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公开(公告)号：CN107941831A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201610894552.0
申请日：2016-10-13
Applicant: 北京大学
IPC: G01N23/22
CPC classification number: G01N23/22
Abstract: 本发明公开了一种电子束激发荧光成像和荧光光谱测量装置及其方法。本发明的电子束激发荧光成像和荧光光谱测量装置包括：扫描电子显微镜系统、扫描信号发生器、荧光收集耦合传输系统、荧光强度探测器、荧光光谱探测器、扫描同步信号采集器、协同控制与数据处理输出系统；本发明采用模块化的构架，各模块的配置调整及后续升级非常灵活便利；各模块在协同控制与数据处理输出系统的统一同步协调控制下相互配合工作，保证严格的时序和逻辑顺序，并能够通过反馈交互信号检测各模块的运行情况，最终实现高精度的电子束激发荧光成像和荧光光谱测量；荧光收集耦合传输系统能够和荧光光谱探测器极大提高了扫描电子显微镜的分辨率。
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公开(公告)号：CN106430084B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201611019900.6
申请日：2016-11-18
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种单个微纳米结构转移装置及其转移方法。本发明巧妙地设计了具有周期性凸起平台和坐标标记的微纳结构中转基片，通过显微镜实时观察以及原位操纵微纳操纵器，实现单个微纳米结构的精确定点转移；一方面，在微纳结构中转基片上能够完成对微纳米结构的初步表征分析；另一方面，在显微镜的原位观察下，通过坐标标记原位查找待转移的单个微纳米结构，并能够通过微纳操纵器的转移探针将其从微纳结构中转基片上提取出来，再精确转移至目标衬底基片上的指定位置，转移定位精度能够优于1微米；此外，本发明的转移方法采用了静电吸附的原理，在保证转移探针的尖头探针清洁的情况下，不会在微纳米结构转移过程中引入不明杂质。
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公开(公告)号：CN105115795B
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：CN201510427878.8
申请日：2015-07-20
Applicant: 北京大学
IPC: G01N1/28
Abstract: 本发明公开了一种微米级薄片透射电子显微镜截面样品的制备方法。本发明先将微米级薄片样品切割成矩形样品条夹在固化样品片中形成块体样品，然后切割成截面样品薄片，在一个截面方向的表面粘样品托，对两个表面进行手工研磨，在另一个表面通过固化粘结剂粘支持环，然后加热去掉样品托，同时使支持环固化粘接在截面样品薄片上，再修整好样品，最后进行离子减薄得到TEM截面样品；本发明的制备方法，操作工艺简单，使用的制样设备和技术成熟，制样成功率高，实用性强，适合于多种微米级薄片状的TEM截面样品的制备。
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公开(公告)号：CN105225909A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510592044.2
申请日：2015-09-17
Applicant: 北京大学
IPC: H01J37/20
Abstract: 本发明公开了一种扫描电镜样品台定位装置及其定位方法。本发明的定位装置包括：摄像头、图像采集系统调节架、图像采集系统基台、样品台座、定位样品、图像控制器和数据处理及输出系统；本发明通过引入定位样品台，结合图像采集与处理过程，采用扫描电镜样品台坐标系标定方法，实现了样品台上不同样品位置的定位，省去了在扫描电镜小视野中通过小范围移动样品台来进行样品寻找和定位的繁琐且易出错的过程，实现样品的准确、快速定位，极大提高了扫描电镜实验效率，能够为扫描电镜用户节省大量样品搜索与定位所花费的时间与费用。
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公开(公告)号：CN104330430A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201410446840.0
申请日：2014-09-02
Applicant: 北京大学
IPC: G01N23/227
Abstract: 本发明公开了一种光阴极材料光电子发射性能评测装置及其评测方法。本发明的评测装置包括：真空腔室、真空抽气系统、真空度测量系统、光阴极组件、电源系统、光电子成像系统、数据采集系统、激光激发系统以及聚焦面镜。本发明通过在真空腔室内部设置聚焦面镜，聚焦面镜的焦点位于光阴极材料的表面，通过调节激光束的入射位置，实现激光入射角度的连续变化，并且可以改变激光的波长和偏振态，可原位测量得到光电子发射特性的全部参数。本发明的方法省去分立角度入射激光激发模式中频繁在真空腔室外部调节激光光路的一系列繁琐步骤，仅需要改变激光束的入射位置便可改变入射角度，且克服了分立角度入射带来的角度不连续问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103956312A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410158109.8
