公开(公告)号：CN117317025A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202311589953.1

申请日：2023-11-27

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  中国科学院半导体研究所 ,  国网重庆市电力公司营销服务中心 ,  国家电网有限公司

发明人： 付振 ,  陈燕宁 ,  张泉 ,  尹强 ,  杨毓龙 ,  张文敏 ,  申占伟 ,  岳世忠 ,  朱晓钢 ,  要文波 ,  刘型志

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

摘要： 本发明涉及半导体领域，提供一种碳化硅MOSFET器件及制造方法、功率芯片。碳化硅MOSFET器件包括：碳化硅衬底、形成于碳化硅衬底的第一导电类型外延层和第二导电类型保护层、栅极、源极以及漏极，第二导电类型保护层包括第一保护层和第二保护层，第一保护层包括纵向延伸区和横向延伸区，第一保护层的纵向延伸区与源极相接，第一保护层的横向延伸区横向延伸至第一导电类型外延层，第二保护层与第一保护层的纵向延伸区横向相接，第二保护层通过沟道区与源极相连，在第一保护层和第二保护层的作用下使第一导电类型外延层内形成纵向耗尽和横向耗尽的漂移区。本发明可以提高器件击穿电压同时降低导通电阻，提升器件的动态可靠性。

公开(公告)号：CN117317025B

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202311589953.1

申请日：2023-11-27

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  中国科学院半导体研究所 ,  国网重庆市电力公司营销服务中心 ,  国家电网有限公司

发明人： 付振 ,  陈燕宁 ,  张泉 ,  尹强 ,  杨毓龙 ,  张文敏 ,  申占伟 ,  岳世忠 ,  朱晓钢 ,  要文波 ,  刘型志

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336