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公开(公告)号：CN108046794B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201711296034.X
申请日：2017-12-08
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 上海大学
IPC分类号： C04B35/462 , C01G23/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
摘要： 本发明涉及利用共沉淀法合成粉体制备钛酸钇透明陶瓷的方法，包括：将Y源溶液和Ti源溶液混合得到混合溶液，混合溶液中Y与Ti的摩尔比为1：1；将混合溶液以3mL/分钟以下的速度滴加到沉淀剂溶液中并不断搅拌，经陈化、过滤得到的钛酸钇前驱体沉淀物；将钛酸钇前驱体沉淀物烘干，于800℃～1000℃煅烧1～5小时，得到钛酸钇粉体；将钛酸钇粉体研磨后，压制成型得到坯体；以及将坯体于800～1200℃预烧2～5小时后，在真空条件下于1400～1600℃烧结4～10小时，经退火得到钛酸钇透明陶瓷。本发明获得粉体粒径小且分布均匀，具有较高烧结活性，在较低的温度下烧结制备钛酸钇透明陶瓷，操作简单，能耗小。
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公开(公告)号：CN108046794A
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201711296034.X
申请日：2017-12-08
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 上海大学
IPC分类号： C04B35/462 , C01G23/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
摘要： 本发明涉及利用共沉淀法合成粉体制备钛酸钇透明陶瓷的方法，包括：将Y源溶液和Ti源溶液混合得到混合溶液，混合溶液中Y与Ti的摩尔比为1：1；将混合溶液以3mL/分钟以下的速度滴加到沉淀剂溶液中并不断搅拌，经陈化、过滤得到的钛酸钇前驱体沉淀物；将钛酸钇前驱体沉淀物烘干，于800℃～1000℃煅烧1～5小时，得到钛酸钇粉体；将钛酸钇粉体研磨后，压制成型得到坯体；以及将坯体于800～1200℃预烧2～5小时后，在真空条件下于1400～1600℃烧结4～10小时，经退火得到钛酸钇透明陶瓷。本发明获得粉体粒径小且分布均匀，具有较高烧结活性，在较低的温度下烧结制备钛酸钇透明陶瓷，操作简单，能耗小。
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公开(公告)号：CN1306075C
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200510029744.7
申请日：2005-09-16
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明涉及一种利用改进的坩埚下降法生长阴阳离子同时双掺杂的高光产额快衰减钨酸铅闪烁晶体的制备方法，属于晶体生长领域。使用本发明提供的工艺技术可克服阴阳离子双掺杂PWO晶体生长过程中原料及掺杂剂挥发的问题，生长出光产额达到BGO晶体的7.3%的阴阳离子双掺杂PWO晶体。本发明采用PbF2和Y2O3或BaF2和Y2O3作为掺杂剂，掺杂量分别为600-1000ppm(at%)和100-300ppm(at%)，使用铂坩埚生长，坩埚密封以控制原料及掺杂剂的挥发，坩埚的形状和大小随所需生长晶体的形状和大小而异。用本发明可以同时生长2根、6根或28根高光产额钨酸铅晶体，适于大批量生产。
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公开(公告)号：CN101092746B
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN200610148126.9
申请日：2006-12-27
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号： C30B29/32
摘要： 本发明涉及异价离子协同掺杂高光产额钨酸铅晶体及其制备方法，属于晶体生长领域。本发明用F-和Sb3+离子双掺杂，在此基础上引入Mo6+，V5+，Nb5+，Zr4+和Ti4+等高价离子协同掺杂来提高钨酸铅晶体的光产额，掺杂量分别为100～8000ppm(at％)、100～5000ppm(at％)和0～10000ppm(at％)，制备方法上利用改进的坩埚下降法来生长具有相对较快衰减，光产额明显提高的阴阳异价离子协同掺杂的钨酸铅单晶。使用铂金坩埚生长。本发明可以同时生长多根高光产额PWO晶体，适于批量生产。
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公开(公告)号：CN1763271A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN200510029744.7
申请日：2005-09-16
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明涉及一种利用改进的坩埚下降法生长阴阳离子同时双掺杂的高光产额快衰减钨酸铅闪烁晶体的制备方法，属于晶体生长领域。使用本发明提供的工艺技术可克服阴阳离子双掺杂PWO晶体生长过程中原料及掺杂剂挥发的问题，生长出光产额达到BGO晶体的7.3％的阴阳离子双掺杂PWO晶体。本发明采用PbF2和Y2O3或BaF2和Y2O3作为掺杂剂，掺杂量分别为600－1000ppm(at％)和100－300ppm(at％)，使用铂坩埚生长，坩埚密封以控制原料及掺杂剂的挥发，坩埚的形状和大小随所需生长晶体的形状和大小而异。用本发明可以同时生长2根、6根或28根高光产额钨酸铅晶体，适于大批量生产。
