公开(公告)号：CN103337498B

公开(公告)日：2017-02-08

申请号：CN201310213004.3

申请日：2013-05-31

申请人： 深圳市联德合微电子有限公司

发明人： 乔明 ,  李燕妃 ,  许琬 ,  陈涛 ,  张波

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L21/8249

摘要： 本发明涉及一种BCD半导体器件极其实现方法，包括高压nLIGBT器件（1）、第一类高压nLDMOS器件（2）、第二类高压nLDMOS器件（3）、第三类高压nLDMOS器件（4）、低压NMOS器件（5）、低压PMOS器件（6）和低压NPN器件（7）；所述在高压nLIGBT器件（1）和第一类高压nLDMOS（2）的n型漂移区阱21、22）中分别引入n型重掺杂层（201、202）；p型降场层（301、302）分别位于n型重掺杂层（201、202）的下方、被n型漂移区阱（21、22）包围。实现了在相同芯片面积的情况下具有更小的导通电阻（或在相同的导通能力的情况下具有更小的芯片面积）。且其制造方法简单，工艺难度相对较低。

公开(公告)号：CN102097484B

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201110005812.1

申请日：2011-01-12

申请人： 深圳市联德合微电子有限公司

发明人： 毛焜

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

摘要： 本发明公开了一种多通道LDMOS及其制备方法。一种多通道LDMOS，包括位于衬底1中的源区5、漏区6、栅介质层10、场氧化层11、金属前介质12、漂移区2、衬底阱接触区4、衬底阱7、源极金属8和漏极金属9，所述衬底阱7与所述漂移区2间无间隔，所述漂移区2的导电类型与所述多通道LDMOS的沟道导电类型相同，所述衬底阱7的导电类型与所述多通道LDMOS的沟道导电类型相反，还包括埋层条阵列，所述埋层条阵列包括至少一排横向排布的多个第一埋层条3A，所述埋层条阵列位于所述场氧化层11下方、被所述漂移区2包围且距离所述场氧化层11一段距离，所述第一埋层条3A的导电类型与所述多通道LDMOS的沟道导电类型相反。本发明有效降低了LDMOS晶体管的导通电阻。

公开(公告)号：CN102413354A

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN201110294106.3

申请日：2011-10-05

申请人： 深圳市联德合微电子有限公司 ,  华南理工大学

发明人： 吴元 ,  黄茜

IPC分类号： H04N17/00

摘要： 本发明提供了一种手机摄像模组自动光学检测方法、装置及系统，该方法包括以下步骤：a：将手机摄像模组与控制电脑连接，读入其拍摄的测试图片；b：根据测试图片，判断该手机摄像模组是否存在重度花屏，如果不存在，进入步骤c；否则，判断为不合格品；c：控制电脑发出白板置位的指令给控制电路，使白板置于拍摄位置，拍摄一张白板图像；d：读入白板图像后通过轻微花屏检测模块判断该手机摄像模组不存在轻微花屏，然后基于上述白板图像，通过脏污检测模块进行镜头脏污检测，如果不存在脏污，则为合格品。本发明可以对手机摄像模组可能出现的重度花屏、轻微花屏、脏污进行自动检测，且具有准确、可靠、检测效率高等优点。

公开(公告)号：CN101340755B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200810142369.0

申请日：2008-08-12

申请人： 深圳市联德合微电子有限公司

发明人： 周咏 ,  钟昌贤 ,  陈志军

IPC分类号： H05B37/00 ,  H05B37/02 ,  F21V23/00 ,  F21Y101/02

CPC分类号： Y02B20/42

摘要： 本发明涉及一种可防止过冲的发光二极管高速驱动电路，包括为所述发光二极管提供工作电流的恒定电流源、连接在所述发光二极管与恒定电流源之间的输出调整管以及与所述输出调整管形成有源共源共栅结构的运算放大器，所述驱动电路还包括受所述恒定电流源的电流控制且输出端连接到所述输出调整管控制端的开启加速电路。在发光二极管驱动电路中使用辅助开关以加速开启过程时，常规发光二极管恒流驱动电路响应速度会比较慢且不稳定。实施本发明，能缩短流过发光二极管电流的上升时间，加速发光二极管导通，并有效抑制过冲电流。

公开(公告)号：CN101377688B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200810216484.8

申请日：2008-10-06

申请人： 深圳市联德合微电子有限公司

发明人： 陈志军 ,  魏新 ,  张波

IPC分类号： G05F1/56

摘要： 本发明涉及一种内部电源电路，包括输出级电路，其还包括与所述输出级电路连接的稳压补偿电路，其中所述稳压补偿电路包括与所述输出级电路连接的两个或多个并联的齐纳管串联单元以及与所述并联的两个或多个齐纳管串联单元串联、用于温度补偿的二极管串联单元。在现有的内部电源电路中，齐纳管的寄生电阻较大并且具有较大的温度系数，这两个因素都会导致在外部电源电压大范围变化时，输出电压也会有较大的变化。本发明增加了一个由齐纳管串联单元和二极管串联单元串联组成的稳压补偿通路，从而减小了齐纳管寄生电阻对输出电压的影响，同时实现了温度补偿，降低了输出电压对温度的依赖性。

