公开(公告)号：CN102479798A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201110165818.5

申请日：2011-06-14

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 朴鲜 ,  朴钟贤 ,  李律圭 ,  金大宇

IPC: H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H01L51/52 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L27/3265 ,  H01L27/1222

Abstract: 本发明公开了一种有机发光二极管显示器及其制造方法。在有机发光二极管(OLED)显示器和制造方法中，OLED显示器包括：基底；半导体层图案，形成在基底上，并包括第一电容器电极；栅极绝缘层，覆盖半导体层图案；第一导电层图案，形成在栅极绝缘层上，并包括第二电容器电极，第二电容器电极具有与第一电容器电极叠置的至少一部分；层间绝缘层，具有暴露第二电容器电极的一部分的电容器开口，并覆盖第二电容器电极；第二导电层图案，形成在层间绝缘层上，其中，电容器开口包括与第二电容器电极平行且叠置的第一横向侧壁、与第二电容器电极平行且不叠置的第二横向侧壁以及将第一横向侧壁和第二横向侧壁彼此连接且与第一电容器电极叠置的纵向侧壁。

公开(公告)号：CN102420238A

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN201110170399.4

申请日：2011-06-20

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 李律圭 ,  朴鲜 ,  柳春基 ,  朴钟贤

IPC: H01L27/32 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L51/56 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3265

Abstract: 本发明公开了一种OLED显示器及其制造方法。OLED的制造方法包括：在基底上形成第一存储板和覆盖第一存储板的栅极绝缘层；在栅极绝缘层上顺序地形成覆盖第一存储板的第二存储板和电容器中间体；在第一存储板中通过将杂质注入到第一存储板的未被电容器中间体覆盖的部分来形成第一掺杂区；形成具有暴露电容器中间体的电容器开口的层间绝缘层，并且在所述电容器开口中在电容器中间体的朝向第一掺杂区的边缘上形成多个腐蚀防止层；去除电容器中间体和腐蚀防止层；通过第二存储板在第一存储板中注入杂质，以形成接触第一掺杂区的第二掺杂区。

公开(公告)号：CN102044568A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN201010504260.4

申请日：2010-10-11

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 姜镇熙 ,  柳春基 ,  朴鲜 ,  朴钟贤 ,  李律圭

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/04

CPC classification number: H01L29/78609 ,  H01L29/78618

Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管(TFT)及其制造方法。该TFT包括：基底；栅电极，设置在基底上；栅极绝缘层，设置在栅电极上；半导体层，设置在栅极绝缘层上并包括多晶硅(poly-Si)层；欧姆接触层，设置在半导体层的预定区域上；绝缘的中间层，设置在基底的包括欧姆接触层的基本整个表面上；源电极和漏电极，通过形成在绝缘的中间层中的接触孔电连接到欧姆接触层。阻隔层设置在半导体层与欧姆接触层之间。因此，当控制底栅式TFT的截止电流时，可以通过简单的工艺来防止因泄漏电流导致的特性的劣化。

公开(公告)号：CN102593144A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201110243903.9

申请日：2011-08-24

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 朴钟贤 ,  柳春其 ,  朴鲜 ,  李律圭 ,  文相皓

IPC: H01L27/32 ,  H01L51/56 ,  H01L51/52

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L29/66757 ,  H01L51/5215 ,  H01L2227/323

Abstract: 本发明公开了一种制造底部发射型有机发光显示装置的方法，所述方法包括：在具有晶体管区域和电容器区域的基底上形成硅层和栅极绝缘膜；在基底上形成半色调光致抗蚀剂；将硅层和栅极绝缘膜图案化；通过使半色调光致抗蚀剂经历灰化工艺以在晶体管区域上方留下一部分半色调光致抗蚀剂，来形成残留的光致抗蚀剂；通过在基底的整个区域上方施加杂质来用杂质掺杂硅层的至少一部分。

公开(公告)号：CN102110719A

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN201010579567.0

申请日：2010-12-03

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 朴钟贤 ,  柳春基 ,  朴鲜 ,  姜镇熙 ,  李律圭

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/423 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L29/42384 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78678

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管、一种包括该薄膜晶体管的显示装置和一种制造该显示装置的方法，所述薄膜晶体管包括：基底；栅电极，位于所述基底上；栅极绝缘层，位于所述栅电极上；半导体层，位于所述栅极绝缘层上；源/漏电极，与所述半导体层电连接，其中，所述栅电极具有大约至大约的厚度，所述栅极绝缘层具有大约至大约的厚度。

公开(公告)号：CN102063011A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN201010506962.6

申请日：2010-10-11

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 朴鲜 ,  柳春基 ,  朴钟贤 ,  李律圭 ,  姜镇熙

