-
公开(公告)号:CN107482130B
公开(公告)日:2020-05-26
申请号:CN201710652477.1
申请日:2017-08-02
申请人: 京东方科技集团股份有限公司
摘要: 本发明涉及一种有机发光面板,包括:有机层、设于所述有机层一侧的第一电极及设于所述有机层另一侧的第二电极;所述第二电极包括依次层叠在所述有机层上的缓冲电极层和导电电极层。利用本发明提供的技术方案能有效减缓因漏电产生的像素点亮度下降及功耗增大等不良后果,而且所述缓冲电极层和导电电极层的制作工艺、组成元素的种类都是相同的,能够用同一种材料靶材、同一个工艺腔体,降低了工艺复杂性,同时降低生产成本。
-
公开(公告)号:CN107093680B
公开(公告)日:2019-01-22
申请号:CN201710309567.0
申请日:2017-05-04
申请人: 京东方科技集团股份有限公司
摘要: 本公开提供一种金属辅助电极及使用其的显示器件的制造方法。显示器件的金属辅助电极的制造方法包括:在显示器件的像素界定层的顶部形成至少一个凹槽;以及通过转印的方法在所述像素界定层的顶部形成金属辅助电极。通过凹槽结构可以有效的增大金属辅助电极与顶电极接触面积,减小接触电阻,提高电极导电性能;通过转印的方法形成金属辅助电极可以简化工艺流程。
-
公开(公告)号:CN104319352B
公开(公告)日:2018-02-13
申请号:CN201410640299.7
申请日:2014-11-13
申请人: 京东方科技集团股份有限公司
CPC分类号: H01L51/504 , H01L51/52 , H01L51/5203 , H01L51/5209 , H01L51/5225 , H01L51/5237 , H01L51/5265 , H01L51/56 , H01L2251/5315 , H01L2251/558
摘要: 本发明提供一种顶发射白光OLED器件及其制备方法、显示装置,该OLED器件包括位于基板上的多个像素单元,每一像素单元在远离所述基板方向上包括依次设置的第一电极层、有机层和第二电极层,其中,每一所述像素单元内的所述有机层具有渐变的腔长,所述渐变的腔长分别对应从红光到蓝光波长范围,使得所述像素单元对应的白光增强。采用本发明的方案,可以提高顶发射白光OLED器件的出光效果,在较大的观察视角时不会发生明显的强度下降和光色变化。
-
公开(公告)号:CN105118928B
公开(公告)日:2018-02-09
申请号:CN201510454413.1
申请日:2015-07-29
申请人: 京东方科技集团股份有限公司
发明人: 刘则
CPC分类号: H01L27/322 , G02B5/003 , G02B5/0808 , G02B5/201 , G02B5/223 , H01L27/3211 , H01L27/3244 , H01L27/3246 , H01L27/3283 , H01L51/0035 , H01L51/004 , H01L51/524 , H01L51/5271 , H01L51/5284
摘要: 本发明公开了一种彩膜基板、其制作方法、OLED显示面板及显示装置,包括:衬底基板,以及依次层叠设置在衬底基板上的黑矩阵层和阻隔垫层,阻隔垫层包括同层设置的多个阻隔垫;其中,各阻隔垫的图形在衬底基板上的正投影位于黑矩阵层的图形所在区域内,这样不会占用彩膜基板的开口率;各阻隔垫的表面具有辅助功能层,辅助功能层用于将照射到阻隔垫表面的光线进行吸收或反射,这样可以防止彩膜基板上相邻亚像素单元之间的光串扰,避免混色,提高光的取出效率和显示对比度,进而提升显示效果。
-
公开(公告)号:CN104859291B
公开(公告)日:2017-12-29
申请号:CN201510172926.3
申请日:2015-04-13
申请人: 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号: B41F23/04
CPC分类号: B41J11/002 , H01L51/0005 , H01L51/0026
摘要: 本发明提供一种干燥装置及其干燥方法。该干燥装置用于干燥采用湿法形成在基板上的待干燥膜层,包括干燥部和承载部,承载部用于承载形成有待干燥膜层的基板;干燥部用于对应并面对待干燥膜层设置,并用于对待干燥膜层进行干燥;干燥部和承载部能使待干燥膜层经干燥后形成表面形貌均一的膜层。该干燥装置通过设置干燥部和承载部,能使待干燥膜层在干燥过程中其不同区域的溶剂挥发速率基本相同,从而使待干燥膜层经干燥后形成表面形貌均一的膜层,改善了待干燥膜层干燥工艺后的表面形貌均一性效果,进而提高了包含该干燥膜层的显示器件的寿命和显示效果。
-
公开(公告)号:CN106960921A
公开(公告)日:2017-07-18
申请号:CN201710210177.8
申请日:2017-03-31
申请人: 京东方科技集团股份有限公司