申请日：2014-04-18
Applicant: 北京大学
IPC: H01J9/02
Abstract: 本发明公开了一种场发射电子源发射体表面涂层处理装置及其处理方法。本发明的处理装置包括：反应室、真空抽气系统、真空度测量系统、供氧系统、电子源电源、加热带、观察窗和比色测温仪。本发明采用反应室连接真空抽气系统、真空度测量系统和供氧系统，能够对氧化环境、真空度、温度和处理时间的精密控制；实现在单晶钨丝的表面形成均匀的氧化锆涂层，显著的降低了单晶钨丝作为发射体的攻函数，从约4.7eV降低到约2.8eV，有利于发射体中电子的场致发射，也降低了发射体尖端需加载的电场强度的要求，减少了发射体尖端放电的危险，通过这种方法制备的场发射电子源的工作时间超过2000小时，有效地延长了场发射电子源的工作寿命。
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公开(公告)号：CN102496541B
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201110406532.1
申请日：2011-12-08
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种场发射电子源发叉钨丝成型装置。本发明的焊接装置包括：刀片；底座；控制刀片向下挤压深度的刀片架组；包括一对间距可调的左固定托和右固定托的间距调节组；以及一对用于放置钨丝的钨丝定位片。本发明的成型装置，可以在5°-95°角度范围内的任意角度对钨丝进行精确的弯曲，既能精确保证弯曲角度也能精确保证V型叉具有相同的长度；并且可多根钨丝一次同时成型，极大的提高了发叉钨丝成型的精度和一致性，同时也大大的提高了V型发叉钨丝制作效率，为确保后续焊接和安装精度提供了保证。
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公开(公告)号：CN102241390A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201110106827.7
申请日：2011-04-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种制备悬浮纳米结构的方法。该方法，包括如下步骤：用聚焦离子束扫描两端固定在保护层上的悬臂梁，得到所述悬浮纳米结构。该方法不受常规光刻条件的限制，对设备的聚焦精度以及扫描精度等要求相对传统的刻蚀方式较低，更有利于进入多结构并行加工，光学器件、传感器件、电子器件等方面具有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN100447945C
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200510126469.0
申请日：2005-12-13
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/00 , H01L21/3065 , H01L33/00 , H01S5/10 , H01S5/22
Abstract: 本发明在使用先进的聚焦离子束刻蚀技术加工GaN基激光器谐振腔镜面的工艺中提出了一种简洁、快速、有效的工艺步骤和方法，它包括以下三个主要步骤：计算和设计具有一维光子晶体结构的半导体/空气(DBR)反射镜的具体尺寸和容差要求，为FIB加工条件的选择提供依据；对所需加工的半导体激光二极管进行加工前处理准备。包括电接触和机械稳定性等方面的处理；根据加工要求确定合适的FIB加工条件并设计出合理的加工次序进行加工。这包括：离子束束流大小的选择；沉积保护层材料及厚度的选择；辅助刻蚀槽的设计和加工；放大倍数的选择及刻蚀图形的设计；半导体/空气(DBR)结构成型的刻蚀条件及刻蚀后处理方法等。
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公开(公告)号：CN117434097A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311395328.3
申请日：2023-10-25
Applicant: 北京大学
IPC: G01N23/2251 , G01N23/2204
Abstract: 本发明公开了一种透射式电子束激发荧光探测装置及其探测方法。本发明的透射式电子束激发的荧光探测器设置在电子束穿透待分析物质试样后的空间区域，不影响电子束品质和电子显微镜原有的成像和分析功能；使得电子束激发荧光信号能够同时结合电子显微镜系统所获得的二次电子信号，背散射电子信号以及能谱信号等共同实现样品表征分析；由定位样品台、荧光探测器和主承载台转接固定装置集成为一体化模组，仅需要通过电子显微镜系统的主承载台的位置调节，即能够实现荧光探测器的荧光收集镜的第一焦点同电子光学镜筒光轴重合，获得最佳荧光收集条件，设备操作使用简便可靠。
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