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公开(公告)号：CN101092746A
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200610148126.9
申请日：2006-12-27
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号： C30B29/32
摘要： 本发明涉及异价离子协同掺杂高光产额钨酸铅晶体及其制备方法，属于晶体生长领域。本发明用F－和Sb3+离子双掺杂，在此基础上引入Mo6+，V5+，Nb5+，Zr4+和Ti4+等高价离子协同掺杂来提高钨酸铅晶体的光产额，掺杂量分别为100～8000ppm(at％)、100～5000ppm(at％)和0～10000ppm(at％)，制备方法上利用改进的坩埚下降法来生长具有相对较快衰减，光产额明显提高的阴阳异价离子协同掺杂的钨酸铅单晶。使用铂金坩埚生长。本发明可以同时生长多根高光产额PWO晶体，适于批量生产。
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公开(公告)号：CN118955147A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411189346.0
申请日：2024-08-27
申请人： 上海大学
IPC分类号： C04B35/581 , C04B35/622
摘要： 本发明公开了一种沿c轴织构的透明氮化铝及其制备方法。方法包括如下步骤：将所选的通过表面包裹工艺处理的氮化铝粉体、烧结助剂和分散剂分别加入分散介质中，使用球磨工艺制备氮化铝浆料；在磁场下对所述氮化铝浆料进行注浆成型，制备出沿c轴织构化的陶瓷素胚；对所述陶瓷素胚进行预处理；将经过预处理的所述陶瓷素胚烧结，制备出透明氮化铝陶瓷。本发明改善了氮化铝透明陶瓷可见光区域直线透过率低的缺陷，具有晶粒发育均匀且织构化程度高、晶界处干净无杂质、优良的可见‑红外直线光学透过率、热导率和力学性能等优点。
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公开(公告)号：CN113045333B
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202110281454.0
申请日：2021-03-16
申请人： 上海大学
IPC分类号： C04B38/10 , C04B35/04 , C04B35/622
摘要： 本申请涉及无机非金属材料中的绝热保温、隔音和过滤用泡沫陶瓷材料，特别地涉及到一种氧化镁(MgO)泡沫陶瓷的制备方法。其中，氧化镁泡沫陶瓷的制备方法包括如下步骤：将氧化镁粉体和去离子水与硅溶胶一同球磨处理，得到混合浆料；在所述混合浆料中加入十二烷基硫酸钠溶液，双氧水和二氧化锰发泡，得到发泡浆料；将所述发泡浆料注入模具中，干燥并脱模，得到胚体；将所述胚体烧结，得到氧化镁泡沫陶瓷。本申请解决了常温常压下氧化镁粉体的发泡问题。具有工艺简单，制备周期短，样品形状可控，气孔率高、重复性好的优势。
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公开(公告)号：CN113045333A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110281454.0
申请日：2021-03-16
申请人： 上海大学
IPC分类号： C04B38/10 , C04B35/04 , C04B35/622
摘要： 本申请涉及无机非金属材料中的绝热保温、隔音和过滤用泡沫陶瓷材料，特别地涉及到一种氧化镁(MgO)泡沫陶瓷的制备方法。其中，氧化镁泡沫陶瓷的制备方法包括如下步骤：将氧化镁粉体和去离子水与硅溶胶一同球磨处理，得到混合浆料；在所述混合浆料中加入十二烷基硫酸钠溶液，双氧水和二氧化锰发泡，得到发泡浆料；将所述发泡浆料注入模具中，干燥并脱模，得到胚体；将所述胚体烧结，得到氧化镁泡沫陶瓷。本申请解决了常温常压下氧化镁粉体的发泡问题。具有工艺简单，制备周期短，样品形状可控，气孔率高、重复性好的优势。
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公开(公告)号：CN112919432A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202110254679.7
申请日：2021-03-09
申请人： 上海大学
IPC分类号： C01B21/072 , C04B35/581 , C04B35/626
摘要： 本申请涉及无机非金属材料中的电子陶瓷封装导热基板材料，特别地涉及一种氮化铝粉体及其改性制备方法。其中，氮化铝粉体的改性制备方法，包括如下步骤：a、将氮化铝粉体加入有机溶剂中，得到氮化铝的悬浮液；b、将正硅酸四乙酯(TEOS)复合磷酸二氢铝(Al(H2PO4)3)(AHP)溶解在有机溶剂中，得到复配溶液；c、将所述复配溶液加入所述氮化铝的悬浮液中，加热搅拌，得到混合悬浮液；d、利用有机溶剂清洗所述混合悬浮液，并过滤2～3次，干燥，得到氮化铝粉体。本申请解决了由于AlN粉体在潮湿的空气中易水解性能所导致的存储和应用的困难。具有操作简单，原料价格便宜，生产成本低，重复性好的优势。
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