CPC分类号: H01L51/56 , H01L51/5056
摘要: 本发明提供一种有机电致发光器件及其制作方法,该方法包括以下步骤:S1,在由像素界定层形成的像素容器中形成第i层功能层,i为自然数;S2,对第i层功能层进行交联工艺;S3,通过喷墨打印工艺将第i层功能层的良溶剂注入像素容器中,形成完全覆盖第i层功能层的良溶剂层;S4,对良溶剂层进行真空干燥工艺,以利用咖啡环效应使良溶剂中的溶质扩散至像素容器的边缘处。本发明提供的有机电致发光器件及其制作方法的技术方案可以减少像素区内的互溶层,从而可以改善器件性能。
-
公开(公告)号:CN104091886B
公开(公告)日:2016-11-23
申请号:CN201410319179.7
申请日:2014-07-04
申请人: 京东方科技集团股份有限公司
CPC分类号: H01L51/0541 , H01L27/283 , H01L27/3274 , H01L51/0018 , H01L51/052 , H01L51/0545 , H01L51/105
摘要: 本发明实施例提供一种有机薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法、显示装置,涉及显示技术领域,可在封装和保护有机半导体有源层的同时,形成厚度较薄成膜均匀的有机绝缘层,降低形成过孔的工艺难度,提高工艺可靠性。该方法包括形成包括源极、漏极的源漏金属层,以及有机半导体有源层;所述有机半导体有源层与所述源极、所述漏极接触;在形成有包括所述源极、所述漏极的源漏金属层以及所述有机半导体有源层上形成有机绝缘薄膜,采用刻蚀减薄工艺减薄所述有机绝缘薄膜的厚度,并采用固化工艺固化减薄后的所述有机绝缘薄膜,形成有机绝缘层;其中,所述方法还包括形成栅极。用于有机薄膜晶体管及包括该有机薄膜晶体管的阵列基板的制备。
-
公开(公告)号:CN104908423B
公开(公告)日:2016-08-24
申请号:CN201510364451.8
申请日:2015-06-26
申请人: 京东方科技集团股份有限公司
CPC分类号: H01L51/0005 , B41J2/01 , C23C14/58 , H01L51/0007 , H01L51/5012 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , H01L51/5088 , H01L51/5092 , H01L51/56
摘要: 本发明的实施例提供一种薄膜制作方法及系统,涉及薄膜制作技术领域,可一定程度避免由于时间差和墨滴氛围差异所导致的成膜不均匀的问题,提高显示装置的显示品质。该方法包括:在衬底基板之上形成墨滴,所述墨滴包括第一溶剂和溶解在所述第一溶剂中的薄膜材料;对所述墨滴进行溶剂均匀化分配;将溶剂分配后的所述墨滴中的第一溶剂蒸发掉后,形成薄膜。采用本发明的方法能够提高薄膜成膜的均匀性、进而提高成品率。
-
公开(公告)号:CN103545457B
公开(公告)日:2016-06-29
申请号:CN201310516699.2
申请日:2013-10-28
申请人: 京东方科技集团股份有限公司
CPC分类号: H01L27/3246 , H01L51/56
摘要: 本发明公开了一种发光器件、阵列基板、显示装置及发光器件的制造方法。该发光器件包括衬底基板和位于衬底基板上的像素界定层,所述像素界定层限定出至少一个像素单元,每个所述像素单元包括多个第一电极、位于所述多个第一电极之上的有机层和位于所述有机层之上的第二电极。本发明提供的发光器件、阵列基板、显示装置及发光器件的制造方法的技术方案中,像素界定层限定出至少一个像素单元,每个像素单元包括多个第一电极且有机层位于多个第一电极之上,使得多个第一电极上方的有机层成膜的平整性较好,以及使得多个不同的第一电极上方的有机层的厚度一致,从而提高了发光器件中有机层成膜的平整性和均一性,进而提高了发光器件的显示品质。
-
公开(公告)号:CN104031459B
公开(公告)日:2016-05-11
申请号:CN201410252354.5
申请日:2014-06-09
申请人: 京东方科技集团股份有限公司
CPC分类号: G03F7/105 , G03F7/0007 , G03F7/0047
摘要: 本发明实施例提供一种Cu2Zn0.14Sn0.25Te2.34纳米晶溶液及制备方法、光敏树脂溶液、黑矩阵的制备方法、彩膜基板,涉及显示技术领域中的纳米技术,该纳米晶溶液中的纳米晶粒径尺寸较小,对紫外-可见光范围内的光均有吸收,利用该纳米晶溶液制备而成的黑矩阵可在具有较小厚度的同时获得良好的遮光性能。该纳米晶溶液中,分散在纳米晶溶液中的纳米晶的粒径为5~20nm,纳米晶的带隙宽度为0.8~1.5ev,纳米晶的晶粒表面具有有机官能团。用于Cu2Zn0.14Sn0.25Te2.34纳米晶溶液的制备及其在黑矩阵中的应用。
-
-
-
-
-
-
-
-
-