公开(公告)号：CN106683987B

公开(公告)日：2021-11-12

申请号：CN201610962976.6

申请日：2016-10-28

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金基一 ,  朴起宽 ,  刘庭均 ,  金炯东 ,  成石铉 ,  严命允

IPC分类号： H01L21/027

摘要： 本发明提供了一种制造半导体器件的方法，该方法包括以下步骤：在衬底上形成包括真实掩模图案和伪掩模图案的多个掩模图案；去除伪掩模图案；以及利用真实掩模图案作为掩模对衬底进行蚀刻，以形成第一沟槽、第二沟槽以及由第一沟槽和第二沟槽限定的鳍式图案。接触鳍式图案的第二沟槽包括凸出并且位于第二沟槽的底表面与侧表面之间的平滑图案、位于第二沟槽的侧表面与平滑图案之间的第一凹进部分和位于凸出部分与第二沟槽的底表面之间的第二凹进部分。

公开(公告)号：CN112420842A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202011299684.1

申请日：2016-01-14

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 刘庭均 ,  严命允 ,  朴永俊 ,  李廷骁 ,  河智龙 ,  黃俊善

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L27/092

摘要： 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：有源鳍，其从衬底向上突出，并且在第一方向上延伸；以及栅极结构，其在以与有源鳍交叉的第二方向上延伸，其中栅极结构的与有源鳍接触的下部的第一宽度大于栅极结构的与有源鳍间隔开的下部的第二宽度。

公开(公告)号：CN114975350A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210090283.8

申请日：2022-01-25

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 裴德汉 ,  朴柱勋 ,  严命允 ,  李睿智 ,  郑润永

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L23/48 ,  H01L23/528

摘要： 一种半导体器件，包括：衬底，具有第一电源区、第二电源区以及单元区。所述单元区在所述第一电源区与所述第二电源区之间延伸。设置在所述单元区内并排延伸的第一有源区和第二有源区。设置在所述第一电源区内在第一方向上延伸的第一电源线路。设置连接所述第一有源区和所述第二有源区的第一源/漏接触部。设置连接所述第一有源区和所述第一电源线路的第二源/漏接触部。所述第一源/漏接触部包括：第一凹陷部，被设置在所述第一有源区与所述第二有源区之间的中间区内。

公开(公告)号：CN106684147B

公开(公告)日：2021-05-18

申请号：CN201610545881.4

申请日：2016-07-12

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 刘庭均 ,  金基一 ,  朴起宽 ,  成石铉 ,  严命允

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

摘要： 提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括具有第一沟槽的基底、位于基底上由第一沟槽限定的第一鳍图案、位于基底上的栅电极以及位于基底上的场绝缘层。第一鳍图案包括在下部上的上部。第一鳍图案包括彼此相对的第一侧壁和第二侧壁。第一侧壁沿第一鳍图案的下部为凹的。第二侧壁沿第一鳍图案的下部为倾斜的。场绝缘层围绕第一鳍图案的下部。栅电极围绕第一鳍图案的上部。

公开(公告)号：CN105990446B

公开(公告)日：2021-09-21

申请号：CN201610151295.1

申请日：2016-03-16

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 刘庭均 ,  朴世玩 ,  成百民 ,  严命允

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/423

摘要： 本发明提供了一种半导体器件。该半导体器件可包括：位于衬底上的场绝缘膜；第一鳍式图案，其形成在衬底上，并且从场绝缘膜的上表面向上突出；以及栅电极，其与场绝缘膜上的第一鳍式图案交叉。所述栅电极可包括第一部分和第二部分，所述第一部分位于第一鳍式图案的一侧上并且包括栅电极的第一终端端部，所述第二部分位于第一鳍式图案的另一侧上。从衬底至所述第一部分的最下部的高度可以不同于从衬底至所述第二部分的最下部的高度。

公开(公告)号：CN105895698B

公开(公告)日：2020-12-04

申请号：CN201610023864.4

申请日：2016-01-14

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 刘庭均 ,  严命允 ,  朴永俊 ,  李廷骁 ,  河智龙 ,  黃俊善

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/423

摘要： 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：有源鳍，其从衬底向上突出，并且在第一方向上延伸；以及栅极结构，其在以与有源鳍交叉的第二方向上延伸，其中栅极结构的与有源鳍接触的下部的第一宽度大于栅极结构的与有源鳍间隔开的下部的第二宽度。

公开(公告)号：CN106684147A

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201610545881.4

申请日：2016-07-12

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 刘庭均 ,  金基一 ,  朴起宽 ,  成石铉 ,  严命允

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L27/0886 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823431 ,  H01L27/0207 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/7853 ,  H01L29/7854 ,  H01L29/78 ,  H01L29/66795

摘要： 提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括具有第一沟槽的基底、位于基底上由第一沟槽限定的第一鳍图案、位于基底上的栅电极以及位于基底上的场绝缘层。第一鳍图案包括在下部上的上部。第一鳍图案包括彼此相对的第一侧壁和第二侧壁。第一侧壁沿第一鳍图案的下部为凹的。第二侧壁沿第一鳍图案的下部为倾斜的。场绝缘层围绕第一鳍图案的下部。栅电极围绕第一鳍图案的上部。

公开(公告)号：CN105990446A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201610151295.1

申请日：2016-03-16

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 刘庭均 ,  朴世玩 ,  成百民 ,  严命允

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/423

CPC分类号： H01L27/0886 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823456 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/1104 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7854 ,  H01L29/7856

摘要： 本发明提供了一种半导体器件。该半导体器件可包括：位于衬底上的场绝缘膜；第一鳍式图案，其形成在衬底上，并且从场绝缘膜的上表面向上突出；以及栅电极，其与场绝缘膜上的第一鳍式图案交叉。所述栅电极可包括第一部分和第二部分，所述第一部分位于第一鳍式图案的一侧上并且包括栅电极的第一终端端部，所述第二部分位于第一鳍式图案的另一侧上。从衬底至所述第一部分的最下部的高度可以不同于从衬底至所述第二部分的最下部的高度。

公开(公告)号：CN105895698A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201610023864.4

申请日：2016-01-14

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 刘庭均 ,  严命允 ,  朴永俊 ,  李廷骁 ,  河智龙 ,  黃俊善

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/423

摘要： 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：有源鳍，其从衬底向上突出，并且在第一方向上延伸；以及栅极结构，其在以与有源鳍交叉的第二方向上延伸，其中栅极结构的与有源鳍接触的下部的第一宽度大于栅极结构的与有源鳍间隔开的下部的第二宽度。

公开(公告)号：CN116995076A

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202310472914.7

申请日：2023-04-27

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 裵德汉 ,  严命允 ,  李留利 ,  林善美 ,  田俊秀

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L29/10 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423

摘要： 一种半导体器件包括：元件隔离结构，具有彼此相反的第一侧壁和第二侧壁；与第一侧壁接触并在第二方向上延伸的第一鳍形图案；与第一侧壁接触并在第二方向上延伸的第二鳍形图案；在第一鳍形图案上的第一栅电极；在第一和第二鳍形图案上并在第一栅电极和元件隔离结构之间延伸的第一源极/漏极接触；以及在第一源极/漏极接触上并连接到第一源极/漏极接触的布线结构，其中第一源极/漏极接触包括与第一和第二鳍形图案交叉的下接触区、从下接触区突出的上接触区、以及虚设接触区，布线结构接触上接触区而不接触虚设接触区。