有源矩阵型有机电致发光装置

    公开(公告)号:CN1678147B

    公开(公告)日:2010-10-06

    申请号:CN200510054179.X

    申请日:2005-02-06

    Inventor: 申铉亿

    CPC classification number: H01L27/3244 G09G3/3208 G09G2300/0809 H01L51/5275

    Abstract: 一种有源矩阵型有机电致发光装置包括布置于基板上的多个像素。像素包括驱动区域和发光区域。发光区域包含形成于基板之上的栅绝缘层、形成于栅绝缘层上的层间绝缘层、布置于层间绝缘层之上且连接至驱动薄膜晶体管的第一像素电极、插入至层间绝缘层和第一像素电极之间的钝化层、布置于第一像素电极之上的第二像素电极以及插入至第一像素电极和第二像素电极之间的发光层。基板、栅绝缘层、层间绝缘层、第一像素电极和钝化层各自具有1.4-1.6的折射率。

    薄膜晶体管及其制造方法

    公开(公告)号:CN1967877B

    公开(公告)日:2012-07-04

    申请号:CN200610171894.6

    申请日:2006-09-30

    Inventor: 申铉亿

    CPC classification number: H01L29/458 H01L29/41733

    Abstract: 一种薄膜晶体管及其制造方法,该晶体管能够减少漏极和源极的金属层导致的衬底的应力,该薄膜晶体管包括衬底;布置在衬底上并包括源极区和漏极区以及沟道区的半导体层;布置在包括半导体层的衬底上的栅绝缘层;布置在栅绝缘层上以对应于半导体层的沟道区的栅极;布置在包括栅极的衬底上并具有和半导体层的源极区和漏极区连接的接触孔的中间绝缘层;和通过接触孔与源极区和漏极区连接的源极和漏极,其中源极和漏极包括第一金属层、第二金属层和插在第一金属层和第二金属层之间的金属氧化层。因此,薄膜晶体管可以减少源极和漏极的金属层导致的衬底的应力,由此改善了有机发光二极管显示器的产量。

    有机发光显示装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN1697575B

    公开(公告)日:2010-05-05

    申请号:CN200510065592.6

    申请日:2005-04-18

    Inventor: 申铉亿

    CPC classification number: H01L27/3248 H01L27/3276 H01L29/458

    Abstract: 一种有机发光显示装置能够防止源电极和漏电极以及像素电极之间发生电反应并防止金属线路的电压降。有机发光显示装置可以包括形成在基板上的有源层;形成在栅极绝缘层上的栅电极;形成在层间绝缘层上的金属线路;以及通过接触孔与源极和漏极区域电连接的源电极和漏电极和电连接至源电极和漏电极之一的像素电极。源电极和漏电极以及金属线路由具有低电阻且相对于所述像素电极具有大约0.3或更小氧化还原电位差的材料形成。

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