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公开(公告)号：CN102593144A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201110243903.9
申请日：2011-08-24
Applicant: 三星移动显示器株式会社
CPC classification number: H01L27/1288 , H01L29/66757 , H01L51/5215 , H01L2227/323
Abstract: 本发明公开了一种制造底部发射型有机发光显示装置的方法，所述方法包括：在具有晶体管区域和电容器区域的基底上形成硅层和栅极绝缘膜；在基底上形成半色调光致抗蚀剂；将硅层和栅极绝缘膜图案化；通过使半色调光致抗蚀剂经历灰化工艺以在晶体管区域上方留下一部分半色调光致抗蚀剂，来形成残留的光致抗蚀剂；通过在基底的整个区域上方施加杂质来用杂质掺杂硅层的至少一部分。
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公开(公告)号：CN102110719A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN201010579567.0
申请日：2010-12-03
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/423 , H01L21/77
CPC classification number: H01L29/42384 , H01L27/12 , H01L27/1281 , H01L29/04 , H01L29/78678
Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管、一种包括该薄膜晶体管的显示装置和一种制造该显示装置的方法，所述薄膜晶体管包括：基底；栅电极，位于所述基底上；栅极绝缘层，位于所述栅电极上；半导体层，位于所述栅极绝缘层上；源/漏电极，与所述半导体层电连接，其中，所述栅电极具有大约至大约的厚度，所述栅极绝缘层具有大约至大约的厚度。
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公开(公告)号：CN102063011A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010506962.6
申请日：2010-10-11
Applicant: 三星移动显示器株式会社
CPC classification number: C30B29/06 , C23C14/048 , C30B1/023 , C30B13/22 , G03F1/50
Abstract: 公开了一种激光掩膜及使用该激光掩膜的连续横向固化结晶方法。在一个实施例中，所述激光掩膜包括：掩膜基板，包括：i)被配置为使光透射过去的至少一个透光部分，以及ii)多个遮光部分，由插入所述遮光部分之间的透光部分隔开。所述遮光部分被配置为挡光；并且多个突出和凹陷区域位于所述掩膜基板的遮光部分上。所述突出和凹陷区域包括交替形成的多个凹进部分和多个凸起部分。
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公开(公告)号：CN102214697A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201110069262.X
申请日：2011-03-18
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/04 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L27/32
CPC classification number: H01L51/5281 , H01L27/1214 , H01L27/1285 , H01L27/3262 , H01L27/3272 , H01L29/66765 , H01L29/78678
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管、一种薄膜晶体管的制造方法及一种包括该薄膜晶体管的显示装置。薄膜晶体管包括：基底；多晶硅半导体层，位于基底上；金属图案，位于半导体层和基底之间，金属图案与半导体层绝缘，其中，半导体层的多晶硅包括与晶化生长方向平行的晶界，多晶硅半导体层的表面粗糙度小于大约15nm，多晶硅层的表面粗糙度定义为在多晶硅半导体层的表面中的最低峰与最高峰之间的距离。
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公开(公告)号：CN102097438A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010269565.1
申请日：2010-08-31
Applicant: 三星移动显示器株式会社
CPC classification number: H01L27/3262 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/1255 , H01L27/1288 , H01L27/3248 , H01L27/326 , H01L29/4908