IPC: G03F1/14 ,  C30B28/02

CPC classification number: C30B29/06 ,  C23C14/048 ,  C30B1/023 ,  C30B13/22 ,  G03F1/50

Abstract: 公开了一种激光掩膜及使用该激光掩膜的连续横向固化结晶方法。在一个实施例中，所述激光掩膜包括：掩膜基板，包括：i)被配置为使光透射过去的至少一个透光部分，以及ii)多个遮光部分，由插入所述遮光部分之间的透光部分隔开。所述遮光部分被配置为挡光；并且多个突出和凹陷区域位于所述掩膜基板的遮光部分上。所述突出和凹陷区域包括交替形成的多个凹进部分和多个凸起部分。

公开(公告)号：CN102043296A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN201010222035.1

申请日：2010-07-05

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 李律圭

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/1333 ,  H01L27/02 ,  H01L21/77 ,  H01L27/32 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L27/3272 ,  G02F1/136209 ,  G02F1/136227 ,  G02F2001/133357 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1248

Abstract: 公开了平板显示装置及其制造方法。在一个实施例中，平板显示装置包括其上形成有薄膜晶体管(TFT)的基板以及形成在所述TFT与所述基板之间的阻挡层。所述阻挡层仅被布置在垂直对应于所述TFT的有源层的区域中。因此，透光率不被降低，相应地通常具有较好的装置亮度和图像质量。

公开(公告)号：CN102569343A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110414220.5

申请日：2011-12-13

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 李律圭 ,  柳春基 ,  朴鲜 ,  朴钟贤 ,  文相晧 ,  金那英

IPC: H01L27/32 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L27/1255 ,  H01L27/326 ,  H01L27/3265 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78696 ,  H01L2227/323

Abstract: 根据本发明的一方面，提供有机发光显示装置，包括：具有半导体层、栅电极、源电极及漏电极的至少一个晶体管；具有形成在与所述半导体层相同的层的第一电极、形成在与所述栅电极相同的层的第二电极、形成在与所述源电极及漏电极相同的层的第三电极的第一电容器；具有形成在与所述半导体层相同的层并且包含所掺杂的离子杂质的第一电极、形成在与所述栅电极相同的层的第二电极的第二电容器；形成在与所述栅电极相同的层并且与所述晶体管电连接的像素电极；位于所述像素电极上的发光层；以及与所述像素电极相对设置的相对电极，并且在所述相对电极和所述像素电极之间设置有所述发光层。

公开(公告)号：CN102487071A

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：CN201110305609.6

申请日：2011-10-11

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 李律圭 ,  柳春其 ,  朴鲜 ,  朴钟贤 ,  金广海

IPC: H01L27/32 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L27/1255 ,  H01L27/3276 ,  H01L29/4908

Abstract: 在有机发光显示装置及其制造方法中，有机发光显示装置的焊盘区包括突起层、焊盘下电极和焊盘上电极，所述突起层包括形成在基板上以突起的多个突起部分，所述焊盘下电极包括沿突起层的突起轮廓形成的突起部分和沿所述基板形成的平坦部分，并且所述焊盘上电极形成在所述焊盘下电极的平坦部分上。源/漏电极层形成在焊盘上电极上，有机层形成在所述源/漏电极层上，并且对电极层形成在所述焊盘下电极的突起部分和所述有机层上。所述对电极层在所述突起部分上跟随所述突起层的突起轮廓。根据这种结构，成本由于掩膜数目的减少而降低，制造工艺得以简化，并且所述焊盘区中的有机层的剥离现象得以解决。

公开(公告)号：CN102456705A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201110050250.2

申请日：2011-02-28

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 崔宝京 ,  曹圭湜 ,  文相皓 ,  崔埈厚 ,  柳春其 ,  朴鲜 ,  朴锺贤 ,  李律圭

IPC: H01L27/32 ,  H01L51/52 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L27/3262 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/3265 ,  H01L29/4908 ,  H01L51/5265

Abstract: 本发明提供有机发光显示装置，包括：缓冲层，设置于基板上，并包括折射率不同的多个绝缘膜，所述多个绝缘膜中的至少一个在同一面上形成为不同的厚度；薄膜晶体管的活性层，形成于所述缓冲层的厚度较厚的区域；像素电极，形成于所述缓冲层的厚度较薄的区域；薄膜晶体管的栅电极、源电极以及漏电极，所述栅电极隔着栅绝缘膜形成于所述活性层上，所述薄膜晶体管的源电极以及漏电极连接至所述活性层；发光层，形成于所述像素电极上；以及相对电极，隔着所述发光层与所述像素电极相对地设置。