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公开(公告)号：CN113710407B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202080029432.9
申请日：2020-05-29
Applicant: 伊雷克托科学工业股份有限公司
IPC: B23K26/382 , B23K26/082 , B23K26/0622
Abstract: 本发明揭示众多具体实例。其中许多关于在诸如印刷电路板的工件中形成通孔的方法。一些具体实例关于用于借由在间接地烧蚀例如印刷电路板的电导体结构之前使镭射能量在空间上贯穿该电导体的一区分配而间接地烧蚀该区的技术。其他具体实例关于用于在时间上划分镭射脉冲、调变镭射脉冲内的光学功率等的技术。
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公开(公告)号：CN116213918A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202211600049.1
申请日：2016-09-08
Applicant: 伊雷克托科学工业股份有限公司
Inventor： 马克·昂瑞斯 , 杨川 , 言恩·克雷能特 , 马克·匹柏斯 , 休·欧文斯 , 格温多林·拜恩 , 张海滨 , 贾斯汀·雷德 , 柯瑞·纽菲尔德 , 詹姆斯·布鲁克伊塞 , 大迫·康 , 玛密特·艾尔帕 , 林智斌 , 派崔克·莱歇尔 , 提姆·纽寇斯 , 松本久 , 克里斯·莱德
Abstract: 本发明改良用于镭射处理工件的设备与技术，并且提供新功能。本发明讨论的某些实施例与以会提高精确性、总处理量、…等的方式来处理工件有关。其它实施例则关于即时Z高度量测，并且在合宜时，进行特定Z高度偏差补偿。本发明的再其它实施例则关于扫描图样、射束特征、…等的调变，以便帮助进行特征元件成形、避免非所希望的热能累积、或是提高处理总处理量。本发明亦详细说明大量的其它实施例和配置。
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公开(公告)号：CN107405724A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201680012156.9
申请日：2016-02-26
Applicant: 伊雷克托科学工业股份有限公司
IPC: B23K26/0622 , B23K26/08 , B23K26/00 , B23K26/062 , B23K26/06 , B23K26/352
Abstract: 一种雷射处理系统包括：第一定位系统(1044)，其用于赋予射束轴沿着射束轨迹(1062)相对于工件(1060)的第一相对移动；处理器，其用于判定射束轴(1061)沿着复数个颤化列的第二相对移动；第二定位系统(1042)，其用于赋予第二相对移动；以及雷射源(1046)，其用于发射雷射射束脉冲。在主要雷射通过期间，可将具有个别地选择的能量的雷射射束脉冲引导至个别地选择的横向光点位置(5310)一次或多次来准许三维图案化。亦可将雷射射束脉冲按时间非依序次序引导至工件上之在空间上相同、重叠或非重叠的相邻光点区域位置。
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公开(公告)号：CN112091421B
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202010810329.X
申请日：2016-09-08
Applicant: 伊雷克托科学工业股份有限公司
Inventor： 马克·昂瑞斯 , 杨川 , 言恩·克雷能特 , 马克·匹柏斯 , 休·欧文斯 , 格温多林·拜恩 , 张海滨 , 贾斯汀·雷德 , 柯瑞·纽菲尔德 , 詹姆斯·布鲁克伊塞 , 大迫·康 , 玛密特·艾尔帕 , 林智斌 , 派崔克·莱歇尔 , 提姆·纽寇斯 , 松本久 , 克里斯·莱德
IPC: B23K26/067 , B23K26/36 , B23K26/382 , B23K26/082 , B23K26/70
Abstract: 本发明改良用于镭射处理工件的设备与技术，并且提供新功能。本发明讨论的某些实施例与以会提高精确性、总处理量、…等的方式来处理工件有关。其它实施例则关于即时Z高度量测，并且在合宜时，进行特定Z高度偏差补偿。本发明的再其它实施例则关于扫描图样、射束特征、…等的调变，以便帮助进行特征元件成形、避免非所希望的热能累积、或是提高处理总处理量。本发明亦详细说明大量的其它实施例和配置。
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公开(公告)号：CN112091421A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010810329.X
申请日：2016-09-08
Applicant: 伊雷克托科学工业股份有限公司
Inventor： 马克·昂瑞斯 , 杨川 , 言恩·克雷能特 , 马克·匹柏斯 , 休·欧文斯 , 格温多林·拜恩 , 张海滨 , 贾斯汀·雷德 , 柯瑞·纽菲尔德 , 詹姆斯·布鲁克伊塞 , 大迫·康 , 玛密特·艾尔帕 , 林智斌 , 派崔克·莱歇尔 , 提姆·纽寇斯 , 松本久 , 克里斯·莱德
IPC: B23K26/067 , B23K26/36 , B23K26/382 , B23K26/082 , B23K26/70
