一种适用于曲面光伏的叠层电池组件及其制备方法

    公开(公告)号:CN117976747B

    公开(公告)日:2024-11-08

    申请号:CN202311757088.7

    申请日:2023-12-19

    摘要: 本发明涉及太阳能光伏设备技术领域,尤其涉及一种适用于曲面光伏的叠层电池组件及其制备方法,叠层电池组件包括多组电池条和汇流条,通过将多个柔性叠层电池沿着曲面光伏的轴线方向经电连接件串联形成电池条,多组电池条同一方向的端部通过汇流条进行连接,形成叠层电池组件,保证曲面光伏轴向方向各电池单元的入射光强保持一致,保持较好电流匹配,提升电流稳定性,实现电流均匀分布,避免因电流不均匀而造成的能量损失,提升电池的稳定性和寿命。较薄的厚度使得其内部电场在薄膜内的分布更为均匀,产生更大的电场强度,导致更大的静电力,可以直接粘贴或使用少许压敏胶带即可贴合到曲面光伏衬底上,便于安装以及电池单元的更换。

    一种AgBiS2量子点超晶格的制备方法及其光电探测器

    公开(公告)号:CN114774114A

    公开(公告)日:2022-07-22

    申请号:CN202210343092.8

    申请日:2022-04-02

    申请人: 北京大学

    摘要: 本发明公开了一种AgBiS2量子点超晶格的制备方法及其光电探测器。本发明通过调节反应条件获得高质量的AgBiS2量子点,随后通过后处理的工艺方法,赋予AgBiS2量子点“靶向”功能,随后通过自组装策略,将单个AgBiS2量子点自组装成超晶格;能将纳米级的性能转移到更大的尺寸,同时具有优于单个量子点的集体性质;随后将量子点超晶格作为光电探测器的功能层,通过添加界面修饰层,钝化器件的界面缺陷,优化器件的能级结构,最终获得高灵敏度、高信噪比、绿色环保的AgBiS2量子点光电探测器;AgBiS2量子点超晶格光电探测器没有重金属元素,整个器件采用溶液加工的方法,制作成本低,同时具有的高的稳定性以及优异的器件性能,因此具有很好的市场应用前景。

    一种四端叠层钙钛矿太阳能电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN114335216A

    公开(公告)日:2022-04-12

    申请号:CN202210046762.X

    申请日:2022-01-17

    摘要: 本发明公开了一种四端叠层钙钛矿太阳能电池及其制备方法。本发明将第一太阳能电池单元叠设在第二太阳能电池单元上,第一太阳能电池单元从下至上依次包括柔性透明衬底、第一透明导电电极层、第一载流子传输层、钙钛矿活性层、第二载流子传输层和第二透明导电电极层;第一透明导电电极层采用金属网格或透明导电氧化物;本发明具有超轻超薄易覆盖的优点,每平方米重量不到10 g,能够简单地覆盖在任意底层电池之上,能够彻底解决四端叠层太阳能电池重量过重以及上下层之间装配复杂等问题;采用聚酰亚胺PI薄膜作为柔性基底,在保留其稳定的物化性质,简易的制备方法外,还能很好地回避PI薄膜对波长500 nm以蓝的光不透明的缺陷。

    基于多种铵盐协同后处理的钙钛矿型太阳能电池及其制备

    公开(公告)号:CN110993798B

    公开(公告)日:2021-11-19

    申请号:CN201911324787.6

    申请日:2019-12-20

    申请人: 北京大学

    摘要: 本发明公布了一种基于多种铵盐协同后处理的钙钛矿型太阳能电池及其制备方法,其中作为吸光活性层的钙钛矿层在成膜之后被多种铵盐的混合溶液处理,通过添加的各种铵盐的协同扩散作用,以钝化的方式抑制薄膜中的非辐射复合;同时不同种类的铵盐在薄膜中渗透后的分布也呈现出不同的梯度分布,实现了薄膜能带结构的梯度优化,并实现了不同梯度的缺陷钝化,减少光生载流子的非辐射复合,最终提升器件的开路电压与填充因子。通过多种铵盐混合溶液后处理的钙钛矿太阳能电池具有较高的光电转换效率和良好的稳定性。

    一种钙钛矿微晶膜的制备方法及太阳能电池器件

    公开(公告)号:CN112234144A

    公开(公告)日:2021-01-15

    申请号:CN201910634687.7

    申请日:2019-07-15

    申请人: 北京大学

    IPC分类号: H01L51/42 H01L51/44 H01L51/48

    摘要: 本发明公开了一种钙钛矿微晶膜的制备方法及太阳能电池器件。所述方法为将预先合成的钙钛矿微晶与高分子粘合剂、无机分散剂、有机分散溶剂混合,并使用球磨的方法制备成均匀、分散性良好的钙钛矿晶体浆料;使用机械冲压、刮涂、印刷的制备方式将微晶钙钛矿晶体浆料在基底材料上压制、退火成膜,并可组装成太阳能电池。该方法是一种全新的钙钛矿薄膜制备工艺,所得到的钙钛矿微晶膜成膜性好、重复性高,摆脱了对紫外臭氧处理步骤,能够大面积制备,具有很大的发展潜力和市场应用前景。

