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公开(公告)号：CN113296372A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110566122.7
申请日：2021-05-24
Applicant: 北京大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种电子束曝光机用电子束静电偏转器控制系统及方法。本发明采用主控制器、静电偏转信号控制器和静电偏转信号发生器，实现了静电偏转器的系统控制，采用层级控制关系，通过层级的控制信号传递控制参数，系统采用统一的通讯协议和接口，用户可仅掌握顶层控制命令即可实现系统操控；静电偏转信号发生器中信号的线性放大增益可调，使得系统功能设计和性能调整具有很大的自由度；此外，系统在控制参数作用下，将原始的扫描信号实时转化生成为静电偏转器各个偏转电极上施加所需的高压偏转信号，保证了扫描信号生成速度，实现了各个偏转电极上高压偏转信号的系统控制。
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公开(公告)号：CN112014418A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010810449.X
申请日：2020-08-13
Applicant: 北京大学
IPC: G01N23/2251
Abstract: 本发明公开了一种电子束激发荧光收集耦合用离轴反射面镜组件及方法。本发明采用离轴角小于90度的离轴反射面镜配置，所反射会聚或反射准直的电子束激发荧光将偏离所观测样品的定位运动平面，处于电子显微镜的物镜和所观测样品的定位运动平面之间，使得电子束激发荧光的探测和耦合输出区域同样处于上述区域，因此离轴反射面镜组件不会阻碍电子显微镜的所观测样品的正常定位运动；进行电子束激发荧光收集效率的优化设计，保证在优于80％荧光收集效率；本发明作为电子束激发荧光探测系统的荧光收集耦合部件，在高效率收集和耦合电子束激发荧光的同时，保证电子显微镜的样品能够正常定位运动，且电子显微镜的其他探测组件能够正常采集信号。
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公开(公告)号：CN107941831B
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201610894552.0
申请日：2016-10-13
Applicant: 北京大学
IPC: G01N23/22
Abstract: 本发明公开了一种电子束激发荧光成像和荧光光谱测量装置及其方法。本发明的电子束激发荧光成像和荧光光谱测量装置包括：扫描电子显微镜系统、扫描信号发生器、荧光收集耦合传输系统、荧光强度探测器、荧光光谱探测器、扫描同步信号采集器、协同控制与数据处理输出系统；本发明采用模块化的构架，各模块的配置调整及后续升级非常灵活便利；各模块在协同控制与数据处理输出系统的统一同步协调控制下相互配合工作，保证严格的时序和逻辑顺序，并能够通过反馈交互信号检测各模块的运行情况，最终实现高精度的电子束激发荧光成像和荧光光谱测量；荧光收集耦合传输系统能够和荧光光谱探测器极大提高了扫描电子显微镜的分辨率。
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公开(公告)号：CN108267430B
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201611259463.5
申请日：2016-12-30
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种大范围电子束激发荧光成像和光谱测量装置及其方法。本发明的大范围电子束激发荧光成像和光谱测量装置包括：扫描电子显微镜系统、扫描信号发生器、大范围荧光收集耦合传输系统、荧光强度探测器、荧光光谱探测器、扫描同步信号采集器、协同控制与数据处理输出系统；本发明通过引入大范围荧光耦合器，使得在扫描电子显微镜系统在成像视野范围内所激发的荧光信号均能够以相同的高收集效率会聚耦合至荧光传输光路，解决了大范围荧光扫描成像所得到的图像难以使用统一的标准来测算和比较不同位置处的荧光激发强度或荧光激发产率以及荧光光谱信息的问题，能够完成基于电子束激发荧光信号的大范围快速检测分析。
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公开(公告)号：CN108279247A
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201611261465.8
申请日：2016-12-30
Applicant: 北京大学
IPC: G01N23/2251 , G01J1/42 , G01J1/04
CPC classification number: G01N23/2251 , G01J1/0422 , G01J1/0455 , G01J1/0459 , G01J1/42 , G01J2001/4242 , G01N2223/07 , G01N2223/102 , G01N2223/507
Abstract: 本发明公开了一种电子束激发荧光大范围直接探测成像装置及其方法。本发明的成像装置包括：扫描电子显微镜系统、扫描信号发生器、荧光收集耦合系统、半导体光探测器、扫描同步信号采集器、协同控制与数据处理输出系统；本发明采用模块化的构架，各模块的配置调整及后续升级非常灵活便利；通过引入半导体光探测器的大面积半导体光电探测芯片，使得在扫描电子显微镜系统在大成像视野范围内所激发的荧光均能够以相同的高收集效率会聚耦合至半导体光探测器，解决了大范围荧光扫描成像所得到的图像难以使用统一的标准来测算和比较不同位置处的荧光激发强度或荧光激发产率的问题，能够完成基于电子束激发荧光信号的大范围快速检测分析。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108267430A
