公开(公告)号：CN117672907A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202211090352.1

申请日：2022-09-07

申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司

发明人： 吴昊 ,  吕翌晟 ,  叶如彬

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01J37/32

摘要： 本发明公开了一种喷淋盘控温装置及其薄膜处理装置和温度调节方法，该喷淋盘控温装置包含：安装基座，设置于喷淋盘的上方，安装基座的底部与喷淋盘连接；冷却装置，其用于降低喷淋盘的温度；加热装置，其用于向喷淋盘提供热量；温差调节装置，其设置于冷却装置对所述喷淋盘的冷却传导路径上和/或所述加热装置对所述喷淋盘的加热传导路径上，调整温差调节装置可使其第一侧为放热端第二侧为吸热端，或第一侧为吸热端第二侧为放热端。其优点是：该装置通过将温差调节装置设置于冷却传导路径和/或加热传导路径上，减少了对喷淋盘进行冷却或升温时的温度响应时间，提高了冷却传导路径或加热传导路径中的热传递效率，有助于保证喷淋盘的温度稳定性。

公开(公告)号：CN108227413B

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN201611162303.9

申请日：2016-12-15

申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司

发明人： 梁洁 ,  叶如彬 ,  吴磊 ,  李双亮

IPC分类号： G03F7/42 ,  H01L21/027

摘要： 本发明涉及一种光刻胶去除装置，包含：光刻胶去除腔室；所述光刻胶去除腔室内的顶部设有喷头，向光刻胶去除腔室内引入清洁气体；沿着所述光刻胶去除腔室的侧壁内侧覆盖设置垫板；所述垫板内嵌入设置电极线圈；该电极线圈上施加有高压射频电源，在垫板表面形成DBD等离子体，以对光刻胶去除腔室内部，尤其对垫板表面进行等离子体清洗。本发明采用DBD等离子体进行腔内清洗，能完全清除其上沉积附着的光刻胶残余反应物，损伤极小，且有效提高光刻胶去除装置的稳定性。

公开(公告)号：CN117153653A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202210571753.2

申请日：2022-05-24

申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司

发明人： 张一川 ,  叶如彬 ,  徐朝阳

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01L21/67

摘要： 一种等离子体处理设备及其升降环结构，升降环结构设置在等离子体处理设备的反应腔中，通过将升降环结构射频接地，使射频场能够到达升降环结构表面，有效提高了等离子体对升降环结构表面的轰击频次，降低了聚合物在升降环结构表面沉积的概率，同时提高了干法清腔过程的清腔效率，减少了聚合物沉积。升降环结构射频接地还提高了射频接地组件和下电极的面积比，大大增加了同等功率条件下晶圆表面的鞘层电压，提高了刻蚀速率。升降环结构中设置加热器，使升降环结构具备可控加热的能力，可以很大程度地降低聚合物在升降环结构表面的沉积概率，避免聚合物剥落造成的工艺缺陷，提高产品良率。

公开(公告)号：CN115706038A

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202110886000.6

申请日：2021-08-03

申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司

发明人： 伊凡·比久科夫 ,  苏兴才 ,  叶如彬

IPC分类号： H01L21/683

摘要： 本发明提供一种静电吸盘，包含：基座；设置在基座上的第一介电层；所述第一介电层具有第一电阻率，所述第一介电层内设有可产生静电力的电极；多个第二介电颗粒，嵌入设置在第一介电层内部，以及第一介电层顶面；所述第二介电颗粒具有第二电阻率；第二电阻率大于第一电阻率。本发明还提供一种静电吸盘的制作方法、一种静电吸盘的翻新方法以及一种等离子体装置。本发明的静电吸盘吸附力可控、温度分布均匀，热传递性能强，易解吸附，使用寿命长，颗粒物污染少，提高了晶圆加工成品率和生产效率；本发明的静电吸盘易于制作和翻新，降低了晶圆的生产成本。

公开(公告)号：CN111293022B

公开(公告)日：2023-01-24

申请号：CN201811495777.4

申请日：2018-12-07

申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司

发明人： 雷仲礼 ,  叶如彬 ,  涂乐义

IPC分类号： H01J37/32

摘要： 本申请公开了一种脉冲射频等离子体的阻抗匹配方法和装置。该方法连续在所述第i个脉冲周期及位于其后的多个脉冲周期的第一射频功率阶段内搜寻匹配频率的过程中，将前一脉冲在搜寻匹配频率过程中阻抗参数最小的调频频率赋给下一脉冲，将其作为下一脉冲的初始频率，如此，相当于增加了一个脉冲周期的第一射频功率阶段的宽度，因而，通过对该多个脉冲的第一射频功率阶段的连续调频，可以搜寻到较高脉冲频率的脉冲射频等离子体的匹配频率，进而实现对较高脉冲频率的等离子体的阻抗匹配。此外，本申请还公开了一种等离子体处理装置。

