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公开(公告)号：CN106784054A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710128164.6
申请日：2017-03-06
申请人： 北京世纪金光半导体有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0312 , H01L31/0352 , H01L31/107 , G01J1/42
CPC分类号： H01L31/107 , G01J1/42 , H01L31/022408 , H01L31/022475 , H01L31/0312 , H01L31/03529
摘要： 本发明公开了一种紫外雪崩光电二极管探测器，所述探测器的每个器件单元从上至下依次包括CE电极、SiO2层、P‑well或N‑well、衬底和背面电极；其中，所述P‑well或N‑well的上部中心设置有点状雪崩二极管，所述点状雪崩二极管与所述CE电极电连通；所述SiO2层的外围周向设置有接地GND。本申请采用宽禁带半导体材料来制作，雪崩区与光子收集区域分开，雪崩倍增结区较小，能制作出比较低雪崩电压的器件，雪崩区域电场均匀性可控性好；同时在雪崩倍增高场区域比较小的同时保证大面积的光探测区域，提高了量子效率；减小雪崩区域的面积，有助于减小暗电流和暗激发，同时对于晶片质量和缺陷的容忍度提高，防止了大面积雪崩倍增高场区在缺陷位置的提前击穿。
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公开(公告)号：CN106981509A
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201710219604.9
申请日：2017-04-06
申请人： 北京世纪金光半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种碳化硅功率器件的多层金属电极结构，所述多层金属电极结构在电极镀层的上方设置有一层金属保护层，所述金属保护层的上方设置有一层帽层。本申请的在常规的掺入了其他金属元素的Al电极镀层后，增加了一薄层由致密性，粘附性和抗腐蚀性较好的金属层(如Ti或者Ag)构成的保护层；并在最外层覆盖上一层Al帽层。保护层金属因其特性比较致密，针孔较少，能有效阻挡水汽的进一步侵入，能保护内层较厚的Al电极；而最外层的Al帽层在保护表面划伤的同时保持了Al电极的优良特性，同时方便后续的器件在线测试以及打线等电极引出。
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公开(公告)号：CN106771945A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611049398.3
申请日：2016-11-24
申请人： 北京世纪金光半导体有限公司
IPC分类号： G01R31/26
CPC分类号： G01R31/2619
摘要： 本发明公开了一种IGBT结温在线监测方法及其测量电路，该方法解决了现有的IGBT结温测量方法无法实现大电流工况下的结温在线监测问题，提出的通过饱和压降对IGBT的结温进行工作状态下在线监测的方法。基于本发明提出的方法，能够克服现有方法的不足，实现IGBT的高电压阻断，进行高精度的饱和压降测量。且本发明的测量电路能够同时监测逆变器中上下桥臂的两个IGBT和二极管芯片的温度；能够方便的集成到现有的IGBT的驱动电路中，对IGBT模块进行过温保护。
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公开(公告)号：CN106771946A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611050121.2
申请日：2016-11-21
申请人： 北京世纪金光半导体有限公司
IPC分类号： G01R31/26
CPC分类号： G01R31/2619
摘要： 本发明公开了一种IGBT模块内部芯片结温测试方法，该测试方法为：首先将IGBT芯片焊接在覆铜的陶瓷基板上，然后在IGBT芯片旁设定距离处焊接一个二极管芯片，二极管芯片的上表面是阳极，下表面是阴极；通过铝线键合方式，将二极管芯片的两个电极引出到陶瓷基板的覆铜层上，然后覆铜层再通过铝线键合方式引出到外接的二极管芯片阳极端子和阴极端子上；通过测量电路获得所述二极管芯片阳极端子和阴极端子之间的管压降，根据二极管的正向导通压降值和温度的线性关系计算出二极管芯片的温度，进而表征所述IGBT芯片的温度。本方法中由于二极管芯片非常靠近IGBT芯片，温度的反馈会更精准快速，避免了IGBT模块由于瞬间温升情况而引起的失效情况的发生。
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公开(公告)号：CN206574724U
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201720210177.3
申请日：2017-03-06
申请人： 北京世纪金光半导体有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0312 , H01L31/0352 , H01L31/107 , G01J1/42
摘要： 本实用新型公开了一种紫外雪崩光电二极管探测器，所述探测器的每个器件单元从上至下依次包括CE电极、SiO2层、P-well或N-well、衬底和背面电极；其中，所述P-well或N-well的上部中心设置有点状雪崩二极管，所述点状雪崩二极管与所述CE电极电连通；所述SiO2层的外围周向设置有接地GND。本申请采用宽禁带半导体材料来制作，雪崩区与光子收集区域分开，雪崩倍增结区较小，能制作出比较低雪崩电压的器件，雪崩区域电场均匀性可控性好；同时在雪崩倍增高场区域比较小的同时保证大面积的光探测区域，提高了量子效率；减小雪崩区域的面积，有助于减小暗电流和暗激发，同时对于晶片质量和缺陷的容忍度提高，防止了大面积雪崩倍增高场区在缺陷位置的提前击穿。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN206270455U
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201621260223.2
申请日：2016-11-21
申请人： 北京世纪金光半导体有限公司
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本实用新型公开了一种功率半导体模块测试治具，其包括上压板、过孔板、支撑板及保护板；上压板的中部设置有上压柱一，被测样品放置在过孔板的中部，上压柱一的下表面抵靠在被测样品的上表面上；上压板和过孔板的四周通过上压柱二连接；支撑板的四周设置有导向柱，导向柱穿过过孔板，过孔板可沿导向柱上下移动，过孔板和支撑板之间设置有若干根弹簧；支撑板上设置有若干根测试探针，过孔板上与测试探针的对应位置设置有通孔；保护板通过连接立柱与支撑板连接。本申请的测试治具具有测试效率高，测试准确度高，测试安全性高的特点。
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