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公开(公告)号:CN112420842B
公开(公告)日:2024-12-31
申请号:CN202011299684.1
申请日:2016-01-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L27/092
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括:有源鳍,其从衬底向上突出,并且在第一方向上延伸;以及栅极结构,其在以与有源鳍交叉的第二方向上延伸,其中栅极结构的与有源鳍接触的下部的第一宽度大于栅极结构的与有源鳍间隔开的下部的第二宽度。
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公开(公告)号:CN112514083B
公开(公告)日:2024-08-13
申请号:CN201980048591.0
申请日:2019-07-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L31/05 , H01L31/0352 , H02S40/30 , H01L31/0232 , H01L31/0216
Abstract: 根据各种实施例,一种电子设备包括:聚合物,包括多个量子点;至少一个第一太阳能电池,被设置在聚合物的下部;以及至少一个第二太阳能电池,被设置在聚合物的侧部;以及电池,被配置为用来自第一太阳能电池或第二太阳能电池中的至少一个的电能进行充电,其中:第一太阳能电池在第一波段中具有大于或等于阈值的转换效率;第二太阳能电池在与第一波段不同的第二波段中具有大于或等于阈值的转换效率;并且穿过聚合物的光的波长可以在第一波段内,而被多个量子点中的至少一部分量子点吸收然后被重发射的光的波长可以在第二波段内。其他各种实施例是可能的。
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公开(公告)号:CN106024784A
公开(公告)日:2016-10-12
申请号:CN201610149440.2
申请日:2016-03-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/762
Abstract: 提供了包括场效应晶体管的半导体装置。所述半导体装置包括:第一器件隔离层,在基底上限定沿着第一方向彼此分隔开的多个有源区;第二器件隔离层,在每个有源区中限定从基底突出的有源图案,第二器件隔离层在第一方向上延伸并且在与第一方向交叉的第二方向上彼此分隔开以连接到第一器件隔离层;以及栅极结构,在有源区之间的第一器件隔离层上沿着第二方向延伸,第二器件隔离层的顶表面低于有源图案的顶表面,第一器件隔离层的顶表面高于有源图案的顶表面,并且栅极结构的底表面的至少一部分高于有源图案的顶表面。
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公开(公告)号:CN101106165A
公开(公告)日:2008-01-16
申请号:CN200710110357.5
申请日:2007-06-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01G9/2022 , B82Y10/00 , H01G9/2031 , H01L51/0048 , H01L51/0086 , H01L51/444 , Y02E10/542 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了使用载催化剂的碳纳米管的光电池及其制备方法。更具体地,所述光电池包括:光阳极、包含载有金属催化剂颗粒的碳纳米管层的阴极和布置在光阳极和阴极之间的电解液。所述光电池由于增大的接触面积和电导率,在制造成本和工艺步骤方面是节约的,且表现出提高的催化活性,得到优异的光电效应。
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公开(公告)号:CN116568881A
公开(公告)日:2023-08-08
申请号:CN202180082227.3
申请日:2021-11-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: D06F34/26
Abstract: 提供了一种电子装置和电子装置的传感器球注册方法。根据本公开的电子装置包括:通信电路;显示器;致动器;扬声器;以及控制器,电连接到通信电路、显示器、致动器和扬声器。控制器可以:进行控制使得根据传感器球注册模式选择输入通过显示器或扬声器输出第一引导消息;检查在设定时间段期间通过通信电路接收到的传感器球相关消息中包括的传感器球标识信息;进行控制使得当设定的时间段期满时,通过显示器或扬声器输出第二引导消息;以及进行控制使得在设定的时间段已经期满之后,基于从传感器球接收到的至少一条传感器球相关消息,注册与在设定的时间段期间接收到的传感器球相关消息对应的传感器球。根据本公开的电子装置的各种其它实施例也是可能的。
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公开(公告)号:CN112420842A
公开(公告)日:2021-02-26
申请号:CN202011299684.1
申请日:2016-01-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L27/092
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括:有源鳍,其从衬底向上突出,并且在第一方向上延伸;以及栅极结构,其在以与有源鳍交叉的第二方向上延伸,其中栅极结构的与有源鳍接触的下部的第一宽度大于栅极结构的与有源鳍间隔开的下部的第二宽度。
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公开(公告)号:CN107078666B
公开(公告)日:2020-06-23
申请号:CN201580059778.2
申请日:2015-09-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本文公开了能量采集器。所公开的能量采集器包括第一充电构件和第二充电构件,其中,第一充电构件包括多个第一突出部,第二充电构件包括布置在第一突出部之间的多个第二突出部,第二突出部包括与第一突出部的材料不同的材料。当第一充电构件和第二充电构件中的至少一个移动时,第一突出部的侧表面与第二突出部的侧表面彼此接触,或者第一突出部的侧表面和第二突出部的侧表面之间的间隙改变。能量采集器根据接触或间隙改变产生电能。
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公开(公告)号:CN105742355A
公开(公告)日:2016-07-06
申请号:CN201510649866.X
申请日:2015-10-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/42376 , H01L21/823431 , H01L21/823437 , H01L21/823456 , H01L27/0207 , H01L27/0886 , H01L29/0649 , H01L29/4916 , H01L29/518 , H01L29/7851 , H01L29/785 , H01L29/1033 , H01L29/42356
Abstract: 本公开提供具有填充物的半导体器件,该半导体器件包括:有源鳍,从基板突出并在第一方向上延伸;第一器件隔离区,设置在有源鳍的侧壁处并在第二方向上延伸,第二方向交叉第一方向;正常栅电极,交叉有源鳍;第一虚设栅电极,具有在第一器件隔离区上的底切部分,第一虚设栅电极在第二方向上延伸;以及第一填充物,填充第一器件隔离区上的底切部分,其中底切部分设置在第一虚设栅电极的下部分处。
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公开(公告)号:CN112514083A
公开(公告)日:2021-03-16
申请号:CN201980048591.0
申请日:2019-07-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L31/05 , H01L31/0352 , H02S40/30 , H01L31/0232 , H01L31/0216
Abstract: 根据各种实施例,一种电子设备包括:聚合物,包括多个量子点;至少一个第一太阳能电池,被设置在聚合物的下部;以及至少一个第二太阳能电池,被设置在聚合物的侧部;以及电池,被配置为用来自第一太阳能电池或第二太阳能电池中的至少一个的电能进行充电,其中:第一太阳能电池在第一波段中具有大于或等于阈值的转换效率;第二太阳能电池在与第一波段不同的第二波段中具有大于或等于阈值的转换效率;并且穿过聚合物的光的波长可以在第一波段内,而被多个量子点中的至少一部分量子点吸收然后被重发射的光的波长可以在第二波段内。其他各种实施例是可能的。
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公开(公告)号:CN110622389B
公开(公告)日:2022-06-10
申请号:CN201880032445.4
申请日:2018-05-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了电子设备,所述电子设备包括:聚合物,所述聚合物包括铁电体和布置在铁电体中的量子点;至少一个太阳能电池,被配置为通过聚合物接收光并将光转换成电能;以及电池,被配置为利用来自至少一个太阳能电池的电能充电。
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