneten Bereich des Suszeptors (2) eine Vorlaufzonenplatte (10) derart aufliegt, dass zwischen Oberseite (2') des Suszeptors (2) und Unterseite (10') der Vorlaufzonenplatte (10) ein Freiraum (12, 13) verbleibt, in dem sich eine Zusatzplatte (11) befindet. Die Erfindung betrifft darüber hinaus ein Verfahren zum Abscheiden von III-V-Halbleiterschichten. Um die Parameter, die bei optoelektronischen Bauelementen deren Wellenlängen beeinflussen, in einem engen Toleranzbereich zu halten, wird eine verdoppelte Vorlaufzonenplatte (10, 11) vorgeschlagen, sodass die Temperatur der Vorlaufzone um 10 bis 40°C geringer ist, als die Substrattemperatur.

公开(公告)号：WO2021140078A1

公开(公告)日：2021-07-15

申请号：PCT/EP2021/050037

申请日：2021-01-05

Applicant: AIXTRON SE

Inventor： LEIERS, Ralf

IPC: C23C16/458 ,  C23C16/46 ,  H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/4586 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

Abstract: Die Erfindung betrifft einen CVD-Reaktor und ein Verfahren zur Steuerung/Regelung der Oberflächentemperatur von darin angeordneten Substraten, die auf Substrathalteelementen (3) liegen, welche beispielsweise von einem dynamischen Gaspolster (7) getragen werden, wobei nacheinander jeweils einem Substrathalteelement (3) zugeordnete Ist-Werte (Tn) der Oberflächentemperaturen gemessen werden und die Oberflächentemperaturen durch Variation der Höhe der Gaspolster (7) auf einen gemeinsamen Wert geregelt werden. Erfindungsgemäß wird vorgeschlagen, dass nach jeder Messung eines einem Substrathalteelement (3) zugeordneten gemessenen Ist-Wertes (Tn) der Oberflächentemperatur unter Verwendung jeweils nur des zuletzt gemessenen IstWertes (Tn) der Oberflächentemperatur jedes Substrathalteelementes (3) ein erster Mittel-Wert (MT) berechnet wird, durch Bildung einer Differenz des bei der Messung gemessenen Ist-Wertes (Tn) und dem ersten Mittel-Wert (MT) ein dem Substrathalteelement (3) zugeordneter Differenz-Wert (dTn) berechnet wird, und zu jedem der anderen Substrathalteelemente (3) jeweils durch Addition des zugeordneten Differenz-Wertes (dTn) zum ersten Mittel-Wert (MT) ein approximierter Ist-Wert (Tn') berechnet wird, der für die Steuerung/Regelung verwendet wird.

公开(公告)号：WO2022049063A2

公开(公告)日：2022-03-10

申请号：PCT/EP2021/074000

申请日：2021-08-31

Applicant: AIXTRON SE

Inventor： HENS, Philip

IPC: C23C16/32 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/48 ,  C30B25/10 ,  C30B25/12 ,  H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  C23C16/325 ,  C23C16/45508 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/483 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

Abstract: Die Erfindung betrifft einen CVD-Reaktor mit einem in einem Reaktorgehäuse angeordneten Suszeptor (2), der einen Boden einer Prozesskammer (1) bildet, einem Gaseinlassorgan (3), welches mindestens einen Gaseinlassbereich (4, 4') aufweist, mit einer unterhalb des Suszeptors (2) angeordneten Heizeinrichtung (6) zur Erzeugung eines Temperaturunterschiedes zwischen dem Grundkörper (7) und einer Prozesskammerdecke (15), mit mehreren vom Gaseinlassorgan (3) in einer Strömungsrichtung beabstandeten Substratträgern (12), jeweils zur Aufnahme von zu beschichtenden Substraten (14) und mit mehreren zwischen dem Gaseinlassorgan (3) und den Substratträgern (12) angeordneten Vorlaufzonenplatten (10), wobei eine Vorlaufzonentemperatur jeweils der zur Prozesskammer (1) weisenden Oberfläche der Vorlaufzonenplatte (10) durch die Auswahl oder Einstellung jeweils eines Wärmeübertragungsmittels (11) einstellbar sind. Zur Individualisierung der Vorlaufzonentemperatur können die Vorlaufzonenplatten (10) gegen andere Vorlaufzonenplatten (10) mit anderen Wärmeübertragungseigenschaften ausgetauscht werden.

公开(公告)号：WO2022010553A1

公开(公告)日：2022-01-13

申请号：PCT/US2021/026712

申请日：2021-04-09

Applicant: APPLIED MATERIALS, INC.

Inventor： SAVANDAIAH, Kirankumar Neelasandra ,  YEDLA, Srinivasa Rao ,  BREZOCZKY, Thomas

IPC: C23C16/455 ,  C23C14/35 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/67751 ,  H01L21/67766 ,  H01L21/68707 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L21/68785

Abstract: Embodiments disclosed herein include a substrate processing module and a method of moving a workpiece. The substrate processing module includes a shutter stack and two process stations. The shutter stack is disposed between the process stations. The method of moving a workpiece includes moving a supporting portion from a first location to a shutter stack in a first direction, retrieving the workpiece from the shutter stack, and moving the supporting portion to a second location. The transfer chamber assembly and method allows for moving workpieces to and from the shutter stack to the two process stations. A central transfer robot of the substrate processing module is configured to grip both substrates and shutter discs, allowing for one robot when typically two robots would be required.