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公开(公告)号：CN111383893B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN201811633561.X
申请日：2018-12-29
申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/3065
摘要： 本发明公开了一种等离子体处理器及控制等离子体泄漏和放电的方法，本发明在等离子体约束装置上设置一驱动单元，用以调节约束环与接地环之间的距离。设置一控制器与所述驱动单元连接，所述控制器包括一存储单元，一测量单元和一数据调取单元。所述测量单元用于测量不同频率和功率的射频信号对应的等离子体约束装置的约束环和接地环之间的安全距离并存储在存储单元中，数据调取单元根据射频信号的频率和功率查找所述存储单元中的该频率和功率射频信号对应的安全距离临界值并控制驱动单元将约束环与接地环之间的距离调节到安全距离范围内，以避免非处理区域发生等离子体泄漏或放电现象。
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公开(公告)号：CN111383884B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN201811611211.3
申请日：2018-12-27
申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本发明提供一种等离子体约束系统及方法，等离子体约束系统设有上部环体和下部环体，各自包含多个倾斜的通道，沿径向从所在环体的内侧到外侧分布，且所述上部环体的通道与下部环体的通道具有相反的倾斜方向，使反应腔内处理区域产生的废气在经过上部环体的通道、下部环体的通道送到排气区域的过程中，带点粒子被中和，实现等离子体约束；本发明根据等离子体的分布密度来独立调整所述上部环体、下部环体各自的通道分布密度。从而在不损失气导率的前提下，有效地提升等离子体的约束性能。
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公开(公告)号：CN110610841A
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201810614559.1
申请日：2018-06-14
申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本发明公开一种等离子体约束组件及其所在的处理装置，等离子体处理装置包括一反应腔，反应腔内设置一用于支撑基片的静电夹盘，等离子体约束组件位于静电夹盘和反应腔的侧壁之间，包括等离子体约束环与U型接地环；接地环包括接地屏蔽环，接地屏蔽环位于等离子体约束环与反应腔的侧壁之间；反应腔的侧壁上设有传片门，接地屏蔽环用于保护等离子体约束环与反应腔侧壁之间的电场不受传片门的影响。本发明U型接地环使等离子体约束环的电容值在极板间距调节过程中保持不变；不仅可确保极板间距调节刻蚀性能过程的一致性和稳定性，还能消除腔体传片门对刻蚀性能的不对称性因素，还能确保传片门附近等离子体约束的可靠性。
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公开(公告)号：CN108227413B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN201611162303.9
申请日：2016-12-15
申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC分类号： G03F7/42 , H01L21/027
摘要： 本发明涉及一种光刻胶去除装置，包含：光刻胶去除腔室；所述光刻胶去除腔室内的顶部设有喷头，向光刻胶去除腔室内引入清洁气体；沿着所述光刻胶去除腔室的侧壁内侧覆盖设置垫板；所述垫板内嵌入设置电极线圈；该电极线圈上施加有高压射频电源，在垫板表面形成DBD等离子体，以对光刻胶去除腔室内部，尤其对垫板表面进行等离子体清洗。本发明采用DBD等离子体进行腔内清洗，能完全清除其上沉积附着的光刻胶残余反应物，损伤极小，且有效提高光刻胶去除装置的稳定性。
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公开(公告)号：CN110610841B
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN201810614559.1
申请日：2018-06-14
申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本发明公开一种等离子体约束组件及其所在的处理装置，等离子体处理装置包括一反应腔，反应腔内设置一用于支撑基片的静电夹盘，等离子体约束组件位于静电夹盘和反应腔的侧壁之间，包括等离子体约束环与U型接地环；接地环包括接地屏蔽环，接地屏蔽环位于等离子体约束环与反应腔的侧壁之间；反应腔的侧壁上设有传片门，接地屏蔽环用于保护等离子体约束环与反应腔侧壁之间的电场不受传片门的影响。本发明U型接地环使等离子体约束环的电容值在极板间距调节过程中保持不变；不仅可确保极板间距调节刻蚀性能过程的一致性和稳定性，还能消除腔体传片门对刻蚀性能的不对称性因素，还能确保传片门附近等离子体约束的可靠性。
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公开(公告)号：CN108266447B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201611254855.2
申请日：2016-12-30
申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种螺丝组件，包括：一夹板，所述夹板包括一上层夹板和一下层夹板以及位于二者之间的夹板开口，贯穿所述夹板设置一容纳螺丝的螺孔；一不锈钢弹片，位于所述夹板开口内，所述不锈钢弹片设置与所述螺孔对应的圆形开口；所述不锈钢弹片靠近所述圆形开口的区域与靠近边缘的区域位于不同平面内，所述不锈钢弹片靠近圆形开口的区域和靠近边缘的区域分别与所述上层夹板和所述下层夹板呈一锐角夹角。本发明所述的螺丝组件设有防松机制，能够有效保证螺丝组件与螺丝的良好接触。保证射频电流回路的路径稳定，以避免射频回路的阻抗发生变化，确保射频放电的条件不会漂移。
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公开(公告)号：CN111383893A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201811633561.X
申请日：2018-12-29
申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/3065
摘要： 本发明公开了一种等离子体处理器及控制等离子体泄漏和放电的方法，本发明在等离子体约束装置上设置一驱动单元，用以调节约束环与接地环之间的距离。设置一控制器与所述驱动单元连接，所述控制器包括一存储单元，一测量单元和一数据调取单元。所述测量单元用于测量不同频率和功率的射频信号对应的等离子体约束装置的约束环和接地环之间的安全距离并存储在存储单元中，数据调取单元根据射频信号的频率和功率查找所述存储单元中的该频率和功率射频信号对应的安全距离临界值并控制驱动单元将约束环与接地环之间的距离调节到安全距离范围内，以避免非处理区域发生等离子体泄漏或放电现象。
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公开(公告)号：CN111383884A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201811611211.3
申请日：2018-12-27
申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本发明提供一种等离子体约束系统及方法，等离子体约束系统设有上部环体和下部环体，各自包含多个倾斜的通道，沿径向从所在环体的内侧到外侧分布，且所述上部环体的通道与下部环体的通道具有相反的倾斜方向，使反应腔内处理区域产生的废气在经过上部环体的通道、下部环体的通道送到排气区域的过程中，带点粒子被中和，实现等离子体约束；本发明根据等离子体的分布密度来独立调整所述上部环体、下部环体各自的通道分布密度。从而在不损失气导率的前提下，有效地提升等离子体的约束性能。
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