Abstract: 本发明公开了一种平板显示装置及其制造方法。平板显示装置包括：基底，包括第一区域和第二区域；有源层，位于基底的第一区域上并包含半导体材料；下电极，位于基底的第二区域上并包含所述半导体材料；第一绝缘层，位于设置有有源层和下电极的基底上；栅电极，位于第一绝缘层上，栅电极位于有源层的上方并且包括第一导电层图案和第二导电层图案；上电极，位于第一绝缘层上，上电极位于下电极的上方并且包括所述第一导电层图案和所述第二导电层图案；第二绝缘层，位于栅电极和上电极上并暴露有源层的部分和上电极的部分；源电极和漏电极，连接到有源层的暴露部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102479798A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201110165818.5
申请日：2011-06-14
Applicant: 三星移动显示器株式会社
CPC classification number: H01L27/3265 , H01L27/1222
Abstract: 本发明公开了一种有机发光二极管显示器及其制造方法。在有机发光二极管(OLED)显示器和制造方法中，OLED显示器包括：基底；半导体层图案，形成在基底上，并包括第一电容器电极；栅极绝缘层，覆盖半导体层图案；第一导电层图案，形成在栅极绝缘层上，并包括第二电容器电极，第二电容器电极具有与第一电容器电极叠置的至少一部分；层间绝缘层，具有暴露第二电容器电极的一部分的电容器开口，并覆盖第二电容器电极；第二导电层图案，形成在层间绝缘层上，其中，电容器开口包括与第二电容器电极平行且叠置的第一横向侧壁、与第二电容器电极平行且不叠置的第二横向侧壁以及将第一横向侧壁和第二横向侧壁彼此连接且与第一电容器电极叠置的纵向侧壁。
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公开(公告)号：CN102420238A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201110170399.4
申请日：2011-06-20
Applicant: 三星移动显示器株式会社
CPC classification number: H01L51/56 , H01L27/3258 , H01L27/3262 , H01L27/3265
Abstract: 本发明公开了一种OLED显示器及其制造方法。OLED的制造方法包括：在基底上形成第一存储板和覆盖第一存储板的栅极绝缘层；在栅极绝缘层上顺序地形成覆盖第一存储板的第二存储板和电容器中间体；在第一存储板中通过将杂质注入到第一存储板的未被电容器中间体覆盖的部分来形成第一掺杂区；形成具有暴露电容器中间体的电容器开口的层间绝缘层，并且在所述电容器开口中在电容器中间体的朝向第一掺杂区的边缘上形成多个腐蚀防止层；去除电容器中间体和腐蚀防止层；通过第二存储板在第一存储板中注入杂质，以形成接触第一掺杂区的第二掺杂区。
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公开(公告)号：CN102044568A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN201010504260.4
申请日：2010-10-11
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/04
CPC classification number: H01L29/78609 , H01L29/78618
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管(TFT)及其制造方法。该TFT包括：基底；栅电极，设置在基底上；栅极绝缘层，设置在栅电极上；半导体层，设置在栅极绝缘层上并包括多晶硅(poly-Si)层；欧姆接触层，设置在半导体层的预定区域上；绝缘的中间层，设置在基底的包括欧姆接触层的基本整个表面上；源电极和漏电极，通过形成在绝缘的中间层中的接触孔电连接到欧姆接触层。阻隔层设置在半导体层与欧姆接触层之间。因此，当控制底栅式TFT的截止电流时，可以通过简单的工艺来防止因泄漏电流导致的特性的劣化。
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公开(公告)号：CN102637716A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201110270500.3
申请日：2011-09-06
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L27/32
CPC classification number: H01L27/1255 , H01L27/3265 , H01L27/3276 , H01L2251/5392
Abstract: 一种有机发光显示装置。该有机发光显示装置包括：衬底；设置在所述衬底上的半导体层；设置在所述半导体层上的绝缘膜；以及设置在所述绝缘膜上的传导层，其中所述半导体层包括在第一方向延伸的多条突起线，所述突起线平行于所述传导层的外围边缘。
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公开(公告)号：CN102544055A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110236219.8
申请日：2011-08-15
Applicant: 三星移动显示器株式会社
CPC classification number: H01L27/3279 , H01L27/329 , H01L51/5246
Abstract: 本发明提供了一种有机发光显示装置及其制造方法。所述有机发光显示装置包括：基底；缓冲层，形成在所述基底上；栅极绝缘层，形成在所述缓冲层上；导电层，形成在所述栅极绝缘层上；以及像素限定层，暴露所述导电层的一部分以形成连接到驱动集成电路(IC)芯片的凸块的焊盘部分，其中，凸起和凹进形成在所述导电层的表面上。
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