Abstract: 本发明改良用于镭射处理工件的设备与技术，并且提供新功能。本发明讨论的某些实施例与以会提高精确性、总处理量、…等的方式来处理工件有关。其它实施例则关于即时Z高度量测，并且在合宜时，进行特定Z高度偏差补偿。本发明的再其它实施例则关于扫描图样、射束特征、…等的调变，以便帮助进行特征元件成形、避免非所希望的热能累积、或是提高处理总处理量。本发明亦详细说明大量的其它实施例和配置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107405724B
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201680012156.9
申请日：2016-02-26
Applicant: 伊雷克托科学工业股份有限公司
IPC: B23K26/0622 , B23K26/08 , B23K26/00 , B23K26/062 , B23K26/06 , B23K26/352
Abstract: 一种雷射处理系统包括：第一定位系统(1044)，其用于赋予射束轴沿着射束轨迹(1062)相对于工件(1060)的第一相对移动；处理器，其用于判定射束轴(1061)沿着复数个颤化列的第二相对移动；第二定位系统(1042)，其用于赋予第二相对移动；以及雷射源(1046)，其用于发射雷射射束脉冲。在主要雷射通过期间，可将具有个别地选择的能量的雷射射束脉冲引导至个别地选择的横向光点位置(5310)一次或多次来准许三维图案化。亦可将雷射射束脉冲按时间非依序次序引导至工件上之在空间上相同、重叠或非重叠的相邻光点区域位置。
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公开(公告)号：CN108025396A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201680048544.2
申请日：2016-09-08
Applicant: 伊雷克托科学工业股份有限公司
Inventor： 马克·昂瑞斯 , 杨川 , 言恩·克雷能特 , 马克·匹柏斯 , 休·欧文斯 , 格温多林·拜恩 , 张海滨 , 贾斯汀·雷德 , 柯瑞·纽菲尔德 , 詹姆斯·布鲁克伊塞 , 大迫·康 , 玛密特·艾尔帕 , 林智斌 , 派崔克·莱歇尔 , 提姆·纽寇斯 , 松本久 , 克里斯·莱德
Abstract: 本发明改良用于镭射处理工件的设备与技术，并且提供新功能。本发明讨论的某些实施例与以会提高精确性、总处理量、…等的方式来处理工件有关。其它实施例则关于即时Z高度量测，并且在合宜时，进行特定Z高度偏差补偿。本发明的再其它实施例则关于扫描图样、射束特征、…等的调变，以便帮助进行特征元件成形、避免非所希望的热能累积、或是提高处理总处理量。本发明亦详细说明大量的其它实施例和配置。
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公开(公告)号：CN119609407A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411597211.8
申请日：2020-05-29
Applicant: 伊雷克托科学工业股份有限公司
IPC: B23K26/382 , B23K26/082 , B23K26/0622
Abstract: 本发明揭示众多具体实例。其中许多关于在诸如印刷电路板的工件中形成通孔的方法。一些具体实例关于用于借由在间接地烧蚀例如印刷电路板的电导体结构之前使镭射能量在空间上贯穿该电导体的一区分配而间接地烧蚀该区的技术。其他具体实例关于用于在时间上划分镭射脉冲、调变镭射脉冲内的光学功率等的技术。
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公开(公告)号：CN113710407A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202080029432.9
申请日：2020-05-29
Applicant: 伊雷克托科学工业股份有限公司
IPC: B23K26/382 , B23K26/082 , B23K26/0622
Abstract: 本发明揭示众多具体实例。其中许多关于在诸如印刷电路板的工件中形成通孔的方法。一些具体实例关于用于借由在间接地烧蚀例如印刷电路板的电导体结构之前使镭射能量在空间上贯穿该电导体的一区分配而间接地烧蚀该区的技术。其他具体实例关于用于在时间上划分镭射脉冲、调变镭射脉冲内的光学功率等的技术。
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公开(公告)号：CN108025396B
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN201680048544.2
申请日：2016-09-08
Applicant: 伊雷克托科学工业股份有限公司
Inventor： 马克·昂瑞斯 , 杨川 , 言恩·克雷能特 , 马克·匹柏斯 , 休·欧文斯 , 格温多林·拜恩 , 张海滨 , 贾斯汀·雷德 , 柯瑞·纽菲尔德 , 詹姆斯·布鲁克伊塞 , 大迫·康 , 玛密特·艾尔帕 , 林智斌 , 派崔克·莱歇尔 , 提姆·纽寇斯 , 松本久 , 克里斯·莱德
Abstract: 本发明改良用于镭射处理工件的设备与技术，并且提供新功能。本发明讨论的某些实施例与以会提高精确性、总处理量、…等的方式来处理工件有关。其它实施例则关于即时Z高度量测，并且在合宜时，进行特定Z高度偏差补偿。本发明的再其它实施例则关于扫描图样、射束特征、…等的调变，以便帮助进行特征元件成形、避免非所希望的热能累积、或是提高处理总处理量。本发明亦详细说明大量的其它实施例和配置。
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