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201611259463.5
申请日：2016-12-30
Applicant: 北京大学
CPC classification number: G01N21/6402 , G01N21/01 , G01N2021/0131 , G01N2021/0162 , G01N2021/6423
Abstract: 本发明公开了一种大范围电子束激发荧光成像和光谱测量装置及其方法。本发明的大范围电子束激发荧光成像和光谱测量装置包括：扫描电子显微镜系统、扫描信号发生器、大范围荧光收集耦合传输系统、荧光强度探测器、荧光光谱探测器、扫描同步信号采集器、协同控制与数据处理输出系统；本发明通过引入大范围荧光耦合器，使得在扫描电子显微镜系统在成像视野范围内所激发的荧光信号均能够以相同的高收集效率会聚耦合至荧光传输光路，解决了大范围荧光扫描成像所得到的图像难以使用统一的标准来测算和比较不同位置处的荧光激发强度或荧光激发产率以及荧光光谱信息的问题，能够完成基于电子束激发荧光信号的大范围快速检测分析。
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公开(公告)号：CN106430084A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201611019900.6
申请日：2016-11-18
Applicant: 北京大学
CPC classification number: B81C1/00015 , B81C1/00023 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种单个微纳米结构转移装置及其转移方法。本发明巧妙地设计了具有周期性凸起平台和坐标标记的微纳结构中转基片，通过显微镜实时观察以及原位操纵微纳操纵器，实现单个微纳米结构的精确定点转移；一方面，在微纳结构中转基片上能够完成对微纳米结构的初步表征分析；另一方面，在显微镜的原位观察下，通过坐标标记原位查找待转移的单个微纳米结构，并能够通过微纳操纵器的转移探针将其从微纳结构中转基片上提取出来，再精确转移至目标衬底基片上的指定位置，转移定位精度能够优于1微米；此外，本发明的转移方法采用了静电吸附的原理，在保证转移探针的尖头探针清洁的情况下，不会在微纳米结构转移过程中引入不明杂质。
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公开(公告)号：CN115274386B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202210792857.6
申请日：2022-07-07
Applicant: 北京大学
IPC: H01J37/147 , H01J37/21 , H01J37/30 , H01J37/305 , B81C1/00 , B81C99/00 , B82B3/00 , B82Y5/00 , B82Y15/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种固态纳米孔批量精密加工装置及其加工方法。本发明包括：离子光学系统、透射式阵列载样样品台、自动位移台、真空样品室、二次电子探测器、图形扫描控制系统和计算机，采用聚焦离子束的焦点，在图形扫描控制系统的精密控制下，在硅基固态薄膜上定位扫描，可以实现固态纳米孔尺寸的精密可控制备；在加工过程中，能够通过透过纳米孔加工区域的离子束成像衬度，实时监测纳米孔的加工过程，获得可控的离子束加工参数，进一步提高加工精度；采用阵列载样台实现固态纳米孔的批量化精密加工，极大提高了加工效率，单个固态纳米孔的加工周期极大缩短；旨在制造尺寸在1μm与5nm之间的固态纳米孔，以用于蛋白质分子和DNA分子等生物传感检测。
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公开(公告)号：CN113296372B
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202110566122.7
申请日：2021-05-24
Applicant: 北京大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种电子束曝光机用电子束静电偏转器控制系统及方法。本发明采用主控制器、静电偏转信号控制器和静电偏转信号发生器，实现了静电偏转器的系统控制，采用层级控制关系，通过层级的控制信号传递控制参数，系统采用统一的通讯协议和接口，用户可仅掌握顶层控制命令即可实现系统操控；静电偏转信号发生器中信号的线性放大增益可调，使得系统功能设计和性能调整具有很大的自由度；此外，系统在控制参数作用下，将原始的扫描信号实时转化生成为静电偏转器各个偏转电极上施加所需的高压偏转信号，保证了扫描信号生成速度，实现了各个偏转电极上高压偏转信号的系统控制。
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公开(公告)号：CN104134604B
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201410158183.X
申请日：2014-04-18
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种场发射电子源电子束发射性能评测装置及其评测方法。本发明的评测装置包括：真空腔室、真空抽气系统、真空度测量系统、电子枪组件、电源系统、电子束成像系统、电子束偏转系统和探测与采集系统。本发明在电子束的路径上安装两个垂直方向的偏转磁场，控制电子束从边缘至中心依次扫描通过荧光屏上的小孔，从而获得电子束束斑形状、电子束束斑中心束束流强度、束流密度、角电流密度等、电子束发射稳定度等重要的场发射电子源电子束发射性能定量参数，获得上述电子源电子发射的定量化参数，为评价场发射电子源性能，优化场发射电子源制备工艺，完善场发射电子源制备平台提供定量依据。
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