    一种钙钛矿薄膜的快速制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN106981570B

    公开(公告)日:2019-11-01

    申请号:CN201610029676.2

    申请日:2016-01-18

    申请人: 北京大学

    发明人: 朱瑞 龚旗煌

    IPC分类号: H01L51/40 H01L51/48 H01L51/56

    摘要: 本发明公布一种钙钛矿薄膜的快速制备方法及其应用,利用热气体干燥法实现晶体快速生长,得到平整致密的高质量钙钛矿薄膜;包括:配制含铅材料(醋酸铅、氧化铅、氢氧化铅、硫酸铅、碳酸铅、硝酸铅、(次)磷酸铅、氯化铅、碘化铅、溴化铅中至少一种)与有机卤盐(甲胺碘、甲脒碘、甲胺溴、甲脒溴、甲胺氯、甲脒氯中至少一种)的混合溶液,作为钙钛矿前驱液;沉积在基底上;利用干燥的热气体快速吹干沉积在基底上的钙钛矿前驱液,形成平整致密的钙钛矿薄膜。本发明高效低成本,适应于大规模工业化生产,得到的钙钛矿薄膜可以应用在太阳能电池、发光二极管、光敏二极管、激光器、薄膜晶体管、光电探测器、微传感器件等诸多光电功能器件领域。

    一种联硼化合物表面修饰钙钛矿薄膜的方法及其应用

    公开(公告)号:CN108461635B

    公开(公告)日:2019-09-13

    申请号:CN201810318811.4

    申请日:2018-04-11

    申请人: 北京大学

    IPC分类号: H01L51/42 H01L51/48

    摘要: 本发明公布了一种联硼化合物表面修饰钙钛矿薄膜的方法及其应用,通过引入硼元素有效地钝化钙钛矿薄膜中未配位的碘离子,降低缺陷态密度,提高钙钛矿薄膜的光电性能,进而实现高效稳定的钙钛矿太阳能电池器件。经联硼化合物修饰钙钛矿吸光层的太阳能电池器件获得了较高的光电转换效率,制备方法简便且生产周期较短,同时具有良好的稳定性。

    一种电子束激发荧光成像和荧光光谱测量装置及其方法

    公开(公告)号:CN107941831A

    公开(公告)日:2018-04-20

    申请号:CN201610894552.0

    申请日:2016-10-13

    申请人: 北京大学

    发明人: 朱瑞 徐军 刘亚琪

    IPC分类号: G01N23/22

    CPC分类号: G01N23/22

    摘要: 本发明公开了一种电子束激发荧光成像和荧光光谱测量装置及其方法。本发明的电子束激发荧光成像和荧光光谱测量装置包括:扫描电子显微镜系统、扫描信号发生器、荧光收集耦合传输系统、荧光强度探测器、荧光光谱探测器、扫描同步信号采集器、协同控制与数据处理输出系统;本发明采用模块化的构架,各模块的配置调整及后续升级非常灵活便利;各模块在协同控制与数据处理输出系统的统一同步协调控制下相互配合工作,保证严格的时序和逻辑顺序,并能够通过反馈交互信号检测各模块的运行情况,最终实现高精度的电子束激发荧光成像和荧光光谱测量;荧光收集耦合传输系统能够和荧光光谱探测器极大提高了扫描电子显微镜的分辨率。

    一种单个微纳米结构转移装置及其转移方法

    公开(公告)号:CN106430084B

    公开(公告)日:2017-12-01

    申请号:CN201611019900.6

    申请日:2016-11-18

    申请人: 北京大学

    发明人: 朱瑞 徐军 刘亚琪

    IPC分类号: B81C1/00 B82Y40/00

    摘要: 本发明公开了一种单个微纳米结构转移装置及其转移方法。本发明巧妙地设计了具有周期性凸起平台和坐标标记的微纳结构中转基片,通过显微镜实时观察以及原位操纵微纳操纵器,实现单个微纳米结构的精确定点转移;一方面,在微纳结构中转基片上能够完成对微纳米结构的初步表征分析;另一方面,在显微镜的原位观察下,通过坐标标记原位查找待转移的单个微纳米结构,并能够通过微纳操纵器的转移探针将其从微纳结构中转基片上提取出来,再精确转移至目标衬底基片上的指定位置,转移定位精度能够优于1微米;此外,本发明的转移方法采用了静电吸附的原理,在保证转移探针的尖头探针清洁的情况下,不会在微纳米结构转移过程中引入不明杂质。

    透明导电电极的图案化刻蚀方法和图案化透明导电电极

    公开(公告)号:CN104575869B

    公开(公告)日:2017-01-11

    申请号:CN201510013392.X

    申请日:2015-01-12

    申请人: 北京大学

    摘要: 本发明公布一种透明导电电极的图案化刻蚀方法和图案化透明导电电极,包括步骤:制成待图案化的电极;其上制备图案化的保护层;置于刻蚀液或气体中刻蚀;置于清洗液中清洗去掉刻蚀产物和保护层。用本发明方法对金属纳米线进行网格状图案化,制备成一种网格状图案化的透明导电电极。本发明通过气体或较低浓度的刻蚀液对金属或金属纳米线薄膜实现快速、低成本且安全低毒的化学刻蚀,既可彻底刻蚀,也能无影刻蚀,且安全低毒、刻蚀速度快,在实际应用中效果显著。制成的网格状图案化透明导电电极综合纳米线和纳米网格透明电极的优点,在导电性损失极小的前提下大幅提高透明度,性能良好。