公开(公告)号：CN115547799A

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN202110723909.X

申请日：2021-06-29

申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司

发明人： 叶如彬

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01L21/3065

摘要： 本发明公开了一种等离子体约束环、等离子体处理设备及处理半导体的方法，所述等离子体约束环设置在等离子体处理设备的反应腔内，等离子体约束环包括环形侧壁和与环形侧壁固定连接的气体通道壁；环形侧壁放置于支撑环上，支撑环与反应腔的侧壁固定；隔热缝隙，其设置在环形侧壁中，用于减慢热量从气体通道壁向反应腔的侧壁传递。本发明使得等离子约束环的温度达到预设的温度并保持，由此实现防止聚合物沉积的目的。

公开(公告)号：CN114914142A

公开(公告)日：2022-08-16

申请号：CN202110172207.7

申请日：2021-02-08

申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司

发明人： 吴磊 ,  叶如彬

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01L21/683

摘要： 一种下电极组件和等离子体处理装置，其中，所述下电极组件包括：基座，其内设有凹槽；静电夹盘，位于所述基座上，用于吸附待处理基片，其内设有第一气体通道，所述第一气体通道与凹槽对应；第一陶瓷件和第二陶瓷件，设于所述凹槽内，且二者相互配合形成第二气体通道，所述第二气体通道与第一气体通道相互连通，用于向待处理基片的背面输送冷却气体，以控制所述待处理基片的温度，其中，所述第二气体通道为非直线。所述下电极组件有利于降低静电夹盘发生点火放电。

公开(公告)号：CN110610841B

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN201810614559.1

申请日：2018-06-14

申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司

发明人： 梁洁 ,  涂乐义 ,  王伟娜 ,  李双亮 ,  叶如彬

IPC分类号： H01J37/32

摘要： 本发明公开一种等离子体约束组件及其所在的处理装置，等离子体处理装置包括一反应腔，反应腔内设置一用于支撑基片的静电夹盘，等离子体约束组件位于静电夹盘和反应腔的侧壁之间，包括等离子体约束环与U型接地环；接地环包括接地屏蔽环，接地屏蔽环位于等离子体约束环与反应腔的侧壁之间；反应腔的侧壁上设有传片门，接地屏蔽环用于保护等离子体约束环与反应腔侧壁之间的电场不受传片门的影响。本发明U型接地环使等离子体约束环的电容值在极板间距调节过程中保持不变；不仅可确保极板间距调节刻蚀性能过程的一致性和稳定性，还能消除腔体传片门对刻蚀性能的不对称性因素，还能确保传片门附近等离子体约束的可靠性。

公开(公告)号：CN113838734A

公开(公告)日：2021-12-24

申请号：CN202010586822.8

申请日：2020-06-24

申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司

发明人： 涂乐义 ,  叶如彬

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01L21/67

摘要： 本发明公开了一种等离子体处理装置及基片处理方法，所述装置包括：反应腔，上电极，设置在反应腔的顶壁；下电极，位于反应腔内，射频功率源，用于在下电极和上电极间形成射频电流；等离子体约束环，环绕下电极设置；中位接地环，设置在等离子体约束环下方，中位接地环靠近反应腔的侧壁一端与反应腔的侧壁之间具有一定间隙；阻抗调节装置，阻抗调节装置的一端连接反应腔的侧壁，另一端接地，通过阻抗调节装置使第一射频电流路径的阻抗可调节，以对流经第一射频电流路径和第二射频电流路径的射频电流进行分配。本发明能够调节刻蚀速率和准直性的均匀性。

公开(公告)号：CN107305830B

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201610246809.1

申请日：2016-04-20

申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司

发明人： 叶如彬 ,  梁洁 ,  涂乐义 ,  徐朝阳 ,  杨金全

IPC分类号： H01J37/32

摘要： 本发明提供一种电容耦合等离子体处理装置与等离子体处理方法，用以改善半导体处理的均匀性。所述电容耦合等离子体处理装置，包括：反应腔，设置有顶壁、侧壁与底壁；上电极，设置在所述顶壁；下电极，位于所述反应腔内，并与所述上电极相对设置；射频功率源，施加于所述下电极；偏置功率源，施加于所述下电极；阻抗调节装置，所述阻抗调节装置的一端连接所述上电极或所述侧壁，另一端接地。