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公开(公告)号:CN116346110A
公开(公告)日:2023-06-27
申请号:CN202310249449.0
申请日:2023-03-15
申请人: 中国电子科技集团公司第十三研究所
发明人: 戴剑 , 王磊 , 李士卿 , 崔亮 , 陈南庭 , 宋学峰 , 侯伦 , 刘方罡 , 刘海峰 , 郭丰强 , 武世英 , 申靖轩 , 范仁钰 , 傅琦 , 刘乐乐 , 高显 , 苏辰飞 , 梁家铖
IPC分类号: H03K17/687
摘要: 本申请适用于半导体技术领域,提供了一种单刀双掷微波开关。该单刀双掷微波开关包括:第一晶体管、第二晶体管、第一电感、第二电感、输入端口、第一输出端口、第二输出端口、第一控制端口和第二控制端口;第一晶体管的第一端连接输入端口,第一晶体管的第二端连接第一输出端口,第一晶体管的栅极连接第一控制端口;第二晶体管的第一端连接输入端口,第二晶体管的第二端连接第二输出端口,第二晶体管的栅极连接第二控制端口;第一电感并联于第一晶体管的第一端与第一晶体管的第二端之间,第二电感并联于第二晶体管的第一端与第二晶体管的第二端之间。本申请提供的单刀双掷微波开关具有低插入损耗,降低了射频信号的损耗。
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公开(公告)号:CN116317958A
公开(公告)日:2023-06-23
申请号:CN202310145574.7
申请日:2023-02-21
申请人: 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要: 本申请适用于混频器技术领域,提供了一种W波段混频器。该W波段混频器包括:第一电桥、第二电桥、第三电桥、第一场效应晶体管和第二场效应晶体管;第一电桥的输入端作为混频器的本振端用于接收本振信号;第一电桥的直通端连接第一场效应晶体管的栅极,第一电桥的耦合端连接第二场效应晶体管的栅极;第一场效应晶体管的漏极分别连接第二电桥的直通端和第三电桥的耦合端,第二场效应晶体管的漏极分别连接第二电桥的耦合端和第三电桥的直通端;第二电桥的输入端作为混频器的射频端;第三电桥的输入端作为混频器的中频端。本申请提供的W波段混频器有效降低了损耗,提高了本振射频隔离度,可以应用于复杂电磁环境中。
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公开(公告)号:CN114597620B
公开(公告)日:2024-05-31
申请号:CN202210214047.2
申请日:2022-03-04
申请人: 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要: 本发明提供了一种巴伦结构及混频器,该巴伦结构包括:单共面波导结构、平行板结构、双共面波导结构;平行板结构中上平行板和下平行板平行设置;单共面波导结构中第一信号线与下平行板连接,第一接地线和第二接地线均通过金属柱与上平行板连接;双共面波导结构中第二信号线通过金属柱与上平行板连接,第三信号线与下平行板连接,第三接地线、第五接地线均与第四接地线相连;第一信号线的另一端为巴伦结构的非平衡输入端口,第二信号线的另一端为巴伦结构的第一平衡输出端口,第三信号线的另一端为巴伦结构的第二平衡输出端口。本发明能够解决传统巴伦存在的损耗高、尺寸大、不易集成和相位平衡度不够的技术问题。
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公开(公告)号:CN114597620A
公开(公告)日:2022-06-07
申请号:CN202210214047.2
申请日:2022-03-04
申请人: 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要: 本发明提供了一种巴伦结构及混频器,该巴伦结构包括:单共面波导结构、平行板结构、双共面波导结构;平行板结构中上平行板和下平行板平行设置;单共面波导结构中第一信号线与下平行板连接,第一接地线和第二接地线均通过金属柱与上平行板连接;双共面波导结构中第二信号线通过金属柱与上平行板连接,第三信号线与下平行板连接,第三接地线、第五接地线均与第四接地线相连;第一信号线的另一端为巴伦结构的非平衡输入端口,第二信号线的另一端为巴伦结构的第一平衡输出端口,第三信号线的另一端为巴伦结构的第二平衡输出端口。本发明能够解决传统巴伦存在的损耗高、尺寸大、不易集成和相位平衡度不够的技术问题。