公开(公告)号：CN101262729B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200810066805.0

申请日：2008-04-11

申请人： 深圳市联德合微电子有限公司

发明人： 蒋自明 ,  钟昌贤 ,  陈志军 ,  赵鑫

IPC分类号： H05B37/02

摘要： 本发明涉及一种发光二极管恒流驱动电路，包括第一移位寄存器(3)、锁存器(2)和恒流输出级(1)，其还包括与所述恒流输出级(1)连接的第二移位寄存器(4)、用于控制数据的流向及控制第一移位寄存器(3)和第二移位寄存器(4)复用功能的读写控制器(5)以及通过所述读写控制器(5)将数据固化在其中的只读存储器(6)。本发明在原有的16路发光二极管恒流驱动电路结构基础上进行改进，在不添加其它输入端口的前提下实现恒流输出口的电流程控微调并可最终固化，利用数据锁存控制端LAT及时钟信号输入端DCK完成白平衡调节及其它数据的写入，同时完成串行数据输入端DAI及串行数据输出端DAO在不同模式下的引脚复用功能。

公开(公告)号：CN100576706C

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200810067182.9

申请日：2008-05-19

申请人： 深圳市联德合微电子有限公司

发明人： 陈志军 ,  张波

IPC分类号： H02M3/07

摘要： 本发明涉及一种负电压输出电荷泵，包括直流电源(U)、输入电容(C1)、输出电容(C4)、第一充电电容(C2)和第二充电电容(C3)，还包括通过导通和关断来产生第一、第二和第三这三种模式的PMOS晶体管(MP3)以及第一到第七NMOS晶体管(MN1、MN2、MN4、MN5、MN6、MN7及MN8)。本发明的负电压输出电荷泵，解决了现有技术同类芯片面积较大且效率不高的问题，通过在输出端产生比输入级低电压端更低的电压，并将原有电荷泵拓扑中的PMOS晶体管尽量换成NMOS晶体管，从而节约了更多的芯片面积，提高了在整个输入电压范围内的效率。

公开(公告)号：CN101442051A

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN200810241247.7

申请日：2008-12-15

申请人： 深圳市联德合微电子有限公司 ,  电子科技大学

发明人： 乔明 ,  罗波 ,  赵远远 ,  张波

IPC分类号： H01L27/08 ,  H01L21/822 ,  H04R3/00

摘要： 本发明涉及一种单晶型结型场效应管器件，其包括第一型杂质衬底及在第一型杂质衬底上形成的结型场效应管、泄漏电流补偿单元及正向箝位二极管单元，所述泄漏电流补偿单元及正向箝位二极管单元连接在结型场效应管的任意两极之间。为了使传声器管适应于特殊条件下的应用，还必须增添有正向箝位二极管和泄漏电流补偿器件，这样传声器才会有较好的线性度与减压特性。本发明在单晶衬底上实现结型场效应管、高阻多晶电阻、二极管的单片集成，由于没有采用外延工艺，因此芯片具有较低的成本。

公开(公告)号：CN101420219A

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200810217389.X

申请日：2008-11-19

申请人： 深圳市联德合微电子有限公司

发明人： 乔明 ,  赵磊 ,  张波

IPC分类号： H03K17/567

摘要： 本发明涉及一种采用LIGBT输出级的集成电路，其包括控制电路以及LDMOS输出级与LIGBT输出级，所述LDMOS输出级与LIGBT输出级的栅极与控制电路连接，其中在电位相同时，所述LDMOS输出级的源极与LIGBT输出级的阴极连接，所述LDMOS输出级的漏极与LIGBT输出级的阳极连接。由于LDMOS器件耐压与导通电阻之间的矛盾，使LDMOS作为集成电路输出级时，具有较大的导通电阻，增加了集成电路输出级的导通损耗。本发明采用具有电导调制效应的LIGBT输出级，降低输出级单位面积的导通电阻，提高输出级单位面积的电流能力，从而减小集成电路面积及节约芯片成本。

公开(公告)号：CN101409967A

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200810217219.1

申请日：2008-11-03

申请人： 深圳市联德合微电子有限公司

发明人： 周咏 ,  陈志军 ,  钟昌贤

IPC分类号： H05B37/02

CPC分类号： Y02B20/40

摘要： 本发明涉及一种多路LED驱动电路，包括用于提供精准电流的精准电流源(30)，用于将所述精准电流放大并复制到多路输出的多路镜像放大模块(40)，还包括用于对每一路输出进行精确调控的有源输出级(34)。实施本发明的仅以一路预设偏置电流即可驱动多路发光二极管，节省功耗，电流转换效率高；每一路输出电流都得到了单独的检测和调节，输出电流匹配精度高；有源输出级结构，输出电阻大，抗干扰能力强。