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公开(公告)号:CN117200731A
公开(公告)日:2023-12-08
申请号:CN202310966814.X
申请日:2023-08-02
申请人: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号: H03H7/42
摘要: 本发明提供一种幅度均衡器及射频组件。该幅度均衡器包括:依次连接的串联谐振单元、电阻单元和并联谐振单元,串联谐振单元与电阻单元的共接端为幅度均衡器的输入/输出端。其中,串联谐振单元和并联谐振单元中的至少一个为交替连接结构。交替连接结构为电感电容交替连接的结构。本发明通过将串联谐振单元和/或并联谐振单元设置为电感电容交替连接的结构,相对于现有LC谐振结构,减小了谐振单元的电路Q值、增加了幅度均衡器的工作带宽,增加了幅度均衡器的均衡量。
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公开(公告)号:CN116318077A
公开(公告)日:2023-06-23
申请号:CN202310174279.4
申请日:2023-02-28
申请人: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号: H03K5/14
摘要: 本发明提供一种基于MMIC的延时线电路及其调试方法。该延时线电路包括:多个依次串联的延时模块;每个延时模块包括第一单刀双掷开关、参考支路、延时支路和第二单刀双掷开关;每个延时模块还包括多个沿延时支路分布的延时调整单元,其中,各延时调整单元上设有第一焊盘;延时支路上设有第二焊盘,其中,第二焊盘用于在调试延时线电路时,基于实测延时量与设计值的差异,通过金丝键合与相应数量的延时调整单元的第一焊盘连接。本发明能够通过切换各参考支路、延时支路的开关组合状态,实现多位延时量。同时延时支路可在调试时通过金丝键合连接一定数量的延时调整单元消除相位误差,减少了多位延时线电路相位误差波动、提高了整体延时精度。
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公开(公告)号:CN212012584U
公开(公告)日:2020-11-24
申请号:CN202020513045.X
申请日:2020-04-09
申请人: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号: H03F1/30
摘要: 本实用新型提供了一种功率放大器栅极驱动器及功率放大器,本实用新型提供的功率放大器栅极驱动器包括:基准电压模块,用于连接供电电源,被配置为输出不随所述供电电源的电压变化的基准电压;电压放大模块,连接所述基准电压模块,被配置为对所述基准电压进行放大,并输出两组以上的放大电压;电压选择模块,连接所述电压放大模块,被配置为从所述两组以上的放大电压中选择一组放大电压作为所述功率放大器的栅压输出。能够提高功率放大器栅极的栅压稳定性。
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公开(公告)号:CN220208974U
公开(公告)日:2023-12-19
申请号:CN202321452730.6
申请日:2023-06-08
申请人: 中国电子科技集团公司第十三研究所
发明人: 戴剑 , 王磊 , 王杰 , 刘方罡 , 侯伦 , 崔亮 , 陈南庭 , 宋学峰 , 高鸿飞 , 范仁钰 , 傅琦 , 申靖轩 , 梁家铖 , 武世英 , 郭丰强 , 刘乐乐 , 刘海峰 , 高显
IPC分类号: H01L29/778 , H01L23/367
摘要: 本实用新型提供了一种具有高导热特性的氮化镓晶体管开关器件结构,属于晶体管技术领域,从表面到背面依次包括表面钝化层、源极金属、漏极金属、栅极金属、铝镓氮势垒层、氮化镓缓冲层、氮化铝成核层、碳化硅衬底层以及背面金属层,在碳化硅衬底层内形成有用于吸收热量和散热的空腔结构,空腔结构内表面设置有金属层。本实用新型提供的一种具有高导热特性的氮化镓晶体管开关器件结构,对氮化镓晶体管沟道区域下方导热途径进行优化,带有金属层的空腔结构能提高导热效率,不影响其它区域的碳化硅衬底的完整性,保持了良好的射频性能,具有能提高氮化镓晶体管散热效率,大幅度吸收热量并将热量迅速往下传导,降低晶体管沟道结温的技术效果。
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